导读:本文包含了自组织量子点论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,组织,算法,通信网络,纳米,载流子,外延。
自组织量子点论文文献综述
池振昊[1]（2019）在《InAs/GaAs自组织量子点量子发光效应》一文中研究指出以量子通信、量子计算和量子测量为代表的量子信息技术飞速发展,而量子信息技术的发展依赖于高品质的单光子源和纠缠光子源核心量子器件。在实现量子光源的诸多方案中,半导体量子点具有良好的退相干时间、可调波长范围大、易于集成制备等优点,是制备单光子源最有潜力的材料体系,被国内外广泛研究。但是量子点临界成岛条件十分苛刻,对淀积量和生长温度等参数极其敏感,生长成功率低,可重复性差。如何实现低密度量子点的可控外延生长是实现单光子源必需要解决的一个难题。为进一步将单光子源推向远距离量子保密光纤通信的应用,将单量子点波长拓展到1.33微米乃至1.55微米是一个非常关键的问题。本论文将针对InAs/GaAs量子点的密度可控分子束外延生长方法、量子点激子发光特性、InAs/GaAs量子点发光波长拓展等关键科学问题进行研究。主要研究成果如下:(1)采用“烧点法”和“梯度生长法”相结合的方法,实现了量子点密度精确可控的外延生长。外延生长出了密度梯度分布的InAs/GaAs量子点,波长位于900-1000nm,量子点密度在0.5个/μm ~2至5个/μm ~2范围。(2)详细研究了自组织InAs/GaAs单量子点的物理性质和发光机制,从实验上验证了单量子点内部激子的级联发射机制。测量得到InAs/GaAs量子点的精细结构劈裂E_(FSS)=61.31μeV,通过时间相关单光子计数系统测量的激子寿命τ=1.78ns,并利用HBT实验对量子点的单光子性能进行测试,得到归一化二阶关联函数g~((2))(0)=0.096,表明自组织InAs/GaAs单量子点可以实现较好的单光子发射。(3)通过在GaAs衬底上生长InGaAs组分渐变缓冲层进而自组织外延生长InAs量子点,将GaAs基的InAs量子点发光波长拓展到了1550nm光通讯波段。(4)研究了渐变层中最大In组分、组分回退层及InAs淀积量等因素对于量子点表面形貌、发光波长和发光质量的影响。随着渐变层最上层In组分变大,量子点的发光波长逐渐变大,光致荧光全谱扫描呈现整体红移的趋势。引入5%的回退层会使组分渐变层的表面更加平整,量子点的发光质量更好,PL谱中1550nm波段量子点发光峰下的包络更小。InAs的淀积量为1.50ML时可以得到线宽较窄发光强度较高的发光峰。(本文来源于《曲阜师范大学》期刊2019-06-12）
尚向军,马奔,陈泽升,喻颖,查国伟[2]（2018）在《半导体自组织量子点量子发光机理与器件》一文中研究指出介绍了自组织量子点单光子发光机理及器件研究进展.主要内容包括:半导体液滴自催化外延GaAs纳米线中InAs量子点和GaAs量子点的单光子发光效应、自组织InAs/GaAs量子点与分布布拉格平面微腔耦合结构的单光子发光效应和器件制备,单量子点发光的共振荧光测量方法、量子点单光子参量下转换实现的纠缠光子发射、单光子的量子存储效应以及量子点单光子发光的光纤耦合输出芯片制备等.(本文来源于《物理学报》期刊2018年22期）
李炎[3]（2018）在《锗硅自组织纳米线量子点和微波谐振腔的复合结构的实验研究》一文中研究指出随着半导体产业的飞速发展和微纳米加工工艺的不断进步,前沿科学研究已经进入微观量子调控领域。纳米尺度的量子点可以精确调控单个载流子的隧穿。量子点的电荷态或者自旋态形成的二能级系统可以用于制备量子比特。量子比特的量子态已经可以实现探测和操作,量子芯片和量子计算展现了广阔的应用潜能。但是可应用的量子芯片需要量子比特在保持相干性的前提下实现精确测量和可扩展集成。国际上认为利用超导微波谐振腔不仅可以实现对量子比特的灵敏测量,而且可以作为量子总线实现多个量子比特的长距离耦合,是量子芯片集成化的可行方案。本论文主要研究了基于锗硅自组织纳米线量子点以及量子点和超导微波谐振腔的复合结构,同时还研究了利用超导微波谐振腔对量子点状态的灵敏测量的理论机制和实验实现。本论文的主要内容有:1.简要介绍了量子计算的产生背景和实现体系,半导体门控量子点体系,多种新型半导体材料体系,腔量子电动力学和电路量子电动力学以及量子点中的电荷态和自旋态和超导微波谐振腔的强耦合的最新进展;2.制备了锗硅自组织纳米线空穴型单量子点和双量子点,以及介绍了样品制备所用到的微纳制备设备和工艺。详细介绍了单量子点的电极设计、能级结构以及完整的加工工艺流程。实验研究了锗硅自组织纳米线空穴型单量子点的接触性质,库仑震荡图和库仑菱形图等输运性质,以及磁场下的能级劈裂表现和朗德g因子;3.设计和制备了锗硅自组织空穴型单量子点和超导微波谐振腔的复合结构,包括样品结构和测量系统。研究了微波的幅值和相位用于单量子点电荷态的灵敏测量,并从幅值和相位信号中提取了频率移动和频率展宽信息用于解释微波测量的理论机制。以运动方程理论为基础利用量子点的载流子压缩系数以及量子点和谐振腔的耦合电容确定了单量子点和谐振腔体系中空穴-谐振腔的耦合强度,并进一步评估了自旋-谐振腔的耦合强度接近于强耦合水平;4.研究了利用超导微波谐振腔探测量子点的性质。幅值和相位读取量子点复导纳信息。幅值和相位信号推算出反射式微波谐振腔和量子点耦合体系中的频率移动和频率展宽信息,并以此为基础论证了幅值和相位和直流输运的定量对应和转换关系。5.设计和制备了锗硅自组织空穴型双量子点和超导微波谐振腔的复合结构。并且比较了双量子点-谐振腔的耦极耦合模式和单量子点-谐振腔的耦合模式。基于不同的理论模型解释了微波的幅值和相位信号对于双量子点中空穴在左点和右点之间以及在量子点和电极之间隧穿的不同反应;本文的创新点有:1.设计和制备了锗硅自组织纳米线单量子点和双量子点;2.实现锗硅自组织空穴型单量子点和双量子点与超导微波谐振腔的耦合,利用谐振腔的幅值和相位信号实现量子点电荷态的灵敏测量;3.从微波谐振腔的幅值和相位信号中分别利用奇偶部分积分的方法以及理论推导的方法得到频率移动和频率展宽信息,并以此为基础建立了幅值和相位与直流输运信号的定量对应和转换关系。并且利用微波的幅值和相位信号测量量子点的复导纳以及评估隧穿率。4.基于量子点的载流子压缩系数以及量子点和谐振腔的耦合电容提取了锗硅自组织纳米线空穴型单量子点和谐振腔体系中空穴-谐振腔的耦合强度,更进一步评估了该体系的自旋-谐振腔的耦合强度;5.比较和解释了双量子点-谐振腔和单量子点-谐振腔的耦合机制的不同,基于不同的理论模型探索了双量子点-谐振腔模型之中空穴在左点和右点之间以及量子点和电极之间隧穿的不同反应;(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-04）
王建平[4]（2017）在《半导体自组织量子点物理性质的外场调控》一文中研究指出确定性纠缠光源在量子信息技术中有重要的应用。在传统的实验方案中,它们一般是通过非线性参量下转换过程实现的。但是这种纠缠光源不是确定性的,有很小的概率产生冗余的多光子纠缠,并且在每个脉冲中光子对的有和无完全是随机的。为了克服这一困难,人们提出了基于量子点双激子级联跃迁产生确定性的纠缠光子对。这种纠缠光源的优势在于它每次可以确定性地产生一对纠缠光子对。但实现这种量子点纠缠光源的最大困难是,在级联过程中单激子的两个偏振态的能量不是简并的,存在一个能量差,被称为精细结构劈裂。精细结构劈裂的存在会破坏光子的纠缠性,所以在实验上很难实现量子点纠缠光源。在过去的十多年中,对量子点的精细结构的调控研究受到了广泛关注。本论文主要讨论外应力对量子点精细结构劈裂的调控。本文包含的主要工作如下:1.发展了有限温度经验赝势方法研究温度对量子点光学性质的影响:温度对量子点的光学性质影响很大,比如它会使得量子点的发光位置红移。在我们的方法中温度对经验赝势的影响主要是通过Debye-Waller因子引入的。通过拟合体材料高对称点的有效质量,能隙以及它们的能带随着温度的变化关系,我们确定了有限温度经验赝势理论中的相关参数。利用该方法我们计算了量子点发光能量和温度的关系,与实验结果吻合很好。我们发现量子点的精细结构劈裂不随温度显着变化。2.应力对量子点精细结构的调控:量子点的精细结构劈裂可以通过外力调控。我们讨论了单轴应力和组合应力对量子点精细结构劈裂的影响。我们证明利用组合的两个单轴应力,量子点的精细结构劈裂可以被调节到接近零,从而可以在实现纠缠光源。该方案已经被很多实验验证。3.应力调控量子点物理性质的模型理论:我们利用Bir-Pikus方法讨论了应力对量子点精细结构劈裂的影响,并且解析推导了精细结构,激子偏振角等在外应力下的行为。该方法得到的结果和经验赝势方法得到的结果在数量级上是一致的。利用该方法,我们可以深入理解应力对量子点精细结构影响的微观机制。4.波长可调的纠缠光源:尽管量子点可以作为理想的纠缠光源,而且也已经在实验上获得了验证,但是量子点的差异很大,不同的量子点的发光能量完全不同,无法实现不同量子点之间的纠缠。我们证明了利用叁个独立应力,不仅可以完全消除其精细结构劈裂,而且可以调节其波长,为实现可扩展的量子点纠缠光源打下了基础。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-10-30）
张凤才,李旻,裴开鸿[5]（2017）在《基于量子远程传态的无线自组织量子通信网络路由协议》一文中研究指出随着新技术的发展,量子通信应运而生。我国科研人员对量子通信进行了深入研究及探索,提出了无线自组织量子通信网络的路由协议。这个路由协议主要针对复杂结构的无线电量子通信网络,也是一种按需路由协议,相邻节点之间纠缠的离子对的数目决定了路由协议的路由度量。(本文来源于《信息与电脑(理论版)》期刊2017年20期）
刘瑶[6]（2017）在《InAs/GaAs自组织量子点分子纳米材料光学性质研究》一文中研究指出半导体量子点纳米材料不但具备很多独特的物理性质,而且在各类光电器件上具有巨大的潜在应用价值,本论文主要利用光致荧光发射谱(PL)和时间分辨荧光谱(TRPL)等光致荧光光谱技术研究InAs系列量子点分子纳米材料的光学性质,具体的工作主要包括如下叁个方面:⑴研究了GaAs间隔层厚度对双层结构InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响。低温下30ML、40ML和50ML间隔层的叁个样品的光致荧光发射谱均为双峰结构,底层量子点(SQDs)和顶层量子点(TQDs)之间存在有效的载流子转移,而且随着间隔层厚度变大载流子转移效率变低;测量了叁个样品TQDs的PL谱峰值位置(Emax)、半峰全宽(FWHM)及积分强度随温度的变化,表明随着GaAs间隔层变大,TQDs和SQDs层间耦合变弱;最后,分析了叁个样品的时间衰退行为(TRPL),间隔层厚度大的样品的载流子隧穿时间有明显延长。⑵研究了Al_(0.5)Ga_(0.5)As势垒层对InAs/GaAs量子点分子光学性质的影响。低温下InAs/GaAs量子点分子的PL谱为双峰结构,两层量子点之间存在有效载流子转移。插入Al_(0.5)Ga_(0.5)As势垒层后,量子点发光峰发生蓝移,而且SQDs发光峰的强度相对变大,说明插入的Al_(0.5)Ga_(0.5)As势垒层降低了载流子转移效率。PL谱的峰位能量、FWHM、积分强度、强度比R值随温度和激发强度的变化表明耦合双层量子点结构内载流子的转移既依赖于温度,也受强度影响。TRPL结果显示,加入Al_(0.5)Ga_(0.5)As势垒层后,载流子从SQDs到TQDs的隧穿时间由0.38ns增加到0.77ns,实验结果与WKB半经典公式的理论计算数据相吻合。⑶研究了InAs/GaAs+InAs/GaAsSb混合结构量子点分子的光学特性。利用XRD确定了GaAsSb覆盖层组份分别为GaAs0.85Sb0.15和GaAs0.75Sb0.25,叁个单层量子点参考样品的PL谱验证了InAs/GaAs0.85Sb0.15与InAs/GaAs0.75Sb0.25量子点的II型能带结构。在T=10K温度条件下混合结构量子点分子PL谱随激光激发功率的增强呈现多峰结构,对应混合结构量子点分子内不同的载流子跃迁复合通道。表明混合结构量子点分子具有与普通InAs/GaAs量子点分子不同的内部载流子产生、转移、复合动力学学过程。(本文来源于《河北大学》期刊2017-05-01）
邹扬[7]（2015）在《基于半导体自组织量子点的量子光源》一文中研究指出量子信息科学诞生于20世纪后半叶,是物理学中量子理论与信息学和计算机科学相结合的领域,包含量子通信与量子计算两部分内容。随着人们不断改进计算机集成芯片的生产技术,芯片尺寸已经逐渐缩小到纳米量级,若再继续往下发展,量子效应将逐渐开始表现得显着。而且单位面积内芯片元件数量的增加,也带来了难以解决的热耗问题。物理学家landauer指出传统的经典逻辑运算是单向的,即信息的计算与处理过程是不可逆的,这种不可逆的过程是芯片产生热耗效应的根源,从原理上也限制了芯片集成度的进一步发展。因此研究新的计算模型的架构显得十分必要。此外由于Shor的量子大数分解算法以及Bennett的量子保密通信协议的提出,展现了量子并行计算和量子保密通信的强大潜力,使人们对可逆的量子计算和量子通信寄予了厚望,使量子信息得以发展具备了可能性。与经典信息一样,量子信息同样需要依靠真实的物理系统。光子作为量子通信的信息载体是被普遍认可的纯净系统,也是光通信技术发展的重要分支。因此能够产生单光子和纠缠光子的量子光源成为了量子信息产生和传输过程的源头,依靠光子加载量子信息,在量子网络的各节点之间传输和处理这样的光子是人们对量子通信的设想。半导体量子点就是这样一种极具潜力的量子光源系统,它是由分子束外延技术生长的一种准零维的纳米材料,对载流子电子与空穴的作用相当于一个势阱,因而载流子在其中具有类似原子的分立能级结构,能级跃迁时可以发射出单光子。它在制造工艺上和现有的半导体加工工艺相兼容,易于集成且性能稳定,而且发出的光子波长在一定程度上可以控制,因此备受人们关注。我们这里主要研究自组织量子点的光学性质,并且用它产生单光子和纠缠光子对。本文的主要结果有：1.稀点法获得单光子源。半导体自组织量子点是生长过程中,由于品格释放内部应力而在异质界面上随机形成的,其大小、密度与发光性质都各不相同。但是通过控制生长温度,各元素组分的比例以及沉积的速率,可以在一定程度上控制分布的规律。我们使用密度呈阶梯分布的量子点样品进行研究实验,不用任何后续的加工手段,而在密度稀疏的地方找到并隔离出单个量子点。将其作为单光子源,每秒钟能够探测到10万个单光子,二阶自相关度小于0.27。2.研究量子点的四能级跃迁模型与关联函数。单个量子点中束缚两对总自旋相反的电子空穴对形成双激子,并通过级联辐射发出双光子对的过程,可以抽象成一个四能级系统。我们在理论上研究这个模型时引入了温度作为一个参数,再利用能级跃迁的时间关联函数可以得到光子对的偏振密度矩阵,并进一步得到其发光特性。我们对此模型进行了数值模拟,解释光子对保真度随时间演化的一些实验现象。3.利用四能级模型研究光子对偏振纠缠与量子关联的动力学演化性质。量子点中参与级联辐射过程的两个激子发出光子的偏振相互正交,因此有两种辐射路径,若不能从其他条件获区分辐射路径,则级联辐射过程发出的光子对是偏振纠缠的。我们用四能级模型研究了量子点发射光子对的纠缠动力学演化过程,发现随着温度升高而出现的纠缠突然死亡的现象。另外,量子关联是比量子纠缠更广泛的概念,包含了两个粒子之间一切不能用经典关联描述的关系。我们在用四能级模型模拟了量子点发光性质的基础上,讨论了级联辐射光子对之间的量子关联的演化情况,指出量子关联演化的一些特性不受环境中白噪声的影响,只与体系内声子辅助的过程有关。4.实现量子点级联辐射光子对的Franson型干涉,及探测双激子能级的非均匀展宽。量子点材料中载流子的运动对量子点造成了一个随机电场,这个随机的电场导致了量子点内部能级的非均匀展宽,进而影响对量子点系统的相干控制以及辐射光子对的纠缠的质量。我们在实验上实现了量子点级联辐射光子对的Franson型干涉,并利用它直接测量了双激子能级的非均匀展宽,结果发现这个双激子能级的非均匀展宽比已知的激子能级展宽要小很多,预示着级联辐射过程可以产生很好的纠缠光子对。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2015-05-01）
荆晶[8]（2015）在《基于无线自组织量子通信网络的路由算法研究》一文中研究指出近年来量子通信网络的发展日新月异,迄今为止国内外已建成多个量子通信网络,对于量子通信网络的研究也不只局限于有线网络,目前对于无线量子通信网络的研究也开始逐渐兴起。无线自组织量子通信网络就是在2012年提出的新型量子通信网络,网络中的各节点为能够进行无线通信的移动量子设备,所有节点地位平等,能够自由移动,节点间存在量子信道与经典无线信道,量子信道用于传输携带信息的量子态,经典无线信道是辅助信道,用于传输Bell基测量的结果。无线自组织量子通信网络在拓扑结构上与经典无线自组织网络相似,在通信方式上采用的是量子通信中的量子隐形传态理论。对于无线自组织量子通信网络而言,由于其量子通信的特性,不能直接采用经典无线自组织网络的路由算法,要考虑网络自身的特点设计合理的路由算法。基于AODV的无线自组织量子通信网络的路由算法是在经典的AODV路由协议的基础上加以改进而得来的。同经典无线自组织网络的路由算法不同,基于AODV的量子通信网络路由算法采用了相邻节点间的纠缠量子对数目作为路由度量,在有多条备选路径的情况下选择纠缠量子对数目大的路径作为最终路由路径。通过对该算法的仿真和分析,发现虽然该算法简单易用、成功率高,但参与转发路由请求信息分组的节点过多,路由路径的纠缠量子对数目相对较小,需要加以改进。针对基于AODV的无线自组织量子通信网络的路由算法的不足,将Grover算法的思想应用于无线自组织量子通信网络。该算法将Grover搜索应用于对目的节点的寻找中,采用节点间的纠缠量子对数目和节点间距离作为约束条件,扩大目标解径的概率,减小非目标解径的概率,按节点选择概率的规定选择概率大的下一跳节点进行转发,成功减少了网络中参与转发的节点数目,提高了所选择的路由路径的纠缠量子对数目,并通过仿真验证了该算法在网络扩展和节点失效的情况下依然稳定有效。(本文来源于《浙江工业大学》期刊2015-04-18）
彭宏,荆晶[9]（2014）在《无线自组织量子通信网络的Grover路由算法研究》一文中研究指出介绍了无线量子通信网络的发展和无线量子通信网络中的路由算法.路由度量基于相邻节点间的纠缠量子对数目.结合Grover量子搜索算法,在限定跳数内搜索路由度量最大的路径作为目标解径,以避免量子信道因纠缠量子对的消耗而断开.路径搜索成功后,节点采用两端逼近的方法建立起量子信道,实现从源节点到目的节点的量子态的传递.采用Grover算法的路由搜索保证了成功率,降低了量子通信网络的网络计算量,使路由搜索快速收敛.(本文来源于《浙江工业大学学报》期刊2014年06期）
韦海[10]（2014）在《半导体自组织量子点中自旋驰豫的经验赝势计算》一文中研究指出量子点是继超晶格之后,与量子线同时发展起来的一种纳米体系。由于量子点的尺寸达到了可以和电子的de Broglie波长相比拟的程度,所以量子点表现出了独特的性质。当颗粒大小到达纳米级时,将引起量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、表面效应以及库仑阻塞效应,从而派生出与常见的宏观体系和微观体系不同的低维物性的纳米体系,展现出许多不同于宏观体材料的物理化学性质。这些特性在非线性光学、磁介质、生物、医药及功能材料等方面具有极为广阔的应用前景。随着量子信息和自旋电子学的飞速发展,同时传统芯片面临着集成度问题,量子点在诸如量子信息科学、单光子源以及纠缠光源等方面的应用引起了研究人员的兴趣。虽然量子点的物理性质得到了广泛的研究,但是距离真正实现量子计算机还有相当长的一段路要走。本篇论文里,我们将介绍对自组织InGaAs/GaAs单量子点的电学,光学和自旋驰豫方面的理论计算研究。本论文主要包括以下几个部分：1.二阶声子辅助过程下量子点内单粒子的自旋驰豫时间由于高磁场可以显着的加快单粒子的驰豫过程,所以我们需要在低磁场下研究单粒子的驰豫。但是在低磁场下,由于声子数为零,所以一阶过程将被禁止。这样二阶声子过程就占了主要贡献。我们的计算表明T=4.2K时,我们计算得到的空穴驰豫时间约为几个毫秒,这和实验得到的数值非常接近。纯量子点中,电子的驰豫会随高度或半径的增加而变快,空穴的驰豫则随高度增加变快,但是却随半径的增大而变慢。合金中的电子的表现与纯量子点的电子相似。但是空穴却对尺度的变化不敏感。这是由单粒子的能级间距和自旋混合共同作用的结果。由于量子点结构的对称性决定了自旋轨道耦合的强度,所以我们在量子点上施加一个外电场来改变对称性,结果发现,电场可以加快或减慢空穴的驰豫速率。2.量子点中激子的自旋驰豫时间我们计算了量子点中激子在明态和暗态之间的驰豫时间。在Hatree-Fork近似下,我们发现激子的驰豫是被禁止的。而CI方法的计算表明,激子的驰豫是多体关联效应造成的。我们的结果表明,纯量子点中单激子的驰豫时间大约为15-55μs,合金中这个时间会更长。我们指出激子波函数的正交性对其他问题不会造成太大的误差,但是却会对驰豫时间造成几个数量级的差别。实验上观测到的激子驰豫时间有相当大的跨度,从数百个ps到数百个ns不等。除了实验所选取的量子点材料、尺寸的不同外,一个重要的原因是,实验上观测到的激子是从明态到暗态的自旋驰豫,由于明态的辐射跃迁相当快(约在1ns左右),所以这个辐射过程会对明态到暗态的驰豫测量造成相当大的干扰。更近一步地,我们提出了利用寿命很长的暗态激子来测量激子驰豫过程的建议。而实验的结果表明,温度为5K时,暗态激子向明态驰豫的时间为1.5μs。考虑到明暗态之间的驰豫的时间存在关系τBD/τDB≈1/2,我们的计算结果和实验符合的相当好。3.静水压调节单量子点的电学和光学性质在制备纠缠光源的过程中,时间重定序的方案要求双激子的结合能EB(XX)=0。我们从这一点出发,介绍了在实验上通过对量子点施加静水压来调节激子光谱、EB(XX)和FSS。结果表明激子的发光能量会随着压力的增加出现蓝移,变化量可以达到320meV,FSS也随压力的增加而变大,变化量可以达到150μeV。相较于其他通过外部因素调节的方法,静水压表现出了很高的效率。EB(XX)会随压力的增大而增大且慢慢趋于饱和。尽管如此我们在实验上仍观察到了反束缚态—束缚态跃迁的现象。这保证了时间重定序的前提条件。最后,我们通过经验赝势得到了和实验结果符合的很好的计算值。我们指出压力造成的束缚势和波函数的变化是导致激子光谱和EB(XX)变化的主要原因。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2014-05-01）
自组织量子点论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了自组织量子点单光子发光机理及器件研究进展.主要内容包括:半导体液滴自催化外延GaAs纳米线中InAs量子点和GaAs量子点的单光子发光效应、自组织InAs/GaAs量子点与分布布拉格平面微腔耦合结构的单光子发光效应和器件制备,单量子点发光的共振荧光测量方法、量子点单光子参量下转换实现的纠缠光子发射、单光子的量子存储效应以及量子点单光子发光的光纤耦合输出芯片制备等.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自组织量子点论文参考文献
[1].池振昊.InAs/GaAs自组织量子点量子发光效应[D].曲阜师范大学.2019
[2].尚向军,马奔,陈泽升,喻颖,查国伟.半导体自组织量子点量子发光机理与器件[J].物理学报.2018
[3].李炎.锗硅自组织纳米线量子点和微波谐振腔的复合结构的实验研究[D].中国科学技术大学.2018
[4].王建平.半导体自组织量子点物理性质的外场调控[D].中国科学技术大学.2017
[5].张凤才,李旻,裴开鸿.基于量子远程传态的无线自组织量子通信网络路由协议[J].信息与电脑(理论版).2017
[6].刘瑶.InAs/GaAs自组织量子点分子纳米材料光学性质研究[D].河北大学.2017
[7].邹扬.基于半导体自组织量子点的量子光源[D].中国科学技术大学.2015
[8].荆晶.基于无线自组织量子通信网络的路由算法研究[D].浙江工业大学.2015
[9].彭宏,荆晶.无线自组织量子通信网络的Grover路由算法研究[J].浙江工业大学学报.2014
[10].韦海.半导体自组织量子点中自旋驰豫的经验赝势计算[D].中国科学技术大学.2014
论文知识图
