导读:本文包含了量子阱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:量子,多量,空穴,霍尔,钛矿,特性,激光器。
量子阱论文文献综述
孙伟业,邓军,何磊磊,杜欣钊[1]（2020）在《多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺》一文中研究指出基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6～9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2020年01期）
闫婕,魏苗苗,邢燕霞[2]（2019）在《HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应》一文中研究指出HgTe/CdTe量子阱是一种特殊的二维拓扑材料,其中的量子自旋霍尔效应在自旋电子器件应用方面极有潜力."工"字形四端口体系纵向非局域电阻阻值为0.25 h/e~2的特殊的量子化平台是判别量子自旋霍尔效应的有力证据.本文基于二维HgTe/CdTe量子阱模型,利用非平衡格林函数理论及Landauer-Büttiker公式计算非局域电阻,进而研究自旋拓扑态在非静态杂质作用下的退相干效应.计算同时考虑磁交换场和磁场的影响.研究发现,尽管磁交换场和外磁场会破坏时间反演对称性,但它们都仅改变拓扑带隙的宽度和相对位置,并不影响螺旋边缘态的拓扑性.而退相干杂质对自旋拓扑边缘态的影响则完全不同于铁磁和弱磁场.退相干效应不会影响拓扑带隙的位置和宽度,但是会影响拓扑边缘态的稳定性.其中,自旋不守恒的退相干杂质对螺旋边缘态的影响更为明显,轻微的退相干效应便会引起自旋翻转,从而引起自旋相反的背散射,最终破坏自旋霍尔边缘态.(本文来源于《物理学报》期刊2019年22期）
郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳[3]（2019）在《δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）》一文中研究指出叁个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。(本文来源于《发光学报》期刊2019年11期）
郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳[4]（2019）在《δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）》一文中研究指出在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。(本文来源于《发光学报》期刊2019年10期）
魏一,储怀龙,赵纪军[5]（2019）在《效率15.05%!首次发现并制备具有反向量子阱分布的高稳定2D钙钛矿太阳能电池》一文中研究指出能源一直是人类文明发展的重要动力。煤炭、石油等传统化石能源曾对社会的进步起到功不可没的作用,但储存量却十分的有限。同时,化石燃料的燃烧伴随大量的温室气体和污染物的排放,导致环境恶化。因此,发展新型储量丰富的清洁能源势在必行,太阳能作为一种清洁可再生能源被寄予很大希望。(本文来源于《物理》期刊2019年10期）
刘轩,王美玉,李毅,朱友华[6]（2019）在《阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善》一文中研究指出由于Ⅲ族氮化物材料自身的物理特性,InGaN/GaN量子阱结构存在极化效应导致能带倾斜,极大地影响了LED的辐射复合效率。采用阶梯状量子阱的结构来改善LED的发光特性,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上外延生长了3种不同量子阱结构的样品,并对其进行材料结构与器件性能的表征。实验结果表明, In组分减小的阶梯状量子阱样品相对于传统量子阱结构,其在电致发光(EL)谱中蓝移现象几乎消失;同时在注入电流为140 mA时,其发光功率以及外量子效率分别提高3.8%和5.1%。此外,Silvaco Atlas软件的仿真结果显示了该样品的量子阱中具有更高的空穴浓度与辐射复合效率。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年10期）
熊迪,郭文涛,郭小峰,刘海峰,廖文渊[7]（2019）在《1.55μm AlGaInAs/InP小发散角量子阱激光器的仿真和制备（英文）》一文中研究指出理论仿真和实验制备了AlGaInAs/InP材料1. 55μm小发散角量子阱激光器.为了扩展近场光场并减小内损耗,将一个非对称模式扩展层插入到外延结构的下盖层当中.仿真结果表明,该模式扩展层除了少量增加激光器阈值电流以外,在不影响激光器其它性能的情况下能显着减小激光器的垂直远场发散角.实验结果与理论仿真高度吻合.成功制备出脊宽4μm,腔长1000μm的脊波导小发散角激光器.在端面未镀膜的情况下,该激光器阈值电流为56 mA,输出功率为17. 38 mw@120 mA,斜率效率可以达到0. 272 W/A.实验测得垂直远场发散角为29. 6°,相比较传统激光器减小了约35. 3%.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年04期）
杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰[8]（2019）在《InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱》一文中研究指出利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲[9]（2019）在《硅基Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱APD响应特性的研究》一文中研究指出以硅基材料为基底,外延生长20周期Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱结构的雪崩光电二极管(APD)探测器,分析了硅基量子阱结构的APD探测器能带对光子探测波长和响应灵敏度的影响。利用Silvaco TCAD进行工艺建模和光电性能仿真模拟。仿真结果表明,量子阱结构APD探测器响应峰值波长为0.95μm,探测响应截止波长为1.4μm,探测响应度提高了38%,实现了硅基APD探测器对微弱高频近红外光子的响应。(本文来源于《黑龙江大学自然科学学报》期刊2019年03期）
刘红梅,董丽娟,吕良宇[10]（2019）在《GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计》一文中研究指出随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探测器材料、结构的依赖作用入手,利用电磁仿真方法设计了5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。该探测器采用纵向层状叁明治结构,顶部和底部由n型掺杂的GaAs接触层构成,中间是5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱复合层。结果表明,该量子阱探测器的最优探测波段为978 nm,而且在近红外波段该红外探测器的反射峰值随着量子阱阱宽的增大向低频方向移动,其最优阱宽为5 nm,为获得高性能量子阱红外探测器提供理论支持。(本文来源于《山西大同大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
量子阱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
HgTe/CdTe量子阱是一种特殊的二维拓扑材料,其中的量子自旋霍尔效应在自旋电子器件应用方面极有潜力."工"字形四端口体系纵向非局域电阻阻值为0.25 h/e~2的特殊的量子化平台是判别量子自旋霍尔效应的有力证据.本文基于二维HgTe/CdTe量子阱模型,利用非平衡格林函数理论及Landauer-Büttiker公式计算非局域电阻,进而研究自旋拓扑态在非静态杂质作用下的退相干效应.计算同时考虑磁交换场和磁场的影响.研究发现,尽管磁交换场和外磁场会破坏时间反演对称性,但它们都仅改变拓扑带隙的宽度和相对位置,并不影响螺旋边缘态的拓扑性.而退相干杂质对自旋拓扑边缘态的影响则完全不同于铁磁和弱磁场.退相干效应不会影响拓扑带隙的位置和宽度,但是会影响拓扑边缘态的稳定性.其中,自旋不守恒的退相干杂质对螺旋边缘态的影响更为明显,轻微的退相干效应便会引起自旋翻转,从而引起自旋相反的背散射,最终破坏自旋霍尔边缘态.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
量子阱论文参考文献
[1].孙伟业,邓军,何磊磊,杜欣钊.多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺[J].微纳电子技术.2020
[2].闫婕,魏苗苗,邢燕霞.HgTe/CdTe量子阱中自旋拓扑态的退相干效应[J].物理学报.2019
[3].郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳.δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）[J].发光学报.2019
[4].郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳.δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）[J].发光学报.2019
[5].魏一,储怀龙,赵纪军.效率15.05%!首次发现并制备具有反向量子阱分布的高稳定2D钙钛矿太阳能电池[J].物理.2019
[6].刘轩,王美玉,李毅,朱友华.阶梯状量子阱结构对蓝光GaN基LED性能的改善[J].半导体技术.2019
[7].熊迪,郭文涛,郭小峰,刘海峰,廖文渊.1.55μmAlGaInAs/InP小发散角量子阱激光器的仿真和制备（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[8].杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报.2019
[9].赵永红,孙芳魁,丁卫强,刘燕玲.硅基Si/Si_(0.65)Ge_(0.35)多量子阱APD响应特性的研究[J].黑龙江大学自然科学学报.2019
[10].刘红梅,董丽娟,吕良宇.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计[J].山西大同大学学报(自然科学版).2019
论文知识图
