导读:本文包含了抗辐照技术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:粒子,技术创新,国防科技,效应,中心,芯片,航天器。
抗辐照技术论文文献综述
王琼,丁洁,党丽芳[1]（2019）在《基于专利视角的空间站设备抗辐照加固技术发展分析》一文中研究指出在轨航天器需要经历非常复杂的空间环境,包括辐射环境在内的复杂空间环境会对在轨航天器高可靠地完成工作产生巨大影响。本文分析了在轨航天器的发展现状,结合国内外相关专利技术,探索提出在轨航天器加固技术的解决方案,以期为我国在轨航天器抗辐照加固技术改进提供参考和借鉴。(本文来源于《军民两用技术与产品》期刊2019年08期）
杨阳,陶建中,万书芹,邱丹[2]（2019）在《基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现》一文中研究指出直接数字频率合成器(DDS)作为关键器件被广泛应用在航空航天领域中。芯片在广阔的宇宙空间中易受到高能辐射粒子的影响,其中单粒子翻转(SEU)效应是一种十分常见的辐射效应,将导致电路功能异常甚至失效,这就要求DDS芯片能有非常强的抗辐照性能。提出一种基于叁模冗余结构并具有自纠错功能的寄存器,将其应用在DDS的电路设计中,并将芯片的数字电路部分插入叁模冗余结构,利用冗余结构去除掉故障电路对整个DDS芯片功能的影响,使得DDS芯片的抗辐照能力得到有效提升。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年08期）
雷一博[3]（2019）在《功率集成电路中抗辐照技术研究与设计》一文中研究指出智能功率模块能将功率器件与控制信号集成为一体,因此广泛应用于航空航天、汽车电子、家用电器等领域的各类驱动电路的设计中。为了提升芯片的性能的同时减小功率器件的开关损耗,需要使得电路的工作频率不断变高,此外粒子辐照效应对器件乃至电路的不利影响也频繁发生,因此,电路的高速工作将使得智能功率模块的可靠性必须被主要考虑。由于空间辐照效应对民用和军用航天器的影响,高压集成电路的抗辐照加固技术变得日益重要。本文基于华润上华公司(CSMC)的1μm 600V BCD工艺平台,说明了总剂量效应对5V MOS器件的影响及主要加固手段。本文重点注了高压栅驱动电路中电平位移模块的高速工作状态可靠性和单粒子效应引起的电压电流脉冲的问题,并采用了Cadance公司的Hspice工具和Silvaco公司的ATLAS工具进行了必要的仿真模拟。通过对窄脉冲产生电路的基本原理以及导致高速工作出现问题的原因进行了分析,选取了非对称窄脉冲的解决方案,改善了生成的两路窄脉冲宽度。改善后的电路可识别输入控制信号的脉宽从100ns左右提升到10ns左右,提升幅度达到了85%,通过电路关断优先的设计思路,大大降低单粒子烧毁(SEB)的概率。此外,本文通过对RS触发器自身存在的不确定状态输出进行了分析,明确了RS触发器输入端会受到单粒子翻转效应(SEU)的影响,以及RS触发器的输出端会受到单粒子瞬态效应(SET)的影响。通过仿真对比,提出了新型抗SEU和SET的RS触发器,对比传统的RS触发器可以很好的改善单粒子效应带来的不利影响,提升RS触发器在单粒子影响下的稳定性。因此,本设计采用的非对称窄脉冲方法和消除RS不确定状态的方法可以很好的提高高压电平位移电路抗单粒子效应的能力,从而在保证低功耗需求的同时,提高设计电路的可靠性。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
李铁虎[4]（2018）在《深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术》一文中研究指出随着我国航空航天技术的不断进步和核物理科学研究的深入,抗辐照加固集成电路的需求与日俱增。一方面我国抗辐照加固芯片研制尚处于起步阶段,自主研发能力还不够强,另一方面高性能抗辐照加固集成电路一直是西方发达国家技术封锁和产品禁运的首要目标,我国核心关键技术领域用抗辐照加固集成电路尚不能完全自主可控,长期受制于技术领先国家,因此对集成电路辐照效应和抗辐照加固技术进行深入研究将极大地促进我国国防和现代化事业的发展。集成电路设计工艺从深亚微米逐渐向纳米级技术节点过渡,辐照效应和抗辐照加固技术也日新月异。在0.18μm工艺水平以上,由于器件氧化层和场氧区较厚,总剂量效应较为显着。进入65 nm工艺节点以下,由于器件氧化层减薄,采用浅槽隔离技术,总剂量效应大大降低,已不再成为主要辐照损伤因素。但随着工艺缩减,单粒子效应引发的“软错误”对电路的威胁越来越严重,甚至超过其他所有失效因素的总和,成为电路可靠性的首要问题。本文在深亚微米(0.18μm)和纳米级(65 nm)体硅CMOS工艺水平上,对器件、电路的辐照效应及抗辐照加固技术进行了较为深入的研究,主要研究成果如下:(1)对0.18μm体硅CMOS工艺N沟道core和I/O晶体管进行了总剂量辐照实验,得到了晶体管电气特性在总剂量辐照下的变化。研究发现:辐照累积总剂量提升,晶体管亚阈区漏电流增大,阈值电压漂移,晶体管电气特性退化;I/O晶体管的总剂量效应比core晶体管明显,窄沟晶体管由于辐照诱生窄沟道效应的影响总剂量效应比宽沟晶体管显着;晶体管负体偏置能够减轻器件总剂量效应。基于晶体管辐照实验和器件参数提取,对0.18μm体硅CMOS工艺普通条形栅和无边缘NMOSFET进行了辐照效应SPICE建模。模型仿真结果与实验结果吻合较好,能有效预测器件、电路的总剂量响应。(2)研究了组合逻辑数字电路中SET脉冲的产生和传播。研究发现:入射重离子LET值增大,SET电流脉冲尖峰值增大,电流持续时间延长,SET脉宽增大;SET电流呈现脉冲尖峰之后的平台期,与传统双指数形态不同,表明晶体管电气耦合状态下单粒子响应有别于孤立的晶体管,采用混合模拟仿真能较精准预测电路SEE;宽沟晶体管SET脉宽小于窄沟晶体管,长沟晶体管SET脉宽大于短沟晶体管,在设计中可尽量选用沟道短而宽的晶体管以抑制SET效应。(3)研究了时序逻辑数字电路中SEU的物理机制。研究发现:0.18μm非加固标准6管SRAM的翻转截面高于65 nm SRAM,这主要是由于工艺缩减单粒子敏感体积减小,电荷收集量降低造成的。(4)研究了工艺缩减、工作频率提升等因素对电路SEE的影响。研究发现:增加阱接触数量,减小接触孔与器件之间的距离有助于降低SET脉宽,减轻阱电势调制,从而抑制SEE;重离子入射角度增大,器件间的电荷共享增强,通过脉冲压缩机制有助于减小SET脉宽;深N阱结构能够有效截断重离子入射产生的电荷漏斗,降低敏感节点电荷收集量,使得SET脉宽小于普通双阱工艺结构。(5)提出了一种抗SEU的SRAM单元电路拓扑新结构。此SRAM单元电路的SEU临界电荷高达12,320 fC,是非加固标准6T SRAM单元的1,000倍以上,与其他加固单元电路相比也有显着提升,而电气性能没有显着退化,能充分保证在强辐射环境下的高可靠应用。(6)基于65 nm体硅CMOS工艺设计开发了一款抗辐照加固标准数字单元库,可应用于实际抗辐照加固芯片研制。(7)基于0.18μm和65 nm体硅CMOS工艺分别设计开发了两款抗辐照加固芯片。提出了一种评估电路总剂量效应的正向体偏置法。与晶体管辐照效应SPICE模型仿真对比验证了新方法的有效性。提出了一种高速数据合成电路。与传统数据合成器相比,新数据合成电路避免了数据穿通的可能,且多级级联应用能够保证数据天然同步特性。设计了一种宽带锁相环VCO振荡带自动校准算法,实现了超宽频率范围覆盖的两个VCO振荡频率校正,在较短时间内实现较高精度的频率锁定功能。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-09-01）
[5]（2018）在《抗辐照应用技术创新中心:创新是最大的动力》一文中研究指出抗辐照应用技术创新中心坚持自主创新与引进吸收再创新相结合,不断加大科研生产投入,掌握行业领域核心技术,提升自主研发水平。2017年4月,国防科工局批复决定设立国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,明确中核集团中国原子能科学研究院为主依托单位。抗辐照应用技术创新中心将主要开展抗辐照应(本文来源于《军工文化》期刊2018年07期）
隋丽[6]（2018）在《扬帆起航 创抗辐照应用技术新天地》一文中研究指出建立协同创新机制,实现合作共赢,打造抗辐照应用技术领域的国家科技创新和高端创新人才高地,形成军民兼用、跨行业、跨学科的国防科技工业抗辐照应用技术协同创新平台。宇宙空间中高能带电粒子与星载微电子集成芯片相互作用产生的单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应等,可使航天器发生在轨故障,缩短工作寿命,严重时甚至会造成灾难性后果。随着集成电路芯片性能的提高、特征尺寸的减小,使得发生单粒子效应所需要的临界电荷显着降低,芯片发生单粒子效应的敏(本文来源于《军工文化》期刊2018年07期）
[7]（2017）在《国家级抗辐照应用技术创新中心落户我院》一文中研究指出11月18日,以我院为主依托单位设立的国家级创新中心——国防科技工业抗辐照应用技术创新中心正式成立,这也是中核集团第一个先进制造类创新中心。创新中心将面向微电子器件及其系统在辐射环境应用中重大、关键、共性等基础问题,重点开展地面模拟实验、辐射效应测试、加固性能评估、加固技术机理等方面的研究开发、应用转化与综合服务。(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2017年00期）
庄昊[8]（2018）在《基于软件无线电平台的抗辐照测控数传终端技术研究》一文中研究指出现代战争对航天信息的综合处理提出了更高水平的需求,要求卫星测控数传设备必须在具备强大的环境适应能力的基础上尽量少的占用系统资源,在寸土寸金的航天器上,合理整合系统资源显得尤为重要,为了满足这种需求,不仅要对测控数传终端的空间环境适应能力进行技术研究,还需要进一步对小型化设计做出详细研究。目前,大多数测控终端采用独立的射频通道和基带模块,就导致设备组成复杂,体积庞大,并且空间环境适应能力差,抗辐照能力弱。随着微波元器件、组件工艺水平的不断提高,高速A/D、D/A器件的发展及DSP、FPGA等处理器在无线电平台中的大量使用,为软件无线电在航空航天电子设备中的应用积累了大量经验,使得具备强环境适应能力的小型化测控系统得以实现,所以高集成度、强环境适应能力的平台产品应运而生,通过小型化、抗辐照的设计,可以有效地整合系统资源,降低终端复杂度,使设备功能多样,体积减小,空间适应能力加强。本文针对测控数传终端的小型化、强空间环境适应能力需求的关键技术进行设计。(1)针对航天测控数传终端小型化需求,首先介绍了抗辐照小型化平台搭建的关键技术,然后进行小型化平台硬件电路设计,以AD9361无线收发器和ZYNQ系列平台为核心构建小型化软件无线电平台,将抗辐照小型化平台的重量体积减小为过去终端的一半,提高了抗辐照终端的小型化水平。(2)针对小型化终端增强空间环境适应能力的需求,分析了抗辐照小型化终端工作的空间环境以及可能受到的辐照影响,介绍元器件的空间失效因素以及目前主流的抗辐照加固方法,创新的提出新型抗辐照加固策略,并对主要电路做了硬件抗辐照措施,增强了小型化终端的抗辐照水平。(3)针对小型化终端的通信传输抗辐照需求,设计了本终端的抗辐照软件算法,采取二维快速捕获算法来加快信号的捕获,并采取并行跟踪的方式进一步加快跟踪的速度,最大程度的减少信号受辐照影响的时间;创新的设计了抗辐照加固算法,在终端正常工作时对其进行定时刷新,及时清除受到的辐照影响,提高系统的可靠性;当终端受到辐照影响不能正常工作时,加固算法对其进行全局配置,在最短时间内完成重新配置加载,使其恢复正常;通过多种软件算法策略共同配合,最终提高终端的抗辐照能力,从而保障卫星的正常工作。(4)本文针对航天设备功能集约化、应用广泛化的发展需求,设计了抗辐照小型化软件无线电平台,达到终端的多功能集成目的,大幅度改善空间适应能力。最终研制出原理样机并进行系统测试,该抗辐照小型化终端在宇宙空间环境中能够实现大多普勒频偏条件下的信号快速准确捕获,满足卫星正常通信传输要求,达到设计目的。(本文来源于《鲁东大学》期刊2018-06-01）
胡春艳[9]（2018）在《抗辐照高速QDR SRAM关键技术研究》一文中研究指出QDR SRAM作为一种高速、高带宽的新型架构存储器,可以大幅提升通信系统的性能。独立设计并掌握高速抗辐照QDR SRAM核心技术对我国存储器领域的发展和通信系统的性能提高具有重要意义。本文基于SMIC 65nm工艺,针对QDR SRAM进行了高速架构设计和抗辐射加固等关键技术研究,提出一种基于顺序读写pipeline控制的四字突发架构,设计实现了一个容量为32Mbit的四字突发架构QDR II+SRAM电路,电路仿真结果表明最高工作频率500MHz,满足高速设计要求。并创造性地提出了一种抗单粒子多节点翻转的RH-12T存储单元结构,其抗单粒子性能优于同等设计条件下的DICE加固单元,为电路抗辐射性能提供更优的存储单元方案。具体研究内容如下:(1)分析四字突发架构QDR II+SRAM的读写操作时序,构想并对比分析顺序读写Pipeline和并发读写pipeline两种QDR II+SRAM四字突发架构,从延时约束和电路设计复杂程度出发,选取顺序读写pipeline四字突发架构作为本论文的架构实现方式。设计实现了32Mbit QDR II+SRAM顺序读写pipeline的四字突发整体架构,根据读写等待周期要求设计合理的读写时序分配方案。(2)设计了本文所提出的QDR II+SRAM四字突发架构中的关键控制电路模块,可实现同步读写指令处理、读写地址独立采样、字节写选择控制及DDR数据传输等功能。提出了一种读写控制电路,可实现QDR SRAM正确的读写切换功能,同时可识别异常的指令请求,避免QDR SRAM发生读写错误。结合DDR输入数据控制模块,突发数据字分字节写入IP,增加字节写选择信号进行片选,实现了写入数据的字节写选择控制功能。(3)提出一种抗单粒子多节点翻转的RH-12T存储单元结构,采用单向敏感节点岛型存储技术,存储节点仅与NMOS相连,保证节点存“0”时是非敏感节点,不受高能粒子影响;同时电路中至少存在两个节点在单节点翻转时不受影响,通过反馈电路恢复单元状态,单元具有单节点翻转免疫能力。采用敏感节点远置技术和SET缩减原理进行了单元版图设计,并建立单元的叁维物理模型进行单粒子翻转仿真验证,证明了RH-12T单元的LET翻转阈值是通用DICE加固结构的2.8倍。(本文来源于《中国航天科技集团公司第一研究院》期刊2018-03-01）
何彩霞,夏开华,王巍,韩学涛,梁富[10]（2018）在《基于抗辐照xxMHz芯片仿真验证技术研究》一文中研究指出本文设计了基于抗辐照xxMHz芯片全套仿真验证流程,包括FPGA代码验证、芯片板级验证和抗辐照试验验证。首先重点介绍了FPGA代码验证,从验证在现代IC流程中的重要地位开始,到验证的基本方法,仿真验证平台的搭建,FPGA后端验证,提炼了高效通用的仿真验证平台的搭建。其次简单介绍了芯片板级验证。最后简单介绍了抗辐照试验验证。(本文来源于《数字技术与应用》期刊2018年02期）
抗辐照技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
直接数字频率合成器(DDS)作为关键器件被广泛应用在航空航天领域中。芯片在广阔的宇宙空间中易受到高能辐射粒子的影响,其中单粒子翻转(SEU)效应是一种十分常见的辐射效应,将导致电路功能异常甚至失效,这就要求DDS芯片能有非常强的抗辐照性能。提出一种基于叁模冗余结构并具有自纠错功能的寄存器,将其应用在DDS的电路设计中,并将芯片的数字电路部分插入叁模冗余结构,利用冗余结构去除掉故障电路对整个DDS芯片功能的影响,使得DDS芯片的抗辐照能力得到有效提升。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
抗辐照技术论文参考文献
[1].王琼,丁洁,党丽芳.基于专利视角的空间站设备抗辐照加固技术发展分析[J].军民两用技术与产品.2019
[2].杨阳,陶建中,万书芹,邱丹.基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现[J].电子与封装.2019
[3].雷一博.功率集成电路中抗辐照技术研究与设计[D].电子科技大学.2019
[4].李铁虎.深亚微米和纳米级集成电路的辐照效应及抗辐照加固技术[D].西安电子科技大学.2018
[5]..抗辐照应用技术创新中心:创新是最大的动力[J].军工文化.2018
[6].隋丽.扬帆起航创抗辐照应用技术新天地[J].军工文化.2018
[7]..国家级抗辐照应用技术创新中心落户我院[J].中国原子能科学研究院年报.2017
[8].庄昊.基于软件无线电平台的抗辐照测控数传终端技术研究[D].鲁东大学.2018
[9].胡春艳.抗辐照高速QDRSRAM关键技术研究[D].中国航天科技集团公司第一研究院.2018
[10].何彩霞,夏开华,王巍,韩学涛,梁富.基于抗辐照xxMHz芯片仿真验证技术研究[J].数字技术与应用.2018
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