导读:本文包含了中频溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:中频,磁控溅射,薄膜,光谱,涂层,选择性,波导。
中频溅射论文文献综述
何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊[1]（2019）在《磁场对中频溅射阴极刻蚀作用机理研究》一文中研究指出军事、医学和航空航天等诸多领域对光学薄膜的需求与日俱增,而光学薄膜大多为氧化膜,中频磁控技术是制备氧化物光学薄膜的主要方法。中频溅射阴极作为核心部件,其刻蚀状态对膜层质量具有至关重要的作用。靶材的刻蚀与很多因素有关,包括真空室气体压力、温度及靶功率等。研究表明,磁场是控制靶材刻蚀的关键因素,直接关系到靶材利用率和沉积薄膜的特性。本文利用可移动式磁铁结构研究磁场对中频溅射阴极的影响机制。首先对靶材表面的磁场分布进行了仿真,然后利用高斯计对靶材表面的磁场分布进行了测量,最后对靶材的刻蚀剖面进行了表征,与仿真结果进行了比较研究。在本实验中,特别设计了可移动圆柱形磁铁结构,通过改变其位置控制弯道的刻蚀行为。研究发现:圆柱磁铁的运动控制靶面弯道处(距离靶材边缘15 mm-25 mm)的磁场,靶材表面其他位置的磁场基本不发生变化。进一步研究发现:在垂直磁场分量为零的地方,靶材刻蚀最深,该位置等离子体密度最大。此外,对靶材表面水平磁场进行分析,结合刻蚀形貌,发现水平磁场影响靶材刻蚀跑道的深度和宽度,水平磁场越大,刻蚀越剧烈,刻蚀宽度相应减小。垂直磁场和水平磁场均对靶材刻蚀有一定作用,本文提出靶材刻蚀角(空间磁场与靶面的夹角)作为衡量刻蚀情况的预测性指标。由于刻蚀弯道处磁场受圆柱磁铁的影响,因此通过仿真可以预测靶材的刻蚀位置。本文的研究结果可为阴极结构设计和提高靶材利用率的镀膜工艺开发提供参考。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
付志强,王成彪,岳文,彭志坚,郭文利[2]（2011）在《Al-AlN太阳能选择性吸收涂层的中频溅射工艺研究》一文中研究指出探讨了AlN膜和渐变Al-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术,结果表明:增大铝靶电流或减小氩气流量有助于改善AlN反应溅射的工艺稳定性;随着氮气流量的增加,AlN膜的N/Al原子比增大,减小氩气流量或增大铝靶电流对制备满足理想化学计量比的AlN膜有利;AlN膜的致密性随氮气流量和铝靶电流的增大而改善,但氩气流量对AlN致密性没有明显影响;制备的渐变Al-AlN选择性吸收涂层可见光反射率低于6%。光谱选择性较好。(本文来源于《太阳能学报》期刊2011年12期）
汪振中[3]（2011）在《AIN薄膜中频溅射制备及体声波谐振器研制》一文中研究指出随着无线通信的迅速发展,数据通信的中心频率提升到GHz以上,而射频滤波器,作为通信系统中信号处理的一个重要部件,越来越引起人们的关注。体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator, FBAR)是一种新型滤波器,相对于介质滤波器和表声波滤波器,具有工作频率高,Q值高,功率容量大,而且与半导体工艺兼容等优点,具有良好的发展前景。高质量C轴择优取向的AlN薄膜以及FBAR器件制备工艺是FBAR技术的核心部分。本论文主要以AlN薄膜和FBAR器件为研究内容,系统研究了中频磁控反应溅射参数对AlN薄膜质量的影响;并通过材料分析手段分析AlN薄膜;最后通过微细加工工艺制备FBAR器件。具体研究成果如下:首先,采用中频溅射在Si衬底上制备AlN薄膜,研究了氮分压、靶基距、溅射功率等参数对AlN薄膜质量的影响,实验发现:溅射功率、靶基距、氮分压均对AlN薄膜的C轴择优取向生长显着影响;通过参数优化,在烘烤温度为200 oC,气体流量Ar为80 sccm,N_2为18 sccm,靶基距为7 cm,功率为2000 W的条件下,分别在Si衬底、PI/Si衬底上制备出高质量C轴择优取向的AlN薄膜。其次,通过XRD、SEM、AFM、XPS、Raman等材料分析手段分析AlN薄膜。优化条件下制备的AlN薄膜,仅有AlN(002)峰,对其进行Omega扫描得到FWHM为5.7°;SEM断面分析,晶粒为纤维状生长,从底层到表面不断增大;AFM分析,粗糙度(RMS)为8.0 nm;EDS分析,AlN薄膜的铝氮比接近1:1,通过Raman分析AlN薄膜含有E2(high)声子峰和A1(TO)声子峰,E2(high)峰的FWHM为12.8 cm-1,计算得到应力为2.4 GPa。最后,通过微细加工工艺制备FBAR器件,测试了FBAR器件的电学性能,其电阻率为5.6GΩ?cm,介电常数为11,介电损耗为2.25%,谐振频率为1.82 GHz,S_(11)为-4.3 dB,机电耦合系数为5.4%。(本文来源于《电子科技大学》期刊2011-04-01）
付志强,王成彪,周家斌,高功申,王伟[4]（2011）在《渐变Ni-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术研究》一文中研究指出探讨Ni-AlN复合膜和渐变Ni-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术。结果表明:随着镍靶电流增加和铝靶电流减小,铝靶溅射由金属模式向反应模式转变对应的临界氮气流量降低,制备的Ni-AlN复合膜中镍含量增加,铝含量和氮/铝原子比减少,更容易产生游离铝。随着单层复合材料吸收层沉积时间的增加,Ni-AlN选择性吸收涂层由梯度渐变结构变成多层膜结构,在可见光范围的反射率降低;当单层复合材料吸收层沉积时间为10min时,Ni-AlN选择性涂层在可见光范围的反射率约为10%,具有良好的光谱选择性。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2011年01期）
陈振鹏,罗庆洪,杨会生,王燕斌[5]（2007）在《中频溅射法制备薄膜电池正极LiCoO_2薄膜结构的研究》一文中研究指出采用大型中频磁控溅射系统制备了全固态薄膜电池用LiCoO_2阴极薄膜材料,研究了退火前后其结构及形貌的变化。结果表明,沉积的LiCoO_2薄膜具有晶态结构;沉积状态薄膜的晶体取向决定着退火后薄膜的晶体择优取向,退火只是使晶粒更加完整,并使择优取向发展得更好;沉积过程的O_2/Ar(氧分压)对薄膜的晶体取向影响很大,适当控制沉积条件,采用工业规模的中频磁控溅射设备可以制备出取向良好的LiCoO_2薄膜阴极材料。(本文来源于《科技信息(科学教研)》期刊2007年31期）
林松盛,代明江,侯惠君,朱霞高,李洪武[6]（2005）在《离子源辅助中频溅射(Cr,Ti,Al)N薄膜的制备与力学性能》一文中研究指出TiN基硬质薄膜的研究从20世纪70～80年代开始,至今已取得很大的进展,并得到广泛的工业应用,如在工模具表面沉积TiN硬质薄膜可明显提高使用寿命,但在某些应用领域(如高速切削)却受到一定限制,主要由于其抗高温氧化性和高温稳定性不够理想,硬度还不够高等。为了改善TiN薄膜的高温稳定性并进一步提高硬度,在TiN中加入Al形成了高硬度、抗高温氧化的TiAlN涂层。但随着加工业的发展,对工模具提出了更高的要求,人们在TiAlN涂层的基础上引入了Cr、Zr、V等其它金属元素,形成多元化合物薄膜.同时,由于Cr、(本文来源于《TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2005-09-01）
宋琦,宋昌烈,高景生,李成仁,李淑凤[7]（2005）在《中频溅射技术制备镱铒共掺Al_2O_3光波导》一文中研究指出在硅单晶(100)衬底上用热氧化法氧化一层SiO2做缓冲层,在高纯铝靶上镶嵌金属Yb,Er,然后用中频磁控溅射法制备了镱铒共掺杂氧化铝薄膜。讨论了靶电压及沉积速率随氧流量的变化的磁滞回线效应,分析得出了沉积氧化物薄膜的最佳氧流量。在室温下检测到了薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),并在光学掩模下用BCl3离子束对薄膜样品进行刻蚀,得到条形光波导。(本文来源于《激光技术》期刊2005年04期）
宋琦,宋昌烈,李成仁,李淑凤,李建勇[8]（2005）在《基于中频溅射的掺铒Al_2O_3薄膜的光致发光特性》一文中研究指出利用中频磁控溅射方法沉积制备了掺铒Al2O3薄膜,室温下测量了薄膜在1535nm波长处的光致发光光谱和抽运功率、掺铒浓度、退火温度对光致发光光谱强度的影响。结果表明,在真空气压为2×10-1Pa,氩气流量为70cm3/s,氧气流量为25～45cm3/s的条件下,最佳掺铒浓度为1.0at%,最佳退火温度为850℃。(本文来源于《光学技术》期刊2005年04期）
高景生,宋昌烈,李成仁,李淑凤,宋琦[9]（2004）在《中频溅射技术沉积镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光》一文中研究指出用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2cm×2cm),在室温下检测到薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),讨论了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响。扫描电镜(SEM)观察分析表明,中频孪生靶溅射法沉积的薄膜致密、均匀、光学缺陷少。实验结果表明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的增加而饱和,最佳的镱铒共掺杂比例9∶1,最佳退火温度850℃,对各种实验结果给出了理论的解释。(本文来源于《光电子·激光》期刊2004年10期）
龚建华,王雅婷,贾庆云[10]（2003）在《用中频溅射沉积的大面积SiO_2膜层损伤机制的探讨》一文中研究指出大面积 Si O2 厚膜沉积可创造很高的附加值 ,但在规模生产中会出现严重的膜层损伤。本文针对这一现象进行机理探讨。(本文来源于《真空》期刊2003年04期）
中频溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
探讨了AlN膜和渐变Al-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术,结果表明:增大铝靶电流或减小氩气流量有助于改善AlN反应溅射的工艺稳定性;随着氮气流量的增加,AlN膜的N/Al原子比增大,减小氩气流量或增大铝靶电流对制备满足理想化学计量比的AlN膜有利;AlN膜的致密性随氮气流量和铝靶电流的增大而改善,但氩气流量对AlN致密性没有明显影响;制备的渐变Al-AlN选择性吸收涂层可见光反射率低于6%。光谱选择性较好。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
中频溅射论文参考文献
[1].何云鹏,毕诗博,张家乐,孙飞,王磊.磁场对中频溅射阴极刻蚀作用机理研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[2].付志强,王成彪,岳文,彭志坚,郭文利.Al-AlN太阳能选择性吸收涂层的中频溅射工艺研究[J].太阳能学报.2011
[3].汪振中.AIN薄膜中频溅射制备及体声波谐振器研制[D].电子科技大学.2011
[4].付志强,王成彪,周家斌,高功申,王伟.渐变Ni-AlN选择性吸收涂层的中频溅射技术研究[J].稀有金属材料与工程.2011
[5].陈振鹏,罗庆洪,杨会生,王燕斌.中频溅射法制备薄膜电池正极LiCoO_2薄膜结构的研究[J].科技信息(科学教研).2007
[6].林松盛,代明江,侯惠君,朱霞高,李洪武.离子源辅助中频溅射(Cr,Ti,Al)N薄膜的制备与力学性能[C].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005
[7].宋琦,宋昌烈,高景生,李成仁,李淑凤.中频溅射技术制备镱铒共掺Al_2O_3光波导[J].激光技术.2005
[8].宋琦,宋昌烈,李成仁,李淑凤,李建勇.基于中频溅射的掺铒Al_2O_3薄膜的光致发光特性[J].光学技术.2005
[9].高景生,宋昌烈,李成仁,李淑凤,宋琦.中频溅射技术沉积镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光[J].光电子·激光.2004
[10].龚建华,王雅婷,贾庆云.用中频溅射沉积的大面积SiO_2膜层损伤机制的探讨[J].真空.2003
论文知识图
