导读:本文包含了高能电子辐照论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子,电学,性能,结晶,丁烯,电子束,电阻率。
高能电子辐照论文文献综述
郑汉生,韩建伟,张振龙[1]（2017）在《高能电子辐照下聚合物介质深层放电实验研究》一文中研究指出为揭示聚合物介质材料在连续能谱高能电子辐射下的深层放电规律特征,利用~(90)Sr放射源对聚四氟乙烯(PTFE)材料进行了不同条件的辐照实验。对采集的大量放电数据进行统计分析发现,电子辐照累积时间、入射电子通量以及温度都会影响介质的放电风险以及放电脉冲特征。高能电子对样品持续数天的累积辐照会降低介质自发放电的阈值条件,辐照后期放电更加频繁,但放电强度会减弱。入射电子通量越低时,放电风险越小;通量越高时,放电频率越高,高强度放电事件的发生概率也越大。温度主要通过影响介质的电导率而影响其深层放电特性,温度下降时介质本征电导率降低,充电电位和放电风险增加;一旦发生放电,放电电流脉冲的平均幅度也更大。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2017年03期）
张延清[2]（2017）在《倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理》一文中研究指出倒置生长赝形四结(IMM4J)太阳电池基于光谱匹配的设计原则采用了倒置外延生长晶格失配工艺手段,有效的减少了空间用晶格匹配正向生长叁结电池各个子电池间光电流失配产生的能量损失,显着提高了光电转换效率,成为目前空间高效多结太阳电池的主要研究方向。本文充分利用电池光特性、暗特性、光谱响应(EQE)、荧光光谱(PL)等分析手段,对天津18所和上海811所研制的IMM4J、IMM3J及其子电池的1MeV电子辐照损伤规律进行系统研究,深入分析其辐照损伤效应与损伤机理,以及辐照后电性能的退火恢复效应,为空间太阳电池的选材、带隙调整、工艺优化及在轨可靠服役提供技术支持和改进方向。研究结果表明,1MeV电子辐照后两种新型InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)电池的电学性能(P=I_(sc)/V_(oc)/P_(max))均遵循P=1-cplog(1+φ/φ0)的退化规律,并确定了不同子电池的特征退化参数,其中InGaAs(1.0eV)子电池的I_(sc)退化率c_(I_(sc))最大,而InGaAs(0.7eV)子电池的V_(oc)退化率c_(Voc)最大。为说明退化机理,首先建立了在小注入条件下PL信号强度的变化ΔI_(PL)与有效载流子寿命的变化Δτ_(eff)的等效模型,揭示出辐照后InGaAs(1.0eV)子电池teff的退化幅度更大是导致其I_(sc)退化更快的根本原因。同时,基于太阳电池短路电流的分区少子收集模型,揭示出辐照深能级缺陷引入及少子扩散长度损伤是电池短路电流退化的根本原因,并确定了1MeV电子辐照下InGaAs(1.0eV)、InGaAs(0.7eV)和GaAs电池的少子扩散长度损伤系数K_L分别为4.68×10~(-7)、1.57×10~(-7)和2.67×10~(-7),缺陷引入率K_φ分别为1.85×10~(-12)cm、1.02×10~(-12)cm和1.19×10~(-12)cm,定量表明了InGaAs(1.0eV)辐照损伤退化行为更为显着。基于PN结内建电压特征,阐明开路电压辐照退化与结区及近结区的多数载流子去除直接相关,建立了退化模型,由此确定了1MeV电子辐照下InGaAs(1.0eV)、InGaAs(0.7eV)子电池的多子去除率αn为4.42×10-15cm~2、4.35×10-16cm~2。论文还通过研究辐照后两种InGaAs子电池暗特性,揭示了电池串联电阻、并联电阻和暗电流退化规律及其与光特性参数的关系。1MeV电子辐照IMM3J和IMM4J电池结果表明,光谱匹配的IMM系列多结电池与晶格匹配的正向电池类似,其电学性能仍然遵循P=1-cplog(1+φ/φ0)的退化模型。IMM3J电池I_(sc)的退化速率与InGaAs(1.0eV)子电池的结果一致,表明InGaAs(1.0eV)子电池抗辐照性能较差,是其I_(sc)退化的控制子电池;IMM4J电池I_(sc)的退化速率与InGaAs(0.7eV)子电池的结果一致,表明InGaAs(0.7eV)子电池是IMM4J电池I_(sc)退化的控制子电池。针对所研究的IMM4J电池,基于光谱响应分析发现外延工艺及结构因素是InGaAs(0.7eV)子电池的光电流绝对值过低的主要原因,提出了通过调整组成子电池的禁带宽度、增加背场反射层和布拉格反射器以及减小外延缺陷的优化方向。从辐射稳定性看,IMM4J电池中InGaAs(1.0eV)子电池抗辐照能力最差,提出了根据辐照条件调整带隙分配、降低工艺原生缺陷等方法进一步优化性能途径。1MeV电子辐照后InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池退火效应研究,获得了在60~180℃区间两种InGaAs子电池随退火时间、退火温度的恢复规律,并建立I_(sc)与辐照缺陷变化规律的等效模型,确定了试验温度范围内InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池的1MeV电子辐照缺陷退火激活能分别为0.58eV和0.30eV。IMM4J电池辐照后退火效应的研究表明,I_(sc)恢复规律与限流子电池InGaAs(0.7eV)一致;Voc恢复程度小于单结InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池,GaInP和GaAs子电池在此温度区间内的退火效应弱于InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
冯展祖,王俊,杨生胜,田海,把得东[3]（2017）在《空间高能电子辐照对氟橡胶性能的影响》一文中研究指出本文研究了相同电子能量、不同剂量率的辐照对氟橡胶(Fluorine Rubber,FPM)电阻率特性和力学性能的影响。电子能量是2MeV,剂量率分别是1.5×10~5rad(Si)/h,1.5×10~6rad(Si)/h,1.5×10~7rad(Si)/h。结果表明:FPM的电阻率呈下降趋势,并且辐照剂量越大电阻率下降得越快;FPM的拉伸强度先变大,而后随着辐照剂量的增加拉伸强度又持续变小;FPM的断裂伸长率随着辐照剂量的增加而降低,与辐照剂量率没有关系。该研究获得的试验数据,对航天器设计过程中材料的选择和使用都具有实际的指导意义。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2017年02期）
郑汉生,杨涛,韩建伟,张振龙,刘继奎[4]（2017）在《高能电子辐照下介质-导体相间结构深层充电特性研究》一文中研究指出为研究影响介质-导体相间结构深层充电特性的内在因素,设计了不同构型的试验样品,利用90Sr放射源模拟空间高能电子环境对样品进行深层充电辐照试验,测量了充电电位的差异。并借助深层充电叁维仿真软件计算介质-导体相间结构在不同几何构型情况下的深层充电电位、电场分布。试验和仿真结果表明,介质最高表面电位以及介质内部最大电场均与介质宽度和高度呈正相关。其他条件不变时,介质越宽,或越高于导体表面,发生放电的风险就越高。在介质与导体侧面存在微小缝隙情况下,介质内最大电场显着增强,易发生内部击穿。而在介质与导体之间的真空间隙内,电场很容易超过击穿阈值,放电风险很大。航天工程应用中为降低此种结构深层充放电的风险,在满足绝缘性能及其他要求的前提下应尽量减小介质的宽度,降低介质与导体间的高度差,并确保介质与导体侧面接触良好。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2017年02期）
刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠[5]（2016）在《GaN基LED高能电子束流辐照效应研究》一文中研究指出使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显着影响。(本文来源于《核技术》期刊2016年12期）
蔡晓倩[6]（2016）在《LDPE共混和高能电子辐照对iP-1-B结晶结构及转变的影响》一文中研究指出全同聚1-丁烯(iP-1-B)由于具有良好的机械性能、突出的耐环境应力开裂性和耐热性等,在工业生产中具有很好的应用前景,但因其常压下熔融结晶生成不稳定中间相晶型II,室温静置需7-10天完成向热力学稳定的晶型I的转变,影响材料的加工应用。本文采用熔融共混法制备了i P-1-B/(低密度聚乙烯)LDPE,用高能电子对样品进行不同剂量的辐照,得到辐照共混样品,研究LDPE的添加和高能电子辐照对iP-1-B结晶结构转变的影响,同时对转变机理进行探讨。实验利用剪切热台、偏光显微镜(POM)、X射线衍射仪(XRD)、DSC以及广角X射线散射(WAXS)等研究了不同辐照剂量的iP-1-B/LDPE的结晶行为和iP-1-B的熔体记忆效应,主要结果显示:(1)LDPE加入iP-1-B形成典型的两相结构,其中LDPE对iP-1-B熔体结晶形成晶型II有促进作用,可增加成核密度,使球晶尺寸变得细化,同时在不同温度区间表现出对晶型II结晶生长速率的促进和抑制作用,但对结晶形成II晶向I晶的转变无明显促进作用;(2)高能电子辐照可促使iP-1-B的II-I转变明显加快,辐照可促进iP-1-B/LDPE在II-I转变中期(40h)转变加快,辐照或改善了共混物中两相间的相容性;(3)对iP-1-B消除热历史后,再升温至II晶刚好全部熔融的125°C,降温后有I′晶直接从熔体中生成,反复循环此加热过程可观察到晶型I′的增加和晶型II的减少,存在熔体记忆,对晶型I未完全熔融的i P-1-B,晶型I的存在促进晶型I′的形成,最终体系中只有晶型I′。(本文来源于《天津大学》期刊2016-12-01）
刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠[7]（2016）在《GaN基LED高能电子束流辐照效应研究》一文中研究指出文中对高能电子辐照对GaN基蓝光LED光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明:高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化趋势不同,光谱峰值波长的蓝移情况也不同。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显着影响。(本文来源于《第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集》期刊2016-07-12）
王毅,蔡宇宏,李正清,李小金,何丹[8]（2016）在《高能电子辐照对黑色聚酰亚胺薄膜结构的影响》一文中研究指出借助双束加速器对黑色聚酰亚胺薄膜进行了高能电子辐照实验。分别通过SEM、ATR-FTIR及XPS考察了辐照前后黑色聚酰亚胺薄膜表面的形貌变化、表面化学结构与成分变化。结果表明,通过SEM观察发现,电子辐照后,黑色聚酰亚胺薄膜的表面变得更加粗糙。这可能是由于高能电子使PI/C表面上的弱键分解,从而改变了材料表面的结构,导致材料表面粗糙度增大。通过红外光谱分析发现,电子辐照后,PI/C表面大部分基团的吸收峰强度有所降低。这表明电子辐照使PI/C表面发生了复杂而显着的化学反应。其中黑色聚酰亚胺薄膜的吸收峰强度显着降低,表明材料在电子辐照过程中发生了开环反应。通过XPS分析发现,PI/C中的含氮量及含氧量显着降低,样品表层发生了脱氮及脱氧反应,也佐证了红外光谱表征中电子辐照可使黑色聚酰亚胺薄膜发生开环反应的结论。(本文来源于《真空与低温》期刊2016年02期）
刘伟,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇[9]（2016）在《高能电子辐照和退火对磷锗锌晶体红外光学性质的影响》一文中研究指出对采用改进的垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体样品,在300 K,10 MeV高能电子束下进行辐照实验,测试辐照前后其红外透过率。同时,对样品进行同成分粉末包裹退火处理,对比两种工艺对磷锗锌晶体红外透过率的影响。实验结果表明,退火和高能电子辐照都能对磷锗锌晶体的红外光学性质产生影响,提高其红外透过率。在本文的实验条件下,退火工艺对磷锗锌晶体红外透过率的提高更为明显。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年02期）
周慧娟,叶正文,施春晖,骆军[10]（2015）在《高能电子辐照对猕猴桃保鲜效果的影响》一文中研究指出为探讨高能电子束对猕猴桃贮藏品质及生理生化的影响,以‘红阳’猕猴桃为试材,采用250、500、1000、1500 Gy等不同剂量高能电子束辐照猕猴桃,置于温度为(1±1)℃、湿度85%~90%冷库中贮藏,研究不同剂量高能电子束辐照对猕猴桃保鲜效果的影响。结果表明,500~1000 Gy电子束辐照剂量为猕猴桃保鲜的适宜使用范围,结合冷藏温度为(1±0.5)℃、相对湿度为80%~90%贮藏技术,可显着降低果实的呼吸强度,显着抑制果实硬度、可溶性固形物、可滴定酸及Vc含量的下降;对果皮及果肉叶绿素的降解有较强的抑制作用,减缓了贮藏期间果肉的褐变,较好地保持了膜完整性,有效地控制了猕猴桃采后的软化衰老进程,减少了其贮藏期间的腐烂变质,保持了果实鲜艳的外观色彩和果肉色泽。其中辐照剂量为500 Gy的电子束辐照处理结合低温贮藏,可使猕猴桃的安全保鲜期由原来的30天(腐烂率低于10%)延长至80天(腐烂率为0),Vc含量可达129.62 mg/100 g。1500 Gy的电子束辐照剂量在一定程度上对果实造成了伤害,为猕猴桃辐照保鲜工艺的临界点。(本文来源于《中国农学通报》期刊2015年25期）
高能电子辐照论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
倒置生长赝形四结(IMM4J)太阳电池基于光谱匹配的设计原则采用了倒置外延生长晶格失配工艺手段,有效的减少了空间用晶格匹配正向生长叁结电池各个子电池间光电流失配产生的能量损失,显着提高了光电转换效率,成为目前空间高效多结太阳电池的主要研究方向。本文充分利用电池光特性、暗特性、光谱响应(EQE)、荧光光谱(PL)等分析手段,对天津18所和上海811所研制的IMM4J、IMM3J及其子电池的1MeV电子辐照损伤规律进行系统研究,深入分析其辐照损伤效应与损伤机理,以及辐照后电性能的退火恢复效应,为空间太阳电池的选材、带隙调整、工艺优化及在轨可靠服役提供技术支持和改进方向。研究结果表明,1MeV电子辐照后两种新型InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)电池的电学性能(P=I_(sc)/V_(oc)/P_(max))均遵循P=1-cplog(1+φ/φ0)的退化规律,并确定了不同子电池的特征退化参数,其中InGaAs(1.0eV)子电池的I_(sc)退化率c_(I_(sc))最大,而InGaAs(0.7eV)子电池的V_(oc)退化率c_(Voc)最大。为说明退化机理,首先建立了在小注入条件下PL信号强度的变化ΔI_(PL)与有效载流子寿命的变化Δτ_(eff)的等效模型,揭示出辐照后InGaAs(1.0eV)子电池teff的退化幅度更大是导致其I_(sc)退化更快的根本原因。同时,基于太阳电池短路电流的分区少子收集模型,揭示出辐照深能级缺陷引入及少子扩散长度损伤是电池短路电流退化的根本原因,并确定了1MeV电子辐照下InGaAs(1.0eV)、InGaAs(0.7eV)和GaAs电池的少子扩散长度损伤系数K_L分别为4.68×10~(-7)、1.57×10~(-7)和2.67×10~(-7),缺陷引入率K_φ分别为1.85×10~(-12)cm、1.02×10~(-12)cm和1.19×10~(-12)cm,定量表明了InGaAs(1.0eV)辐照损伤退化行为更为显着。基于PN结内建电压特征,阐明开路电压辐照退化与结区及近结区的多数载流子去除直接相关,建立了退化模型,由此确定了1MeV电子辐照下InGaAs(1.0eV)、InGaAs(0.7eV)子电池的多子去除率αn为4.42×10-15cm~2、4.35×10-16cm~2。论文还通过研究辐照后两种InGaAs子电池暗特性,揭示了电池串联电阻、并联电阻和暗电流退化规律及其与光特性参数的关系。1MeV电子辐照IMM3J和IMM4J电池结果表明,光谱匹配的IMM系列多结电池与晶格匹配的正向电池类似,其电学性能仍然遵循P=1-cplog(1+φ/φ0)的退化模型。IMM3J电池I_(sc)的退化速率与InGaAs(1.0eV)子电池的结果一致,表明InGaAs(1.0eV)子电池抗辐照性能较差,是其I_(sc)退化的控制子电池;IMM4J电池I_(sc)的退化速率与InGaAs(0.7eV)子电池的结果一致,表明InGaAs(0.7eV)子电池是IMM4J电池I_(sc)退化的控制子电池。针对所研究的IMM4J电池,基于光谱响应分析发现外延工艺及结构因素是InGaAs(0.7eV)子电池的光电流绝对值过低的主要原因,提出了通过调整组成子电池的禁带宽度、增加背场反射层和布拉格反射器以及减小外延缺陷的优化方向。从辐射稳定性看,IMM4J电池中InGaAs(1.0eV)子电池抗辐照能力最差,提出了根据辐照条件调整带隙分配、降低工艺原生缺陷等方法进一步优化性能途径。1MeV电子辐照后InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池退火效应研究,获得了在60~180℃区间两种InGaAs子电池随退火时间、退火温度的恢复规律,并建立I_(sc)与辐照缺陷变化规律的等效模型,确定了试验温度范围内InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池的1MeV电子辐照缺陷退火激活能分别为0.58eV和0.30eV。IMM4J电池辐照后退火效应的研究表明,I_(sc)恢复规律与限流子电池InGaAs(0.7eV)一致;Voc恢复程度小于单结InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池,GaInP和GaAs子电池在此温度区间内的退火效应弱于InGaAs(1.0eV)和InGaAs(0.7eV)子电池。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高能电子辐照论文参考文献
[1].郑汉生,韩建伟,张振龙.高能电子辐照下聚合物介质深层放电实验研究[J].航天器环境工程.2017
[2].张延清.倒置生长赝形四结太阳电池高能电子辐照损伤效应与机理[D].哈尔滨工业大学.2017
[3].冯展祖,王俊,杨生胜,田海,把得东.空间高能电子辐照对氟橡胶性能的影响[J].材料科学与工程学报.2017
[4].郑汉生,杨涛,韩建伟,张振龙,刘继奎.高能电子辐照下介质-导体相间结构深层充电特性研究[J].航天器环境工程.2017
[5].刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠.GaN基LED高能电子束流辐照效应研究[J].核技术.2016
[6].蔡晓倩.LDPE共混和高能电子辐照对iP-1-B结晶结构及转变的影响[D].天津大学.2016
[7].刘超,于莉媛,王志刚,钱森,夏经铠.GaN基LED高能电子束流辐照效应研究[C].第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2016
[8].王毅,蔡宇宏,李正清,李小金,何丹.高能电子辐照对黑色聚酰亚胺薄膜结构的影响[J].真空与低温.2016
[9].刘伟,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇.高能电子辐照和退火对磷锗锌晶体红外光学性质的影响[J].人工晶体学报.2016
[10].周慧娟,叶正文,施春晖,骆军.高能电子辐照对猕猴桃保鲜效果的影响[J].中国农学通报.2015
论文知识图
