双层石墨烯的化学气相沉积制备研究综述

论文摘要

石墨烯具有很多优异的性质,是非常理想的硅晶体替代材料,有可能彻底改变现在人们的生活,引发新一轮的科技革命。但是单层石墨烯是一种零带隙的半金属,在半导体电子器件方面受到很大局限性。AB堆垛双层石墨烯的带隙可由外部垂直电场打开,既可用于半导体电子器件领域,又可以大大降低薄膜电阻,用于透明导电薄膜。尽管石墨烯制备方法很多,但受限于成本、质量、规模化等,化学气相沉积法是制备大面积、高质量双层石墨烯最主要的手段。综述了利用化学气相沉积法制备双层石墨烯的一系列工作,首先介绍单双层石墨烯的生长机理,主要根据催化剂类型对镍、铜、铜镍合金上石墨烯形核和生长作出解释;然后从碳源、生长氛围、催化剂、基底结构等对双层石墨烯的均匀性、晶畴尺寸和堆垛形式等方面进行分析;最后,总结以上化学气相沉积法制备双层石墨烯的工作,并对该领域的发展进行展望。

论文目录

• 1 石墨烯的生长机理
•   1.1 镍上石墨烯的生长机理
•   1.2 铜上石墨烯的生长机理
•   1.3 铜镍合金上石墨烯的生长机理
• 2 双层石墨烯的生长
•   2.1 镍催化剂上双层石墨烯的生长
•   2.2 铜催化剂上双层石墨烯的生长
•   2.3 铜镍催化剂上双层石墨烯的生长
• 3 结论与展望

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 张学薇,邹振兴,赵沛,王宏涛

关键词: 双层石墨烯,化学气相沉积,生长机理,拉曼光谱,催化剂,堆垛形式

来源: 表面技术 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 浙江大学应用力学研究所,浙江大学交叉力学中心

基金: 国家重大科研仪器研制项目(61427901),国家自然科学基金面上项目(11872330)~~

分类号: TQ127.11

DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.06.001

页码: 1-19+97

总页数: 20

文件大小: 4959K

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