导读:本文包含了非电子声子相互作用论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:相互作用,电子,量子,结合能,半导体,氮化物,晶态。
非电子声子相互作用论文文献综述
侯月霞[1]（2015）在《金属纳米线结构中的量子化声子模式及电子—声子相互作用》一文中研究指出纳米科技对电子学、光电子学、材料科学等不同领域有着革命性的影响。纳米结构材料因在力、热、光、电和磁等方面的特性,成为近几十年来研究的热点。目前已能制备各种金属纳米线结构材料,其在光电子器件和超声器件中具有重要的应用价值。晶格振动的能量量子称为声子,量子化的声子对纳米结构材料中的电子的输运和热传导起着决定性的作用,材料的很多物理性质受声子模式以及电子声子交互作用的影响,所以声子一直是凝聚态物理学和电子学领域的重要研究对象。本文主要研究了以氧化铝为模板制备的金属纳米线结构中的声学声子模式、电子子带能级结构、电子与声子间的相互作用以及声学声子激发谱。改变金属纳米线的半径、模板半径,研究不同量子数m、v下的声学声子模式的变化,电子与声子间的相互作用的强弱及声子模式的激发谱特征；改变系统温度,研究电子与声子间的相互作用强弱及声学声子模式的激发谱特征。利用柱形纳米线结构来描述以氧化铝为模板制备的金属铜纳米线。考虑器件结构中弹性声波对应的边界及连续性条件,求解弹性波波动方程,可以得到金属纳米线结构中的量子化声学声子模式。在此基础上,我们研究了金属纳米线结构中的电子-声子相互作用及声子激发谱。本文的研究内容对金属纳米线系统在高频超声器件中的应用有着重要的意义。通过系统的理论研究,我们得出了一下结论：(1)声子波矢较小时,金属纳米线结构中不存在声学声子模式。当声子波矢增大到一定数值时,金属纳米线结构中开始存在一系列不同的声学声子振动模式。(2)金属纳米线结构中的声子波矢和声子频率近似为线性关系,且声子频率随着声子波矢的增大而增大。(3)影响纳米线结构中的量子化声子模式的主要因素为金属纳米线半径r0,而纳米线模板半径不影响声子的色散关系。(4)金属纳米线结构中的电子与声子的交互作用主要受系统温度、纳米线半径ro、电子态和声子态的影响。(5)金属纳米线结构中的声学声子激发谱受系统温度和纳米线半径的影响。系统温度越高,通过电子-声子交互作用引起的声学声子的激发越强,金属纳米线的半径越小,声学声子的激发越强。(本文来源于《云南大学》期刊2015-05-01）
张国庆[2]（2014）在《纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中电子—声子相互作用对极化子能量的影响》一文中研究指出采用改进的Lee-Low-Pines (LLP)中间耦合方法研究了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱材料中的极化子能级。绘出了在纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中系统的基态能量、跃迁能量、电子-声子相互作用对基态能量的贡献随阱宽（d）和组分（x）的变化趋势图。计算中考虑了两类声子模，即定域声子和界面声子，同时还考虑了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中光学声子模、介电常数的各向异性。研究结果显示，纤锌矿ZnO/Mg0.3Zn0.7O量子阱中，随阱宽d增大，极化子基态能量、跃迁能量减小。阱宽d约2nm~6nm时，基态能量急剧下降，阱宽d约6nm~30nm时，下降较为平缓，最后缓慢地接近ZnO体材料值。纤锌矿ZnO/Mg0.3Zn0.7O量子阱中声子的总贡献约50~74meV，所以受到电子-声子作用后基态能量降低。对于定域声子和界面声子，对称声子模的贡献明显大于反对称声子模的贡献。界面声子模的贡献随着d的增大而减小，而定域声子模的贡献随着d的增大而增大。在阱宽d约2nm~6nm时，界面声子模相对定域声子模的贡献大；阱宽6nm~30nm时,定域声子相对界面声子模的贡献大。阱宽为d=4，8nm的纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中，随组分x(0.1~0.4)的不断增大，基态能量、跃迁能量、不同声子模的贡献均增大。阱宽d=4nm时的基态能量、跃迁能量随组分x的变化程度明显大于阱宽8nm时的相应值。纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中阱宽4nm时，界面声子的贡献大于定域声子的贡献，阱宽为8nm时情况相反。在纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中极化子效应比GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中极化子效应更明显。结果还显示类LO声子对极化子基态能量的贡献远大于类TO声子贡献,类TO声子的影响可忽略不计。(本文来源于《内蒙古师范大学》期刊2014-04-03）
阿荣高娃[3]（2013）在《纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中电子—声子相互作用对束缚极化子能量的影响》一文中研究指出本文采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法研究了纤锌矿和闪锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN（GaN/Al_xGa_(1-x)N）量子阱中束缚极化子结合能和电子-声子相互作用对束缚极化子能量的影响。给出纤锌矿和闪锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN（GaN/Al_xGa_(1-x)N）量子阱中束缚极化子基态能量、结合能和电子-声子相互作用对束缚极化子基态能量的贡献随着阱宽d和材料组分In(Al)的变化关系。在计算中考虑了定域光学声子模、界面光学声子模以及它们的各向异性。研究结果表明，纤锌矿和闪锌矿In_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN（GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N）量子阱中束缚极化子基态能量和基态结合能随着阱宽d的增大而降低，最后趋近于体材料In_(0.3)Ga_(0.7)N（GaN）的相应值。纤锌矿量子阱中束缚极化子基态能量小于闪锌矿量子阱中束缚极化子的相应能量，而纤锌矿量子阱中电子-声子相互作用对束缚极化子能量的贡献和基态结合能大于闪锌矿量子阱中相应值。对于不同的声子模，当阱宽d较小时，界面声子对基态能量的贡献远大于定域声子对基态能量的贡献，随着阱宽d的增大，界面声子模的贡献急剧减小，最后接近零。而定域声子模的贡献随着阱宽d的增大急剧增大，到某一阱宽度时它的贡献大于界面声子模的贡献，最后趋近于总贡献。电子-声子相互作用对束缚极化子基态能量和结合能的贡献较大，使基态能量和结合能降低。纤锌矿In_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN量子阱中电子—光学声子相互作用对极化子基态能量的贡献（约24~36meV）比GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中的相应值（约1.8~3.2meV）大的多。因此研究纤锌矿In_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN （GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N）量子阱中束缚极化子问题时电子-声子相互作用是不可忽略的部分。计算结果还表明，阱宽较小时In_xGa_(1-x)N/GaN和GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中基态能量随着组分In(Al)的增加趋势比较明显，而阱宽较大时这趋势比较缓慢。同时还发现，GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子-声子相互作用对基态能量的贡献和基态结合能随着组分Al的增加而增大，而In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中的情况正好相反。在纤锌矿In_(0.3)Ga_(0.7)N/GaN和GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱（阱宽为8nm和26nm）中，束缚极化子基态结合能随着杂质位置Z_0的增大而降低，定域声子对基态能量的贡献随着杂质位置Z_0的增大而降低，而界面声子的贡献随着杂质位置Z_0的增大而增大，电子声子-相互作用的总贡献随着杂质位置Z_0的增大而缓慢减小。(本文来源于《内蒙古师范大学》期刊2013-05-23）
陈羽,黄新民[4]（2011）在《成键元素的电子声子相互作用的特征》一文中研究指出本文在Bardeen和Pines确定的电子-声子相互作用的有效矩阵元的基础上,讨论了元素之间有化学键的形成,元素之间发生了电子转移,元素的核外层电子发生了变化对电子-声子相互作用的影响.所得结果和Bardeen和Pines,Bohm和Pines早期的工作符合,可由下列事实解释:即元素成键后,成键电子转移后元素的剩余的电子-声子相互作用是非常短程的,更适合用独立粒子的方法;得到电子的元素,受到成键电子的屏蔽,元素上的电子-电子相互作用是短程的,也更适合用独立粒子的方法.由于元素成键受到键电子的屏蔽作用,电声子相互作用中电子之间的库仑作用对于超导性的影响也已经证明是小的.(本文来源于《低温物理学报》期刊2011年04期）
龙明生,岑燕君,李铭[5]（2010）在《电子声子相互作用对Graphene能带的修正》一文中研究指出研究了电子声子相互作用对Graphene电子能带的影响,把电子和LO光频声子相互作用当作微扰,用微扰论方法计算了电子声子相互作用对电子能带的修正.计算结果表明,在费米面附近,Graphene电子能带下移,电子费米速度下降.计算结果和实验测量基本符合.(本文来源于《华南师范大学学报(自然科学版)》期刊2010年02期）
龙宇[6]（2010）在《电子—声子相互作用对量子环输运性质的影响》一文中研究指出本论文根据正则变换和非平衡格林函数方法,考虑电子-声子相互作用,对量子环(其中一臂嵌入一个量子点)的输运性质进行了研究。主要考虑电子-电子、电子-声子相互作用以及Rashba自旋轨道耦合对输运性质的影响。结果表明:1.声子的出现对电导性质的影响非常明显。由于电子-声子相互作用,出现了新的声子峰;主峰的位置也发生了移动,其高度和宽度都明显减小。这些声子峰的位置由声子的频率决定。随着电子-声子耦合强度的增加,声子峰的数量和高度增加。2.由于量子环的一个臂中嵌入了量子点,电子从左边电极通过不同的隧穿路径到达右边电极,发生了量子干涉,出现了Fano效应。考虑了电子-声子相互作用后,Fano共振随着电子-声子耦合强度的加强而减弱。Rashba自旋轨道耦合可以使Fano共振消失,也可以产生反Fano共振。3.电子-声子相互作用和Rashba自旋轨道耦合都对自旋极化有强烈的影响。电子-声子相互作用减小自旋极化,Rashba自旋轨道耦合能增大自旋极化。4.由于电子-电子相互作用,电导随量子点能量变化时,出现一个库仑共振峰,电导随偏压变化时,出现两个库仑共振峰,并且峰的位置随不同的量子点能量发生变化。(本文来源于《河北师范大学》期刊2010-04-02）
王利福[7]（2008）在《外磁场下电子—声子相互作用对球形量子点杂质态的影响》一文中研究指出本文在有效质量近似下,采用变分理论研究了氮化物球形量子点的杂质态基态结合能及其极化子效应.首先,在无限高势垒下,我们利用变分近似研究了外磁场下GaN球形量子点中类氢杂质态的结合能.考虑电子与局域纵光学(LO)声子和表面光学(SO)声子相互作用,利用LLP变换计算了结合能随量子点半径和杂质位置的变化.数值结果表明,基态结合能随量子点尺寸减小和磁感应强度的增强单调增加.电子与声子相互作用增加了结合能.当杂质由量子点中心向边界移动时,电子与LO声子作用的贡献逐渐减小,电子与SO声子作用的贡献先增大后减小.结果还表明,外磁场增强了电子与LO声子作用而减弱了电子与SO声子作用.随后,考虑杂质态(电子和杂质)与LO声子和SO声子的相互作用,我们仍采用变分近似研究了有限高势垒氮化物量子点的杂质态.数值计算了施主杂质态结合能随量子点半径和杂质位置的变化.结果表明,势垒越高,基态结合能越大;极化子效应使得杂质态结合能明显降低.随着量子点半径逐渐减小,LO声子的贡献先增大后减小,SO声子的贡献逐渐增大.结果还表明,当杂质由量子点中心向边界移动时,LO声子的贡献逐渐减小,SO声子的贡献逐渐增大.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2008-05-18）
周本良[8]（2008）在《电子—声子相互作用量子点的输运性质》一文中研究指出量子点、量子线(又称纳米线)等介观系统中的电子输运一直是人们关心的问题,它不仅是一个重要的基础物理问题,而且有着潜在的高技术应用背景,因量子点、量子线等介观体系是今后纳米量子电路的重要物理器件,作为展现低维介观体系量子效应的典型代表,量子点结构成为近年来的研究热点.本文在有效质量自由电子模型基础上,采用Keldysh非平衡格林函数方法,研究电子—声子相互作用下半导体异质结量子点的电子输运性质,得到了一些有意义的新结果。全文共分为五章。第一章简要介绍了量子点的研究历史与现状。量子点结构所独有的库仑阻塞、单电子隧穿等电子输运特性为设计和制造纳米量子器件开辟了新的发展方向,而有关电子—声子相互作用下量子点的研究则主要集中在理论工作阶段。第二章从能带理论角度描述了半导体异质结的形成以及量子阱、量子线、量子点的制备和用途等;同时介绍了这几种低维体系的介观物理现象。第叁章介绍了非平衡格林函数方法及其在介观输运中的应用,推导了广泛应用的运动方程以及电流公式。第四章的内容主要是我们自己的工作。系统地介绍了声子及电子—声子相互作用的相关知识。利用非平衡格林函数方法,研究了电子—声子相互作用下量子点的电子输运性质。与无声子作用时系统电导所呈现的单共振峰相比,声子的作用引起了系统电导呈现出有趣的旁带峰(“卫星峰”),这就是所谓的声子辅助隧穿。随着电子—声子耦合强度的增加,出现了更多的伴峰,而主峰的高度下降;随着温度的升高,伴峰将变得更为尖锐,主峰的高度仍然下降。文中对这些现象形成的物理机制进行了详细具体地分析。第五章我们对本文的工作进行总结和归纳,并对这一研究领域的发展前景作了简要的展望。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2008-04-01）
李根小[9]（2007）在《氮化物半导体电子—声子相互作用对表面电子态的影响及压力效应》一文中研究指出本文主要研究了电子—声子相互作用及压力对纤锌矿结构氮化物半导体表面电子态的影响。计入电子与表面光学声子相互作用，采用变分法讨论了半无限氮化物半导体表面电子态问题。利用类LLP中间耦合理论导出了系统的有效哈密顿量，获得了表面电子态能级随表面势垒V_0的变化关系。对纤锌矿结构的GaN，AlN和InN进行了数值计算，给出了表面电子态能级、电子与表面光学声子相互作用能量和表面态波函数平均穿透深度d随表面势垒V_0的变化关系，并讨论了与闪锌矿结构的区别。结果表明，表面电子态能级随V_0的增大而线性单调增加。很明显，电子与表面光学声子相互作用降低电子的表面态能级，而电子与表面光学声子相互作用能量随表面势垒变化非常小。材料的禁带宽度越大表面电子态能级的移动就越明显。纤锌矿氮化物材料中，表面电子态能级比闪锌矿的低几百meV。利用线性插值法计算了Al_xGa_(1-x)N，Al_xIn_(1-x)N和In_xGa_(1-x)N表面电子态能级随组分x的变化关系。结果显示，表面电子态随组分x的增加而降低。进而，考虑压力对材料的晶格常数、介电常数、体纵(横)光学声子模能量、各向异性电子带质量以及禁带宽度的影响，讨论了压力下GaN，AlN及InN中电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响。压力将增大由电子—声子相互作用引起的表面电子态能级的移动，而且电子与表面光学声子相互作用能量随压力的变化很明显。指出电子与声子相互作用及压力对表面电子态的影响不应被忽略，尤其具有强电子—声子耦合和宽禁带的半导体材料。(本文来源于《内蒙古大学》期刊2007-06-06）
齐吉泰,于长兴,印志强,王春红[10]（2006）在《非晶态电子声子及相互作用》一文中研究指出利用非晶态物质的实验数据,通过理论分析,对非晶态电子模型和声子谱进行了分析和研究,得出了非晶态近自由电子模型与自由电子模型有比较高的近似程度,在处理非晶态金属及合金等材料时可以采用自由电子模型;而非晶态声子在低能态密度增加,声子谱低频端软化;由于动量不守恒,电子声子在更大相空间内相互作用,从而导致了2αF(ω)低频端的上升。(本文来源于《现代电子技术》期刊2006年21期）
非电子声子相互作用论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用改进的Lee-Low-Pines (LLP)中间耦合方法研究了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱材料中的极化子能级。绘出了在纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中系统的基态能量、跃迁能量、电子-声子相互作用对基态能量的贡献随阱宽（d）和组分（x）的变化趋势图。计算中考虑了两类声子模，即定域声子和界面声子，同时还考虑了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中光学声子模、介电常数的各向异性。研究结果显示，纤锌矿ZnO/Mg0.3Zn0.7O量子阱中，随阱宽d增大，极化子基态能量、跃迁能量减小。阱宽d约2nm~6nm时，基态能量急剧下降，阱宽d约6nm~30nm时，下降较为平缓，最后缓慢地接近ZnO体材料值。纤锌矿ZnO/Mg0.3Zn0.7O量子阱中声子的总贡献约50~74meV，所以受到电子-声子作用后基态能量降低。对于定域声子和界面声子，对称声子模的贡献明显大于反对称声子模的贡献。界面声子模的贡献随着d的增大而减小，而定域声子模的贡献随着d的增大而增大。在阱宽d约2nm~6nm时，界面声子模相对定域声子模的贡献大；阱宽6nm~30nm时,定域声子相对界面声子模的贡献大。阱宽为d=4，8nm的纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中，随组分x(0.1~0.4)的不断增大，基态能量、跃迁能量、不同声子模的贡献均增大。阱宽d=4nm时的基态能量、跃迁能量随组分x的变化程度明显大于阱宽8nm时的相应值。纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中阱宽4nm时，界面声子的贡献大于定域声子的贡献，阱宽为8nm时情况相反。在纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO量子阱中极化子效应比GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中极化子效应更明显。结果还显示类LO声子对极化子基态能量的贡献远大于类TO声子贡献,类TO声子的影响可忽略不计。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
非电子声子相互作用论文参考文献
[1].侯月霞.金属纳米线结构中的量子化声子模式及电子—声子相互作用[D].云南大学.2015
[2].张国庆.纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中电子—声子相互作用对极化子能量的影响[D].内蒙古师范大学.2014
[3].阿荣高娃.纤锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN量子阱中电子—声子相互作用对束缚极化子能量的影响[D].内蒙古师范大学.2013
[4].陈羽,黄新民.成键元素的电子声子相互作用的特征[J].低温物理学报.2011
[5].龙明生,岑燕君,李铭.电子声子相互作用对Graphene能带的修正[J].华南师范大学学报(自然科学版).2010
[6].龙宇.电子—声子相互作用对量子环输运性质的影响[D].河北师范大学.2010
[7].王利福.外磁场下电子—声子相互作用对球形量子点杂质态的影响[D].内蒙古大学.2008
[8].周本良.电子—声子相互作用量子点的输运性质[D].湖南师范大学.2008
[9].李根小.氮化物半导体电子—声子相互作用对表面电子态的影响及压力效应[D].内蒙古大学.2007
[10].齐吉泰,于长兴,印志强,王春红.非晶态电子声子及相互作用[J].现代电子技术.2006
论文知识图
