导读:本文包含了薄膜理论论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,理论,裂缝,厚度,介质,温度,转炉。
薄膜理论论文文献综述
江彤,ERLICHER,Silvano,李国强,RUOCCI,Gianluca,HUGUET,Miquel[1]（2016）在《基于开裂薄膜理论的剪力墙受剪工况下斜裂缝程序化计算方法研究》一文中研究指出提出了基于开裂薄膜理论(Cracked Membrane Model)的程序化斜裂缝计算方法,并利用此方法对有限元分析得到的单元应力场进行计算,从而得到墙体斜裂缝的宽度、间距和倾角,并与法国国家科研项目CEOS.FR框架下进行的钢筋混凝土剪力墙受剪试验得到的结果进行了对比。计算时,分别采用叁个不同规范的裂缝间距计算公式和开裂薄膜理论推导公式进行对比分析,进而得出这些公式在计算墙体斜裂缝时的差异与准确性。(本文来源于《结构工程师》期刊2016年04期）
金光,田瑞,武文斐,李小川[2]（2011）在《基于“薄膜理论”的单个水滴在高温烟气中蒸发参数研究》一文中研究指出针对干法除尘蒸发冷却器中高温转炉烟气条件下的单颗粒水滴蒸发过程进行了研究,在传统液滴蒸发模型的基础上,引入了"薄膜理论",建立了一个简化的蒸发模型,在模型中考虑了随温度变化的热物性参数、Stefan流、以及液滴瞬态加热等因素对水滴蒸发过程的影响,得到了瞬间蒸发速率、液滴表面温度、液滴直径随蒸发时间的变化规律,以及烟气温度、液滴初始直径对蒸发过程的影响规律.为进一步研究干法除尘转炉烟气中液滴蒸发机理奠定一定的理论基础.(本文来源于《河北工业大学学报》期刊2011年01期）
薛原[3]（2009）在《原子层淀积超薄TiN和Al_2O_3薄膜理论及基于硒纳米线的MOS器件研究》一文中研究指出自从1958年第一块集成电路问世以来,微电子技术的发展非常迅速。微电子技术的发展目标是不断提高集成系统的性能和性能价格比,提高芯片的集成度,这是不断缩小半导体器件特征尺寸的动力源泉。为了提高性能和降低成本,50多年来集成电路的发展一直遵循着着名的摩尔定律。随着集成电路器件特征尺寸的缩小,新材料、新器件和新工艺不断涌现。原子层淀积(ALD)就是其中的一种新工艺。它可以用来制备超薄的高k栅介质,也可以用来制备先进铜互连的超薄扩散阻挡层。同时,在DRAM上也经常用来制备高密度电容的介质。本文对原子层淀积TiN和Al_2O_3薄膜开展了系统的理论研究,此外,我们还研究了基于Se纳米线的MOSFET的制备及电学特性。论文结果对原子层淀积技术在纳米集成电路中的应用具有重要指导意义。论文首先研究了在SiOC低k互连介质上原子层淀积TiN阻挡层的初始生长机理。研究发现,对于TiCl_4吸附于Si-OH基团的反应机理。首先由于-OH的极性作用,TiCl_4分子的Cl-Ti-Cl键角变大并逐渐靠近-OH。随后TiCl_4中的一个Cl原子和-OH中的H原子结合并脱附于表面,需要克服一个较小的反应势垒。而反映产物的能量要低于反应物8.71 kcal/mol,这说明该反应很容易朝着反应产物方向进行。对于TiCl_4在Si-CH_3基团上的吸附反应,研究发现由于-CH_3的极性作用较弱,TiCl_4分子的Cl-Ti-Cl键角略有变大,与-CH_3相对位置基本不变,不易靠近介质表面。由此可知,TiCl_4很难在Si-CH_3表面产生吸附反应。研究表明,NH_3在Si-O-TiCl_3表面上很容易吸附,然后在经过一个化学吸附态(-16.05kcal/mol)和过渡态(13.3kcal/mol)以后,形成一个不稳定的产物(11.24kcal/mol)。NH_3在Si-CH_2-TiCl_3表面上的吸附可以进行,尽管没有在Si-O-TiCl_3表面上容易。NH_3在Si_2-CH-TiCl_3表面上的吸附比较容易,当然也同样需要经过一个较高势垒的过渡态(14.26kcal/mol),并形成一个不是很稳定的产物(9.23kcal/mol)。综合计算结果,在SiOC低k互连介质上用ALD生长超薄的扩散阻挡层TiN薄膜,并不是一件容易的事情。很多实验已经证明,在热生长ALD反应腔的确很难实现TiN的生长。因此,采用等离子体增强的ALD,为反应提供额外的能量,才能实现原子层淀积TiN薄膜。论文研究了在具有半导体性质的单壁碳纳米管上ALD生长Al_2O_3高k栅介质的反应机理。研究发现,由于高达1.94 eV的反应势垒,使得H_2O分子很难在SWCNT上产生吸附。H_2O的分离念能量比反应物高出0.20 eV,这表明反应产物是不稳定的。计算出的H_2O分子向SWCNT转移的电荷为0.025 e~-,表明H_2O与SWCNT有弱物理相互作用。在最终态过程中,H_2O分子的-H和-OH基团是在C(1)和C(2)原子位解吸附,形成C-H键(d_(C-H)=1.10(?))和C-O键(d_(c-o)=1.48(?))。我们发现,C-H键压缩和C-O键伸展的振动频率分别为1280 cm~(-1)和998 cm~(-1),这与先前的傅里叶变换(FT)得出的红外光谱数据相一致。研究表明,TMA在SWCNT上很容易发生吸附反应,并且最终产物相当稳定。TMA趋向于吸附在SWCN上的-OH表面位,这是通过Al原子和O原子的之间的相互作用而实现的,其吸附能为0.80 eV。由于-OH表面位的H原子和TMA的-CH_3基团结合,一个CH_4分子将被释放出来。计算出的反应势垒为0.65 eV,这与反应物的相对能量为-1.70 eV,由此可判断出生成的最终产物是稳定。这些计算表明,在SWCNT上的羟基官能团可以帮助分子更容易吸附。此外,我们发现H_2O和TMA的吸附不会的对SWCNT的电子结构产生很大的影响。用聚焦离子束(FIB)方法,我们制作了Se纳米线MOSFET,并研究了其电学特性。研究发现,在有光照情况下,不同V_(ds)的沟道电流都有明显的提高,这说明Se纳米线因其自身的光敏特性,使器件具有的光开关特性。通过对转移特性曲线研究,器件显示出p沟道耗尽型MOSFET的特性。V_(ds)从2.5v增加到5v时沟道电流大约有一个数量级的提高,并且阈值电压向正方向偏移。这是因为源漏电压变大时,相同栅极电压的沟道电流变大,对于P沟道耗尽型器件,需要用更大的正向电压来截断导电的沟道。同时,源漏电压变大时,也会相应导致反向电流变大。分析表明在有无光情况下I_(on)/I_(off)基本一致,约为10~2,阈值电压V_(th)约为-2V。通过计算,该器件与实际Se材料的电阻率基本一致,约为10~2Ω·cm。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-03-31）
陈飞熊,宋战平,李宁[4]（2006）在《基于吸附薄膜理论的正冻土水分驱动力模型探讨》一文中研究指出土中水分迁移的动力势问题是探讨水分迁移成冰机理以及研究冻胀、冻土内应力等冻土工程问题的关键所在。论文基于吸附薄膜理论,根据饱和冻土体内各相成分之间水、热、力耦合产生的变形在体积含量上的变化,利用质量守恒原理建立起各相成分的变形协调条件,推导出饱和冻土体的连续性方程,建立了高围压下的新的冻土的水分驱动力模型。(本文来源于《水利与建筑工程学报》期刊2006年03期）
常学森,巴德纯,闻立时,刘坤,杜昊[5]（2006）在《二氧化钛功能薄膜理论分析与研究进展》一文中研究指出介绍了二氧化钛薄膜在催化和亲水方面的特性,对已有结论作了客观分析比较后,肯定了二氧化钛薄膜催化作用的一个重要的前提条件是电子空穴的保持和有效的传输,到达催化分界面。并且二氧化钛薄膜亲水作用的另一个重要条件是吸附中心必须合理分布的观点。本文对二氧化钛薄膜的气敏和湿敏特性进行了简单介绍,指出了二氧化钛薄膜除了催化和亲水的应用外,在传感器领域也将占有重要的一席之地。(本文来源于《真空》期刊2006年02期）
常学森,巴德纯,闻立时,刘坤[6]（2005）在《二氧化钛功能薄膜理论分析与研究进展》一文中研究指出本文介绍了二氧化钛薄膜在催化和亲水方面的特性,对已有结论作了客观分析,提出了二氧化钛薄膜催化作用的另一个重要的前提条件是电子空穴的保持和有效的传输,并且到达催化分界面的新观点。提出了二氧化钛薄膜亲水作用的另一个重要的条件是吸附中心必须合理分布的观点。本文对二氧化钛薄膜的气敏和湿敏特性进行了介绍,指出了二氧化钛薄膜除了催化和亲水的应用外,在传感器领域也将占有重要的一席之地。(本文来源于《2005'全国真空冶金与表面工程学术会议论文集》期刊2005-07-01）
何迅[7]（2003）在《倒锥壳水塔水箱按边缘干扰理论及薄膜理论内力计算比较》一文中研究指出通过对 5 0m3 和 3 0 0m3 倒锥壳水塔水箱按边缘干扰理论及薄膜理论计算结果的比较 ,说明壳体边缘处的干扰力对壳体边缘附近受力状态的影响 ,以及较大容积的倒锥壳水箱边缘处干扰力的影响不可忽视。(本文来源于《铁道标准设计》期刊2003年10期）
盛家田,李沄生,冯庭桂,张利发,李蒙[8]（2001）在《辐射烧蚀CH薄膜理论研究》一文中研究指出研究CH材料辐射烧蚀对研究辐射对靶丸的烧蚀规律是十分重要的。通过对CH材料烧蚀厚度,烧穿时间,出外界面辐射流等物理量研究,从理论上加深对辐射烧蚀规律和特性的认识,以便更有效地校对程序,使得内爆压缩过程模拟更精确。采用RDMG一维辐射输运程序详细计算和分析了平板CH靶厚度(1-30μm)对辐射烧蚀的影响。(本文来源于《中国工程物理研究院科技年报（2001）》期刊2001-06-30）
盛家田,李沄生,冯庭桂,张利发,李蒙[9]（2001）在《辐射烧蚀CH薄膜理论计算与实验比对分析》一文中研究指出采用一维非平衡辐射输运RDMG程序,利用实验中的黑腔靶辐射场和辐射温度作为源,采用平衡和非平衡两种光子能谱,对每一发实验进行了模拟计算,通过平板CH辐射烧蚀的理论计算和实验结果比对获得了一些定性和半定量结果。这些结果为今后CH材料辐射烧蚀实验提出了更明确的目标和内容,并为今后理论设计内爆靶丸提供了更可靠的基(本文来源于《中国工程物理研究院科技年报（2001）》期刊2001-06-30）
张晓峰[10]（1999）在《用薄膜理论确定Si_3N_4陶瓷水解反应过程中的平均传质系数k°_(cm)》一文中研究指出根据Ｌｅｗ ｉｓ 和Ｗ ｈｉｔｍ ａｎ 的薄膜理论，对Ｓｉ３Ｎ４ 陶瓷水解反应过程中的平均传质系数ｋ°ｃｍ 的计算提出了一种新的方法，并讨论了用八田数Ｈａ 对ｋ°ｃｍ 修正的条件。(本文来源于《机械科学与技术》期刊1999年06期）
薄膜理论论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对干法除尘蒸发冷却器中高温转炉烟气条件下的单颗粒水滴蒸发过程进行了研究,在传统液滴蒸发模型的基础上,引入了"薄膜理论",建立了一个简化的蒸发模型,在模型中考虑了随温度变化的热物性参数、Stefan流、以及液滴瞬态加热等因素对水滴蒸发过程的影响,得到了瞬间蒸发速率、液滴表面温度、液滴直径随蒸发时间的变化规律,以及烟气温度、液滴初始直径对蒸发过程的影响规律.为进一步研究干法除尘转炉烟气中液滴蒸发机理奠定一定的理论基础.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜理论论文参考文献
[1].江彤,ERLICHER,Silvano,李国强,RUOCCI,Gianluca,HUGUET,Miquel.基于开裂薄膜理论的剪力墙受剪工况下斜裂缝程序化计算方法研究[J].结构工程师.2016
[2].金光,田瑞,武文斐,李小川.基于“薄膜理论”的单个水滴在高温烟气中蒸发参数研究[J].河北工业大学学报.2011
[3].薛原.原子层淀积超薄TiN和Al_2O_3薄膜理论及基于硒纳米线的MOS器件研究[D].复旦大学.2009
[4].陈飞熊,宋战平,李宁.基于吸附薄膜理论的正冻土水分驱动力模型探讨[J].水利与建筑工程学报.2006
[5].常学森,巴德纯,闻立时,刘坤,杜昊.二氧化钛功能薄膜理论分析与研究进展[J].真空.2006
[6].常学森,巴德纯,闻立时,刘坤.二氧化钛功能薄膜理论分析与研究进展[C].2005'全国真空冶金与表面工程学术会议论文集.2005
[7].何迅.倒锥壳水塔水箱按边缘干扰理论及薄膜理论内力计算比较[J].铁道标准设计.2003
[8].盛家田,李沄生,冯庭桂,张利发,李蒙.辐射烧蚀CH薄膜理论研究[C].中国工程物理研究院科技年报（2001）.2001
[9].盛家田,李沄生,冯庭桂,张利发,李蒙.辐射烧蚀CH薄膜理论计算与实验比对分析[C].中国工程物理研究院科技年报（2001）.2001
[10].张晓峰.用薄膜理论确定Si_3N_4陶瓷水解反应过程中的平均传质系数k°_(cm)[J].机械科学与技术.1999
论文知识图
