导读:本文包含了有源层论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜晶体管,溶液,温度,分子,异质,太阳能电池,正弦。
有源层论文文献综述
陈知新,林金阳[1]（2019）在《有机-无机钙钛矿作为有源层的薄膜晶体管制备》一文中研究指出利用有机-无机杂化钙钛矿材料兼有机材料的易加工性和无机半导体优异的载流子迁移率的特点,采用有机-无机杂化MAPbI_3材料制备薄膜晶体管的有源层。利用两步旋涂法,通过控制MAI溶液的浓度定量化控制成膜,制备薄膜晶体管有源层。由该层组成的有机-无机杂化MAPbI_3钙钛矿型的薄膜晶体管具有明显的电场效应,场效应迁移率可达到0.97 cm~2/(V·s),工艺简单、加工温度低,而且适用于柔性显示。(本文来源于《福建工程学院学报》期刊2019年04期）
王晔[2]（2019）在《InZnO基双有源层TFT的研制》一文中研究指出近年来,金属氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为TFT-LCD和AMOLED的半导体开关,以其较高的迁移率,大面积均匀性,可见光范围内透光率高得到了越来越多的关注。研究者们对InZnO(IZO)基TFT进行了广泛的研究,其中IZO:N TFT和IZO:Li TFT的迁移率可分别高达39.3 cm2V-1S-1和80.4 cm2V-1s·-1,但它们的退火温度都高达950°C。过高的退火温度使得制备成本太高不利于工业生产。为了降低制备IZO基TFT的退火温度,我们尝试制备IZO基双有源层TFT。与探寻新有源层材料相比,改变TFT的有源层结构是一种具有战略意义和实用价值的方法。主要研究工作如下:1、在氧气气氛中退火温度为120℃的条件下,用磁控溅射的方法制备了双有源层IZO:Li/InZnSnO(IZTO)TFT,分别研究了双有源层结构中靠近栅绝缘层的下层IZO:Li薄膜厚度和靠近源漏铝电极的上层IZTO薄膜厚度对IZO:Li/IZTO TFT电学性能的影响。2、用磁控溅射的方法制备了 IZO:N/IZTO TFT。首先,在退火气氛为氧气的条件下,研究了退火温度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。其次,在退火温度固定为325℃的条件下,研究了分别在氧气、氮气、空气气氛中退火对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的结晶状态进行了表征,并分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的透光性能进行研究。3、在氧气气氛中退火温度为325°C的条件下,研究了 IZO:N薄膜厚度和IZTO薄膜厚度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。作为对照,研究了在相同退火条件下单有源层IZO:N TFT和IZTO TFT的电学性能。采用扫描电镜(SEM)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的表面形貌进行了研究。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-06-03）
李俊杰[3]（2019）在《双有源层异质结构a-IZO/IGZO TFT的模拟与优化》一文中研究指出目前,显示技术的突飞猛进,传统的材料如非晶硅由于其透光性差,迁移率低等问题已无法满足人们对显示的高需求。寻找可代替非晶硅的新材料成为研究人员发展显示技术的新方向,其中非晶铟镓锌氧化物(amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZ O)材料就是显示技术领域发展的新产物。与传统的非晶硅相比,非晶氧化铟镓锌具有迁移率、均匀性好、在可见光范围内有高透光率、在柔性衬底上可以利用低温工艺进行大面积制备等特点,这些优势使得a-IGZO薄膜晶体管(TFT)在传感器、柔性电子器件、以及高分辨率平板显示器方面有着广泛应用其前景。但是由于a-IGZO材料由于稳定性不高无法投入到大规模的生产和应用当中,为了解决这一问题,研究学者提出了双有源层结构的非晶氧化物a-IZO/IGZO TFT。本文在此基础上,考虑到a-IZO和a-IGZO导电类型相同,都为n型,并且具有不同的电子亲和势和带隙,接触后会形成同型异质结构,利用仿真软件SILVACO TCAD对双有源层异质结构a-IZO/IGZO的性能进行了仿真和优化。论文主要工作分为叁个部分。首先是对非晶氧化物薄膜晶体管的光学特性、电学特性进行分析,同时介绍了a-IGZO TFT的导电机制和器件仿真的仿真环境。其次,通过SILVACO软件当中的ATLAS仿真模块建立异质结构a-IZO/IGZO TFT的器件模型和态密度模型,并对不同有源层厚度比下的器件特性进行仿真对比,通过改变氧空位态密度模型参数研究氧空位态密度峰值、标准差以及平均能量对器件电学性能的影响,仿真发现当有源层厚度比a-IZO:a-IGZO=20:20时器件性能达到最优,前沟道a-IZO氧空位态参数的改变对器件几乎没有影响,而背沟道a-IGZO氧空位态参数是影响器件特性的关键。最后,考虑到有源层异质结界面态会对器件产生影响,而这一点很少有研究学者进行讨论,所以通过建立界面态模型,将其加入到器件模型当中,对比研究有无界面态情况下a-IZO/IGZO TFT的具体变化,以及界面态密度参数的改变对器件特性的影响。通过仿真发现界面态的存在会使阈值电压和亚阈值摆幅增大,降低器件的性能,在a-IZO厚度为5 nm时对器件的影响最大,界面态密度参数中的界面受主尾态密度和特征斜率的改变会影响到器件的电学特性。(本文来源于《江南大学》期刊2019-06-01）
魏靖林[4]（2019）在《用于薄膜晶体管的迭层介质层和有源层溶液加工方法的研究》一文中研究指出溶液法制备工艺因其低成本和操作简单等特点,近年来被广泛应用于金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT)的制备。本文以旋涂法制备的介质层和有源层为研究对象,通过采用迭层结构的方式来解决传统金属氧化物介质层和有源层所面临的问题,进而实现高性能的迭层介质层和有源层。本文首先探究了迭层金属氧化物介质层的制备工艺。通过采用控制变量法,探索出了薄膜各项参数随退火温度和溶液浓度的变化规律,实现了旋涂法制备的性能可调的Al_2O_3/ZrO_2迭层介质层。研究发现,当Al_2O_3的含量超过50%时,迭层介质层的各项性能趋于相对稳定的状态,不会随各组分含量的变化产生较大的波动;当Al_2O_3含量低于50%时,随着ZrO_2的含量从50%变化至100%,迭层介质层的光学禁带宽度、介电强度、电容密度以及介电常数的变化量分别达到了0.482 eV、2.12 MV cm~(-1)、135.35 nF cm~(-2)、11.64,介质层的性能具有很大的调控空间。与此同时,还发现增加迭层数量可以有效阻断薄膜中的晶界,进而提高介质层的介电强度。基于上述迭层介质层的制备方法,接下来进行了迭层有源层的研究。鉴于溶液法与真空法的区别,本文提出了一种In_2O_3/In_xM_yO_z结构的迭层有源层。通过对不同绝缘材料的尝试,最终探索出了性能较为理想的In_2O_3/In_xAl_yO_z-TFT。经过优化,其阈值电压为2.69 V,开关电流比为6.54×10~7,亚阈值摆幅为0.4V dec~(-1),载流子迁移率为1.37 cm~2V~(-1) s~(-1)。同时,其相对于In_2O_3-TFT具有更好的正偏压稳定性,其在PBS测试中阈值电压的正漂移量仅为2 V,相对于In_2O_3-TFT的20 V具有明显的改善,但负偏压稳定性的改善并不明显。之后尝试通过构建In_2O_3/In_xAl_yO_z/Al_2O_3结构的有源层,通过背沟道Al_2O_3进一步抑制In_2O_3中类施主杂质产生的电子,但结果不是很理想,还需在后续实验中不断完善。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-09）
杨祥,徐兵,周畅,张建华,李喜峰[5]（2019）在《退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响》一文中研究指出通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显着降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。(本文来源于《发光学报》期刊2019年02期）
相春平,袁占生,刘璟,金玉[6]（2018）在《表面等离子激元与F-P共振耦合平衡钙钛矿太阳能电池有源层内载流子产生速率》一文中研究指出为提高有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池(PSCs)光吸收效率、平衡有源层中载流子产生速率,将周期性纳米光栅结构引入到PSCs器件结构中。分析了光栅周期、光栅高度和有源层厚度对表面等离子激元(SPPs)与法布里-珀罗(F-P)共振耦合模式的影响。通过改变光栅周期,实现了SPPs与F-P共振耦合波长范围与钙钛矿材料的弱吸收光谱区域相重合,同时光栅高度的增加可以增大耦合模式的光谱宽度。SPPs与F-P共振耦合模式实现了金属电极与电子传输层(ETL)界面处的局域电场增强。结果表明:场增强效应扩展到有源区,有效提高了PSCs有源层远入射光侧在570～800 nm波长范围内的光吸收,进而提高了有源层远入射光区域的载流子产生速率。当光栅周期为250 nm、光栅高度为50 nm、源层厚度为300 nm时,PSCs在太阳光弱吸收光谱区域内的本征吸收提高了～12%,有源层远入射光侧载流子产生速率提高了～41%。(本文来源于《发光学报》期刊2018年12期）
王琪[7]（2018）在《退火对双有源层TFT性能的影响》一文中研究指出本文针对氧化物薄膜晶体管在工业应用过程中的退火温度较高、性能不足等问题,提出了双有源层氧化物薄膜晶体管的解决方案。在液晶显示、平板显示行业起到有效的指导作用。如本课题在工业中得到实现,将有效提高我国平板显示领域的生产力与竞争力,为我国的平板显示事业做出突出贡献。(本文来源于《中国科技信息》期刊2018年12期）
王琪[8]（2018）在《IZO：Li/ZTO：Li双有源层薄膜晶体管的研制》一文中研究指出随着氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)被广泛应用于平板显示领域,越来越多的材料已被证明是良好的有源层材料,如IGZO,ZTO,IZO等。随着现代显示技术的发展与进步,人们也对TFT器件性能提出了更高的要求,传统的单层TFT由于迁移率较低、缺陷态较多、退火温度较高等限制,已逐渐难以满足工业应用的要求。仅通过改变有源层材料,已难以从根本上解决TFT器件的性能问题。针对以上问题,本文利用射频磁控溅射技术制备了 IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT,并通过优化制备条件,成功提高了双有源层器件的性能。本文主要研究工作如下:一、研究了不同的退火温度对IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT器件性能的影响。不同的退火温度对于薄膜的电阻率等性质有较大影响,因此将极大的影响器件性能。当退火温度为400 ℃时,器件的最佳性能为迁移率达到26.2 cm2/Vs,阈值电压为4.3V,开关比为1.3×107;二、研究了在相同的退火温度下,不同有源层厚度的IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT器件的性能。作为对比,本文也研究了在相同的退火温度下,IZO:Li及ZTO:Li TFT器件的性能。当IZO:Li薄膜厚度为13nm,ZTO:Li薄膜厚度为38nm时,双有源层器件的性能最佳,其迁移率为33.2 cm2/Vs,阈值电压为2.4 V,开关比为2.4×108,皆优于对应温度下的单有源层器件性能;叁、研究了磁控溅射过程中氩氧比的变化对器件性能的影响。不同的氩氧比将导致有源层薄膜中弱成键氧等缺陷的变化,从而显着影响器件性能。研究表明,当氩氧比为30:0时器件的性能最优,此时器件的迁移率为39.4 cm2/Vs,阈值电压为-0.2V,开关比为 5.6×107。(本文来源于《北京交通大学》期刊2018-06-02）
潘东[9]（2018）在《IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究》一文中研究指出随着平板显示技术的发展,高性能显示器的制造正在面临着挑战。传统的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)技术已经不能够满足人们的这一需求。为了解决这一问题,开发新型材料代替a-Si的工作一直从未停过,例如有机材料或者透明氧化物材料目前已经被广泛开发应用。其中,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)材料最有可能代替a-Si。主要由于a-IGZO薄膜具有许多优良的特性,例如高光透明度、高电子迁移率。并且可以在柔性衬底上利用低温工艺进行大面积制备。因此,a-IGZO TFT在高分辨率显示器、传感器、以及柔性电子器件方面有着巨大的潜在价值。为了提高a-IGZO TFT器件的特性,许多研究学者对双有源层结构的TFT进行了较为深入的研究。值得注意的是双有源层可能会形成异质结构,但却鲜有相关报道和讨论。本论文主要是在考虑了a-IGZO和非晶铟锌氧化物(a-IZO)具有不同带隙和电子亲和势的条件下,利用SILVACO TCAD软件中的ATLAS模块,对底栅顶接触的双有源层a-IGZO/IZO TFT的性能进行了仿真与模拟。研究内容主要包括如下几个方面。1、异质结构下,模拟研究了双有源层a-IGZO/IZO TFT厚度比对其特性的影响。仿真结果表明,a-IGZO/IZO TFT的特性与有源层厚度比以及异质结密切相关,改变厚度比可以调节器件的阈值电压、亚阈值摆幅以及最大电流开关比。当双有源层厚度比为20:20时,器件的性能达到最优。2、在前面的工作下,进一步模拟研究了有源层厚度对a-IGZO/IZO TFT器件特性的影响。具体包括:1)双有源层a-IGZO/IZO总厚度变化对TFT器件特性的影响;2)a-IZO厚度不变,a-IGZO厚度变化对TFT器件特性的影响;3)a-IGZO厚度不变,a-IZO厚度变化对TFT器件特性的影响。仿真结果表明,双有源层的总厚度不宜超过50 nm,a-IZO厚度的变化相比较于a-IGZO厚度变化更能够影响TFT器件的性能。3、进一步研究分析了对于N型a-IGZO/IZO TFT,在a-IGZO、a-IZO材料的态密度模型建立过程中,考虑价带尾深施主态对其性能的影响。仿真结果表明,价带尾深施主态对a-IGZO/IZO TFT器件的电学特性有着显着影响。本论文开展a-IGZO/IZO双有源层TFT的模型与仿真研究工作具有重要的应用价值和意义,对a-IGZO/IZO TFT在未来的研究中具有一定的参考价值。(本文来源于《江南大学》期刊2018-06-01）
韩杰[10]（2018）在《非富勒烯有机太阳能电池有源层凝聚态结构调控》一文中研究指出非富勒烯有机太阳能电池在光吸收、能级优化和价格等方面具有明显优势,成为该领域研究的重点。为进一步研究适合其活性层形貌的相关调控方法、理论和有源层结构,本论文从分子间相互作用的角度出发,通过调控溶液状态、成膜动力学及采用后处理等方式实现对共混薄膜给受体分子结晶度、结晶取向、相分离结构和相区尺寸的优化,最终实现器件性能的显着提高。采用DRCN5T/ITIC-TH体系热退火处理构建互穿网络结构,加入聚合物N2200作为成核剂,通过异相成核调控分子取向和相分离尺寸,器件性能从0.02%提高到4.65%。采用溶剂添加剂CN和热溶液旋涂改变BDTT-S-TR/ITIC共混溶液的溶液状态和成膜动力学,完成平衡给受体分子结晶性,构建较小尺寸互穿网络结构的目标,器件性能达到3.59%。(本文来源于《长春理工大学》期刊2018-04-01）
有源层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,金属氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为TFT-LCD和AMOLED的半导体开关,以其较高的迁移率,大面积均匀性,可见光范围内透光率高得到了越来越多的关注。研究者们对InZnO(IZO)基TFT进行了广泛的研究,其中IZO:N TFT和IZO:Li TFT的迁移率可分别高达39.3 cm2V-1S-1和80.4 cm2V-1s·-1,但它们的退火温度都高达950°C。过高的退火温度使得制备成本太高不利于工业生产。为了降低制备IZO基TFT的退火温度,我们尝试制备IZO基双有源层TFT。与探寻新有源层材料相比,改变TFT的有源层结构是一种具有战略意义和实用价值的方法。主要研究工作如下:1、在氧气气氛中退火温度为120℃的条件下,用磁控溅射的方法制备了双有源层IZO:Li/InZnSnO(IZTO)TFT,分别研究了双有源层结构中靠近栅绝缘层的下层IZO:Li薄膜厚度和靠近源漏铝电极的上层IZTO薄膜厚度对IZO:Li/IZTO TFT电学性能的影响。2、用磁控溅射的方法制备了 IZO:N/IZTO TFT。首先,在退火气氛为氧气的条件下,研究了退火温度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。其次,在退火温度固定为325℃的条件下,研究了分别在氧气、氮气、空气气氛中退火对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的结晶状态进行了表征,并分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的透光性能进行研究。3、在氧气气氛中退火温度为325°C的条件下,研究了 IZO:N薄膜厚度和IZTO薄膜厚度对IZO:N/IZTO TFT电学性能的影响。作为对照,研究了在相同退火条件下单有源层IZO:N TFT和IZTO TFT的电学性能。采用扫描电镜(SEM)分别对IZO:N薄膜和IZTO薄膜的表面形貌进行了研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有源层论文参考文献
[1].陈知新,林金阳.有机-无机钙钛矿作为有源层的薄膜晶体管制备[J].福建工程学院学报.2019
[2].王晔.InZnO基双有源层TFT的研制[D].北京交通大学.2019
[3].李俊杰.双有源层异质结构a-IZO/IGZOTFT的模拟与优化[D].江南大学.2019
[4].魏靖林.用于薄膜晶体管的迭层介质层和有源层溶液加工方法的研究[D].华南理工大学.2019
[5].杨祥,徐兵,周畅,张建华,李喜峰.退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响[J].发光学报.2019
[6].相春平,袁占生,刘璟,金玉.表面等离子激元与F-P共振耦合平衡钙钛矿太阳能电池有源层内载流子产生速率[J].发光学报.2018
[7].王琪.退火对双有源层TFT性能的影响[J].中国科技信息.2018
[8].王琪.IZO：Li/ZTO：Li双有源层薄膜晶体管的研制[D].北京交通大学.2018
[9].潘东.IGZO/IZO双有源层薄膜晶体管特性的模拟研究[D].江南大学.2018
[10].韩杰.非富勒烯有机太阳能电池有源层凝聚态结构调控[D].长春理工大学.2018
论文知识图
