导读:本文包含了研磨液论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:水蛭,冷冻,融化,数值模拟
研磨液论文文献综述
倪开岭,缪培琪,李正,侯一哲,于洋[1]（2019）在《水质研磨液冷冻过程的数值模拟分析研究》一文中研究指出目的:对水蛭的冻融提取工艺进行研究。方法:本文在水蛭研磨液冷冻过程的实验检测数据基础上,分析得到其导热率、凝固温度和融合温度,并结合计算流体力学的典型理论,对其冷冻过程进行了模拟计算,并与实验结果进行对比分析。结果:水蛭研磨液的液相状态的导热率为0.5014 W/(m·K);完全结冰后的固相状下的导热率为1.656 W/(m·K),其融化温度为271.9 k,其凝固温度为269.1 k,平均冰点为270.55k。在水蛭研磨液完全冷冻为固体之前,其降温冷冻过程可以分成两个部分,第一部分是溶液温度快速降低过程;第二部分是溶液冷凝缓慢降温过程。结论:水蛭研磨液冷冻过程受到容器尺寸的影响较大,传热距离较短的容器对其冷冻效果较好,当其处在较低外界冷冻环境中,进一步降低冷冻温度可能不会对其冷冻时间有等比例的提升。并在最后得到了水蛭研磨液的最佳冷冻工艺条件。(本文来源于《广东化工》期刊2019年03期）
黄传锦,周海,朱永伟,徐晓明,李军[2]（2019）在《研磨液在氧化镓晶体研磨中的作用》一文中研究指出氧化镓晶体易解理,严重阻碍了研磨过程中晶体表面质量的提升。根据摩擦学原理建立边界润滑磨损模型,探索了不同研磨液在研磨过程中的作用机理。针对晶体的解理特性,依据理论模型依次采用水、油作为研磨液对氧化镓进行加工实验研究。结果表明:首先水磨,晶体表面由粗研磨产生的解理现象得到有效抑制,表面粗糙度Ra由粗研磨后的325 nm降至70 nm;然后油磨,晶体表面的微解理缺陷逐步消失,表面粗糙度Ra由水磨后的70 nm降至24 nm。该研究为易解理晶体的精研磨提供有益参考。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2019年01期）
范辉[3]（2018）在《研磨液悬浮性对硅片加工的影响研究》一文中研究指出本文介绍了硅片加工过程中研磨液对研磨加工工艺的影响,重点研究研磨液悬浮性对于研磨加工的作用。通过在研磨液中加入不同质量百分比的悬浮液进行硅片研磨的对比试验,确定了在研磨液加入适合比例的悬浮液能有效的降低裂片率,对研磨生产工艺具有现实的指导意义。(本文来源于《城市建设理论研究(电子版)》期刊2018年05期）
李哲[4]（2017）在《半导体研磨液的研究及应用》一文中研究指出研磨是半导体加工过程中的一项重要工艺,它主要是应用化学研磨液混配磨料的方式精密而高效的对半导体表面进行加工,研磨液是影响半导体表面质量的重要因素。本文着重对研磨液的机理、研究开发现状、应用展望进行探讨。(本文来源于《化工管理》期刊2017年11期）
[5]（2017）在《安集微电子CMP研磨液打破外国垄断》一文中研究指出在芯片生产过程中,有一道重要的工序,化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing),又称化学机械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization,缩写CMP),加工中要用到一种化学添加剂,也就是研磨液。研磨液是平坦化工艺中研磨材料和化学添加剂的混合物,研磨材料主要是石英、二氧化铝和氧化铈,(本文来源于《集成电路应用》期刊2017年04期）
李晶[6]（2017）在《硅片研磨液的研究》一文中研究指出伴随着IC制造技术的迅猛发展,IC技术已经渗透到我们生活的各个角落。为了满足IC封装的要求,芯片的厚度不断降低。因此对硅片表面的质量有个更高的要求。介绍了硅片的研磨过程和研磨液的作用,对国内主流研磨液进行了简单的介绍,分析了它们的优缺点。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2017年01期）
樊树斌[7]（2016）在《研磨液对硅片加工的发展前景》一文中研究指出在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加;通过改进研磨液,不但可以把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学、机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析,得到了硅片表面状态的改善和提高生产效率的结果。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2016年11期）
冯顺卿,陈钰欣,姚骏骅[8]（2016）在《离子色谱法同时测定研磨液中氨叁乙酸、柠檬酸和磷酸盐》一文中研究指出研究了研磨液中氨叁乙酸、柠檬酸和磷酸盐的离子色谱-抑制电导测定方法。采用Ion Pac AS11(4 mm×250 mm)分析柱以及相应的保护柱Ion Pac AG11(4 mm×50 mm),以20 mmol/L Na OH:H2O梯度洗脱,流速1.00 m L/min,进样量25μL。氨叁乙酸、柠檬酸和磷酸盐质量浓度与其峰面积具有良好的线性和重复性,相关系数均不低于0.999,其检出限分别为0.02,0.02和0.05 mg/L。方法适用于研磨液中氨叁乙酸、柠檬酸和磷酸盐含量的测定。(本文来源于《分析试验室》期刊2016年11期）
商旭静[9]（2016）在《油基碳化硅研磨液的研究》一文中研究指出油基研磨液作为精密加工领域不可或缺的一部分,不仅具有磨削去除作用,还具有清洗、润滑和防锈等性能。碳化硅(SiC)具有高硬度、抗氧化、韧性大、耐磨损等优良性能,它的磨削效率高于刚玉,却有着低于金刚石的价格,因而是研磨制品中磨料的理想选择。然而,碳化硅表面具有很强的亲水疏油性,目前有关碳化硅悬浮性的报道仅局限在水性介质或醇类介质中。要想制备性能优异的油基碳化硅研磨液,碳化硅在油基介质中的分散稳定性必须得到解决。本文选用聚α-烯烃(PAO6)和叁羟甲基丙烷油酸酯(TMPTO)作为研磨液的油基介质,Span60、Tech-5080、Tech-6300作为分散剂,γ-氨丙基叁乙氧基硅烷(KH550)和γ-巯丙基叁甲氧基硅烷(KH590)作为SiC表面处理的偶联剂,选用碘十六烷对SiC表面进行二次改性。通过粘度、接触角、悬浮性、红外(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段分析研究,探讨了分散剂、偶联剂及工艺参数对制备油基SiC研磨液的影响。实验结果表明:PAO6和TMPTO按体积比1:1混合时,是该体系最佳的分散介质;表面活性剂Span60、Tech-5080、Tech-6300中,Tech-5080的分散性能最好,且含量为固相含量的0.5wt%时浆料分散稳定性最好。使用硅烷偶联剂对SiC颗粒进行表面疏水改性时,KH590的改性效果优于KH550,且最佳工艺参数为:用量0.3克,改性温度75℃,改性时间4h;此时,可获得的SiC-KH590粉体的表面接触角最大值为106.8°。使用碘十六烷对SiC-KH590粉体进行二次改性后,表面接触角提升为127.5°。通过X射线光电子能谱分析(XPS)、FTIR等系列表征手段证明表面改性剂确是通过化学键的形式键接在SiC颗粒表面。(本文来源于《天津大学》期刊2016-11-01）
乔泽民,李俊烨,张雷,张心明[10]（2016）在《磨粒流研磨液颗粒特性的耗散粒子动力学数值模拟》一文中研究指出采用了耗散粒子动力学(DPD)模拟方法,选取叁种常用的磨粒晶胞团簇模型进行DPD仿真模拟,建立叁种晶胞团簇模型、得到DPD条件下的温度、压力及晶格坐标下压力张量及压力差异系数等的变化趋势,结果发现碳化硅磨粒压力及温度变化性质都较稳定,力学性能最好;进一步对碳化硅磨粒晶胞团簇模型分析,得到稳定状态后的压力为22.6Pa,温度为1.0KT。(本文来源于《长春理工大学学报(自然科学版)》期刊2016年05期）
研磨液论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化镓晶体易解理,严重阻碍了研磨过程中晶体表面质量的提升。根据摩擦学原理建立边界润滑磨损模型,探索了不同研磨液在研磨过程中的作用机理。针对晶体的解理特性,依据理论模型依次采用水、油作为研磨液对氧化镓进行加工实验研究。结果表明:首先水磨,晶体表面由粗研磨产生的解理现象得到有效抑制,表面粗糙度Ra由粗研磨后的325 nm降至70 nm;然后油磨,晶体表面的微解理缺陷逐步消失,表面粗糙度Ra由水磨后的70 nm降至24 nm。该研究为易解理晶体的精研磨提供有益参考。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
研磨液论文参考文献
[1].倪开岭,缪培琪,李正,侯一哲,于洋.水质研磨液冷冻过程的数值模拟分析研究[J].广东化工.2019
[2].黄传锦,周海,朱永伟,徐晓明,李军.研磨液在氧化镓晶体研磨中的作用[J].硅酸盐学报.2019
[3].范辉.研磨液悬浮性对硅片加工的影响研究[J].城市建设理论研究(电子版).2018
[4].李哲.半导体研磨液的研究及应用[J].化工管理.2017
[5]..安集微电子CMP研磨液打破外国垄断[J].集成电路应用.2017
[6].李晶.硅片研磨液的研究[J].电子工业专用设备.2017
[7].樊树斌.研磨液对硅片加工的发展前景[J].电子工业专用设备.2016
[8].冯顺卿,陈钰欣,姚骏骅.离子色谱法同时测定研磨液中氨叁乙酸、柠檬酸和磷酸盐[J].分析试验室.2016
[9].商旭静.油基碳化硅研磨液的研究[D].天津大学.2016
[10].乔泽民,李俊烨,张雷,张心明.磨粒流研磨液颗粒特性的耗散粒子动力学数值模拟[J].长春理工大学学报(自然科学版).2016