导读:本文包含了紫外探测器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:探测器,效应,深紫,类同,电化学,外延,无机。
紫外探测器论文文献综述写法
侯爽,刘庆,邢志阳,钱凌轩,刘兴钊[1]（2019）在《Sn掺杂对Ga_2O_3基日盲紫外探测器性能的影响研究》一文中研究指出为了提高Ga_2O_3基日盲紫外探测器的性能,本文使用分子束外延方法对β-Ga_2O_3薄膜进行Sn掺杂,并制备成MSM型日盲紫外探测器。结果表明,Sn掺杂可以改变薄膜晶体结构,使氧化镓薄膜由单晶向多晶相转变。同时,Sn掺杂紫外探测器的光电流和响应度相比于未掺杂器件产生了较大的提升,在254 nm、42μW/cm~2紫外光照下,Sn源温度900℃制备的薄膜探测器响应度为444.51 A/W,远高于未掺杂器件。此外,器件的-3 dB截止波长从252 nm调整到274 nm,表明Sn掺杂可以有效调控紫外响应的波长。Sn掺杂也会引入杂质能级,导致器件时间响应特性变差。(本文来源于《光电工程》期刊2019年10期）
[2]（2019）在《研制GIS腔体紫外探测器装置》一文中研究指出一、小组简介二、选择课题(一)课题背景我国从20世纪80年代起对气体绝缘组合电器设备(GIS)的使用日益广泛,特别是近年城市电网的建设和改造,GIS设备得到广泛应用。对于GIS的日常局部放电检测,紫外光信号往往被忽略,然而紫外检测具有排除现场杂乱信号干扰、迅速找到故障信号的优势。因此,开展GIS紫外检测探索提上了检修人员议事日程。(本文来源于《中国质量》期刊2019年10期）
胡轶,徐思伟,李想,贾杰,桑丹丹[3]（2019）在《自供能ZnO/ZnS异质结紫外探测器的性能研究》一文中研究指出用化学浴法在ZnO纳米棒表面沉积ZnS制备出ZnO/ZnS核壳纳米棒阵列,使用SEM、XRD和XPS等手段表征了样品的形貌、结构和成分。结果表明,ZnO/ZnS核壳纳米棒阵列表面粗糙,生长致密、分布均匀,其平均直径约为150 nm。以Pt为对电极组装的自供能ZnO/ZnS异质结紫外探测器,对紫外光具有很好的探测性能,能循环工作且性能稳定。这种探测器对微弱的紫外光也有较强的响应和较高的光敏性,且随着光强度的提高光电流密度线性增大。与自供能ZnO纳米棒紫外探测器相比,ZnO/ZnS异质结紫外探测器具有更高的响应速度,上升时间和下降时间分别提高到0.02 s和0.03 s。(本文来源于《材料研究学报》期刊2019年07期）
孟瑞林,姬小利,张勇辉,张紫辉,毕文刚[4]（2019）在《热氧化GaN制备的β-Ga_2O_3基日盲紫外探测器》一文中研究指出利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成叁维孔隙状β-Ga_2O_3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga_2O_3薄膜制备成MSM型β-Ga_2O_3基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×10~3%,探测率D*达到了2.03×10~(14) Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年05期）
方向明,李想,贾杰,桑丹丹,高世勇[5]（2019）在《Ag修饰TiO_2纳米管紫外探测器的构筑及性能研究》一文中研究指出以液相沉积法在FTO衬底上制备了TiO_2纳米管阵列,在室温下利用光沉积法在TiO_2纳米管表面修饰金属纳米Ag颗粒,并采用SEM、EDS、XRD对样品的形貌、成分、结构等进行表征.实验结果表明,制备的TiO_2纳米管分布均匀,由锐钛矿相组成,并在管壁有明显的纳米Ag颗粒附着.以Pt为对电极制备了Ag/TiO_2纳米管紫外探测器,光响应测试结果表明,Ag/TiO_2纳米管紫外探测器具有可见光盲特性,可以实现对紫外光的探测.与TiO_2纳米管紫外探测器相比,Ag修饰TiO_2纳米管紫外探测器光电流密度提高至91μA/cm2,开关比可达2 251,紫外探测性能显着提高.(本文来源于《光子学报》期刊2019年06期）
李建婷,孟锡俊[6]（2019）在《氮化镓基PIN紫外探测器芯片研究》一文中研究指出通过对氮化镓基PIN紫外探测器不同外延结构及芯片制备工艺的研究,发现探测器性能和外延层结晶质量及芯片制备工艺有很大的关系。采用ITO扩展电极制备的探测器反向漏电很大,暗电流高,采用Ni/Au半透明电极制备的探测器芯片,光电流相对ITO透明电极有一定程度的降低,但能保证较低的暗电流,防止器件漏电。(本文来源于《电子测试》期刊2019年11期）
杨佳霖[7]（2019）在《CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器的设计制备及其界面效应的研究》一文中研究指出近年来,紫外探测技术已在臭氧层空洞检测、火焰预警、导弹预警等民用及军用领域得到了广泛的应用。作为紫外探测技术的核心部分,高性能的紫外探测器的制备及研究成为了目前一大研究热点。CH_3NH_3PbCl_3材料的光学带隙约为3.1 eV,对应的波长在紫外波段,而其作为有机-无机钙钛矿材料,具有高的载流子迁移率、长的载流子扩散距离以及高的光吸收率等优点,这使得CH_3NH_3PbCl_3材料非常适用于紫外探测领域。人们利用如体单晶、薄膜以及纳米结构的有机-无机钙钛矿材料制备了不同器件结构的光探测器,这些器件都显示出了良好的性能。尽管人们在有机-无机钙钛矿光探测领域取得了一系列重大的进展,但仍存在一些问题:有机-无机钙钛矿材料对于制备环境十分敏感,导致不同的制备条件制备出来的有机-无机钙钛矿器件的性能大不相同,此外,有机-无机钙钛矿会与空气中的水分子发生反应,从而使其在空气中快速分解,进而导致有机-无机钙钛矿器件性能在空中快速退化。最近,人们发现将有机-无机钙钛矿材料与无机半导体结合可以有效地提升有机-无机光探测器的性能及稳定性。然而这种增强机制仍不是十分清晰,此外,这种方法还未应用于有机-无机钙钛矿紫外探测器领域。ZnO材料因为其从可见盲到日盲连续可调的探测范围、高的电子饱和速率、原料丰富、环境友好等特点在紫外探测领域有着良好的应用前景。因此,将CH_3NH_3PbCl_3材料与ZnO材料相结合制备应该可以得到高性能的有机-无机异质结构紫外光探测器。根据上述的思路,本文开展了相关研究,并取得了一系列阶段性成果,其主要结果如下:1.高质量ZnO薄膜是制备高性能CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合紫外探测器的基础。因此我们利用MBE在c面蓝宝石上生长并制备了高质量的ZnO薄膜,探究空气退火、O_2退火以及O原子束流照射的方法对ZnO薄膜材料电阻的影响,这些后处理方法都在不同程度上减少了ZnO薄膜表面的O空位缺陷,进而提高了ZnO薄膜的电阻。此外,通过优化ZnO薄膜的生长条件,减小Zn源的束流,可以更好地降低ZnO薄膜的暗电流,结果表明这种优化方式可以有效地减少ZnO薄膜内部的O空位缺陷。随后我们对优化生长后的ZnO薄膜材料进行了空气和O_2的退火处理,当利用O_2以900℃对优化生长的ZnO薄膜进行退火处理后,其在10 V偏压下的暗电流为3.16μA,相比于未经过优化以及后处理的ZnO薄膜,在相同偏压下,其电流降低了3个数量级。2.利用经过优化并处理好的ZnO薄膜与CH_3NH_3PbCl_3结合首次制备了CH_3NH_3PbCl_3/ZnO垂直结构紫外探测器。研究了不同的CH_3NH_3PbCl_3制备方法以及不同的衬底对CH_3NH_3PbCl_3薄膜的影响,通过对比发现ZnO上的CH_3NH_3PbCl_3薄膜具有更加平整的表面形貌以及更好的晶体质量。随后我们对制备好的器件进行暗电流与光电流、响应度、I-t曲线以及稳定性的测试,我们发现相比于纯ZnO和纯CH_3NH_3PbCl_3紫外探测器,CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器的暗电流降低,响应度提高,响应速度提高。其中,CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器在1 V偏压下的峰值(~365 nm)响应度约为1.47 A/W,下降时间(90%-10%)约为1.2 s。更有趣的是,相比于纯CH_3NH_3PbCl_3紫外探测器,CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器显示出了更好的空气稳定性。3.利用瞬态吸收光谱对纯ZnO薄膜、纯CH_3NH_3PbCl_3薄膜以及CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合薄膜中的光生载流子动力学过程进行了详细地研究,通过与这几种薄膜的稳态吸收光谱和稳态光致发光光谱综合分析得到,在紫外光照射的条件下,CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合薄膜中会出现光生载流子从CH_3NH_3PbCl_3薄膜中向ZnO薄膜中转移的现象,而这种现象使得CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合薄膜中ZnO的近带边发光相比于纯ZnO薄膜有明显的增强。我们通过对CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合薄膜的光学性能及其紫外探测器的电学性能进行综合分析得到,ZnO上的CH_3NH_3PbCl_3薄膜更高的晶体质量以及CH_3NH_3PbCl_3/ZnO复合薄膜对光生载流子有效地分离与转移是CH_3NH_3PbCl_3/ZnO紫外探测器相比于纯ZnO和纯CH_3NH_3PbCl_3紫外探测器,各个性能指标都有所进步的主要原因。本论文的工作为高性能稳定的有机-无机钙钛矿光探测器的制备提供了有效的方法以及相对完整的物理图像。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
蒋科[8]（2019）在《AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究》一文中研究指出AlGaN材料是一种直接宽禁带半导体材料,其禁带宽度在6.2eV至3.4eV之间连续可调,是制备工作波长在210nm至365nm之间的紫外光电子器件的理想材料。基于AlGaN材料的日盲紫外探测器具有本征探测、波长可调、体积小、抗辐射、工作电压低等诸多优势,在诸多领域具有重要应用价值。然而,目前AlGaN基日盲紫外探测器性能还远未达到实际应用水平,这主要是因为异质外延中的晶格失配与热失配造成AlGaN材料质量的低下。此外,AlGaN基日盲紫外探测器的结构还有待优化。本论文围绕如何提高AlGaN材料质量及探测器性能展开研究。针对异质外延下AlGaN材料质量低下的问题,提出采用类同质外延的方法生长AlN和AlGaN材料,从而提高材料质量;针对AlGaN日盲紫外探测器性能低下的问题,提出利用极化效应提升探测器内量子效率,从而提高器件响应水平。本论文研究所取得的主要创新性成果总结如下:(1)利用类同质外延方法,实现了AlN材料质量提升,提出并证明了界面应力是缺陷演变驱动力。采用MOCVD技术在HVPE-AlN模板上类同质外延AlN材料的方法,实现了AlN外延层(10-12)面XRC-FWHM相比衬底降低102 arcsec;采用低温层改变界面应力状态的方法,研究了AlN类同质外延过程中的缺陷演变规律,证明了界面应力是位错演变的驱动力,同时还发现了不同种类位错演变所需驱动力的大小关系。(2)发现了大斜切角模板衬底上类同质外延AlGaN材料的组分不均匀性,成功解释了造成该组分不均匀性的原因,并利用“混合金属有机源预处理衬底表面”的方法有效抑制了该组分的不均匀性,同时应用“Carbon-Cluster”理论成功解释了该方法抑制组分不均匀的机制。采用MOCVD在HVPE-AlN模板上外延AlGaN时,AlGaN材料出现组分不均匀现象,这是由于衬底表面存在Macro-steps,同时Al原子与Ga原子又具有不同的迁移距离,造成Ga原子在Macro-steps的位置富集;采用“混合金属有机源”处理衬底之后,有机源高温分解形成的Carbon-Cluster有效阻挡了Al、Ga原子的迁移,消除了迁移距离的差异,从而抑制了组分的不均匀性。(3)发现了HVPE-AlN模板上类同质外延AlGaN材料的多个激子态和金属阳离子空位缺陷相关发射峰,并利用“混合金属有机源预处理衬底表面”的方法成功降低了激子态数目、抑制了金属阳离子空位缺陷相关的发光峰。采用变温PL测试方法研究类同质外延AlGaN材料的激子特性,发现两种组分的AlGaN材料均表现出多个激子态,并且激子态之间能量转移复杂,造成材料发光复杂,这主要是因为材料内的合金势垒振荡较大,而“混合金属有机源预处理衬底表面”则降低了合金势垒振荡,从而减少了激子态数目;此外,采用PL测试方法研究缺陷相关发射峰,发现类同质外延AlGaN材料存在(V_(cation-)complex)~(2-)缺陷相关的发射峰,而“混合金属有机源预处理衬底表面”能有效抑制该发射峰,这是因为该方法提供了富金属的生长条件,抑制了金属阳离子空位缺陷的产生。(4)提出利用极化电场特性优化AlGaN日盲紫外探测器结构,实现了高响应度的AlGaN基日盲紫外探测器。采用MOCVD技术在HVPE-AlN模板衬底上类同质外延极化增强结构AlGaN基日盲紫外探测器,获得了10 V偏压下1.42 A/W的峰值响应度,相比无极化增强情况提高了50倍。进一步的优化更实现了30 V偏压下3.11 A/W峰值响应度,证明了极化效应对探测器性能提升的重要作用。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
张德重[9]（2019）在《基于自耗尽效应的异质宽禁带半导体紫外探测器的研究》一文中研究指出高性能紫外探测器在军事、环境、医疗等领域具有广泛应用。随着半导体材料与器件的制备工艺不断进步,宽禁带半导体紫外探测器目前已成为紫外探测技术领域的研究热点。宽禁带材料自身不吸收可见光,能够有效弥补基于Si、GaAs等窄带隙半导体紫外探测器需要配合滤光设备进行工作的劣势,而且宽禁带材料种类众多,尤其包括多种氧化物材料如ZnO、TiO_2、Ga_2O_3、NiO等,这些材料性质稳定,制备方法多样且成本低,具有重要的研究意义。但宽禁带材料的一些固有不足如载流子迁移率低、激子寿命短,以及氧化物材料体内陷阱和缺陷多等,导致了器件暗电流较高,响应度偏低等问题。随着科技的发展,各应用领域对紫外光电探测器性能参数的要求不断提高,包括具有更高的光电流、更低的暗电流和更快的响应/恢复速度等。其中,降低器件的暗电流极为重要,可以有助于提高器件的信噪比和探测灵敏度,降低光强检测下限,使器件具有更广阔的应用前景。为了抑制器件暗电流,利用耗尽效应被证明是一种合理、有效的方法。本论文围绕光电导型异质复合材料及器件的制备,通过引入多子自耗尽效应等机制来改善器件暗电流等各方面性能,主要开展了以下研究工作:首先设计并制备了一种基于暗态自耗尽效应的TiO_2/NiO PN异质复合薄膜紫外探测器,其中TiO_2薄膜通过溶胶-凝胶法制备,NiO薄膜和器件的Ni/Au合金电极通过一种独特的氧化法同时制备。与基于单一薄膜材料的器件相比,异质复合薄膜器件的暗电流和噪声得到明显降低。在暗态下,PN异质结构产生的自耗尽效应使复合薄膜几乎全部处于耗尽区,复合材料体内的多子浓度被有效降低,器件表现为高阻值状态,在6 V偏压下的暗电流仅为0.033 nA,比单一薄膜器件低了两个数量级。当器件处于紫外光照下时,由于光生载流子的分离与积累,异质结构界面附近的内建电场被平衡,自耗尽效应被抵消,复合材料回到高电导率状态,使器件具有充足的光响应,最终器件的探测灵敏度达到了1.56×10~(14) Jones。器件的优化过程以及自耗尽效应的详细分析在本论文第二章中给出。本论文在第叁章中对ZnO基紫外探测器展开一系列研究。由于ZnO材料激子结合能较高,表面缺陷多,导致ZnO器件的光响应不足且暗电流较大。本论文通过在ZnO薄膜材料中引入局部异质结构产生自耗尽效应等机制,来改善器件各方面性能。首先通过溶液法制备了一种无需退火的N型ZnO纳米颗粒材料,然后在成膜过程中分别引入不同的P型材料,在混合薄膜中均匀分布并形成局部异质结构。在暗态下,异质结构内产生的多子耗尽区有效降低ZnO中的电子浓度,使整个薄膜的传输电子能力下降,从而降低了器件的暗电流。在紫外光照下,局部异质结构中产生的激子会在内建电场的作用下更快、更有效地分离,减小ZnO体内激子直接复合几率,从而降低电荷损失。在一定光强下,自耗尽效应将被完全抵消,异质材料器件展现出更高的光响应。在本论文的第四章中,首先通过水热法在FTO玻璃衬底表面制备了N型TiO_2一维纳米线阵列,然后通过静态沉积、动态溶剂清洗等实验手段,将P型有机宽禁带材料N,N'-二(萘-2-基)-N,N'-二(苯基)联苯-4,4'-二胺(NPB)填充于纳米线阵列的间隙中,并制备了基于该有机/无机杂化的异质一维光电导型器件。对于多数一维宽禁带氧化物材料,其特殊的纳米结构可使载流子的传输更高效,有助于获得更高的光响应和更快的响应/恢复速度。但是由于一维氧化物材料普遍含有大量缺陷,使材料体内多子浓度较高,导致器件的暗电流较大。本论文通过构建TiO_2/NPB异质复合结构,在暗态下产生多子自耗尽效应,有效降低TiO_2体内的自由电子浓度,从而降低器件暗电流。在紫外光照下,TiO_2/NPB异质结构中产生的激子将在内建电场的作用下发生分离,更多的光生电子流向TiO_2,同时内建电场被平衡,自耗尽效应被抵消,从而保证TiO_2纳米线具有较高的光电导。最终使器件在暗态和紫外光照下的各方面性能均得到有效改善。本论文研制了多种复合材料光电导型紫外探测器,通过形成异质结构产生多子自耗尽效应等机制,有效改善器件在暗态及紫外光照下的各方面性能,器件的暗电流、响应度、探测灵敏度等性能参数均有所提升。本论文为宽禁带半导体紫外光电探测器的材料选择,结构设计,以及器件工作机理分析等方面提供了有价值的参考。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
胡大强[10]（2019）在《β-Ga_2O_3的MOCVD生长及其日盲紫外探测器的研究》一文中研究指出β-Ga_2O_3作为一种新型的宽禁带半导体材料,不仅具有超宽的带隙和高耐压、低损耗特性,而且具有很好的化学和热稳定性,这使其在高功率器件以及日盲紫外探测器等方面具有广阔的应用前景。目前,β-Ga_2O_3材料的研究还处于初期阶段,针对β-Ga_2O_3材料的制备和相关性质研究还不够系统和深入。尤其是β-Ga_2O_3薄膜质量不高,限制了其在半导体器件上的应用。此外,β-Ga_2O_3的掺杂研究进展缓慢。虽然n型掺杂取得了一些进展,但仍需进一步研究以改善其电学性能,且β-Ga_2O_3的p型掺杂仍然是一个难题。本论文针对目前β-Ga_2O_3材料的研究热点和难点问题,采用高温氧化物MOCVD系统,围绕β-Ga_2O_3薄膜和一维纳米材料的生长、β-Ga_2O_3薄膜的掺杂以及β-Ga_2O_3基日盲紫外探测器制备几个方面开展了一些研究工作。具体研究内容如下:1.采用MOCVD工艺,在c面蓝宝石衬底上生长了β-Ga_2O_3薄膜。主要研究了生长温度和生长压强对β-Ga_2O_3薄膜结构、形貌以及光学性能的影响。通过对比不同条件下生长的β-Ga_2O_3薄膜的特性,获得了β-Ga_2O_3薄膜生长的最佳温度和压强条件。对β-Ga_2O_3薄膜的室温和变温光致发光性能进行了系统研究,并对其发光机理进行了深入分析。2.采用MOCVD工艺,在硅衬底上生长了β-Ga_2O_3薄膜。主要研究了生长温度和缓冲层对β-Ga_2O_3薄膜结构、形貌以及光学性能的影响。通过对比分析不同温度条件下生长的β-Ga_2O_3薄膜的特性,优化了β-Ga_2O_3薄膜生长的温度条件。通过β-Ga_2O_3缓冲层的生长,显着改善了薄膜的质量,并获得了最佳β-Ga_2O_3缓冲层的生长温度。3.以Au为催化剂,采用MOCVD工艺在c面蓝宝石衬底上生长了β-Ga_2O_3一维纳米材料。主要研究了生长温度和Au颗粒的粒径对β-Ga_2O_3一维纳米材料的晶体结构、形貌和光学性能的影响。通过调整生长温度,在低温下获得了非晶态的β-Ga_2O_3纳米线,在高温下获得了结晶态的β-Ga_2O_3纳米柱。4.采用MOCVD工艺,以硅烷为硅源,对β-Ga_2O_3薄膜进行了Si掺杂实验。主要研究了Si的掺杂量对β-Ga_2O_3薄膜的结构、形貌、光学以及电学性能的影响。研究发现Si掺杂在一定程度上会抑制β-Ga_2O_3薄膜(2~—01)晶面的择优生长。随着Si掺杂量的增大,β-Ga_2O_3薄膜的表面形貌发生了显着的变化。此外,Si掺杂能够极大地改善β-Ga_2O_3薄膜的电学性能,掺杂后薄膜的电阻率可降至1.79×10~(-1)Ω?cm,载流子浓度和迁移率分别达到1.3×10~199 cm~(-3)和2.68 cm~2/V?s。5.采用MOCVD工艺,对β-Ga_2O_3薄膜进行了Mg掺杂实验。主要研究了Mg的掺杂量对β-Ga_2O_3薄膜的结构、形貌、光学以及电学性能的影响。研究表明,随着Mg掺杂量的增大,β-Ga_2O_3薄膜结晶质量变差。此外,β-Ga_2O_3薄膜的光学带隙随着Mg掺杂量的增大而逐渐增大,从4.97 eV增大到5.17 eV。6.基于c面蓝宝石衬底上生长的未掺杂的β-Ga_2O_3薄膜制备了MSM型日盲紫外探测器。器件呈现了较好的日盲紫外探测性能,在15V偏压下,暗电流为9.5 nA,光暗电流比为93.7,响应度为0.008 A/W。器件的响应波长范围为230~275nm,处于日盲紫外光范围内。7.在p-Si(111)衬底上生长了未掺杂和Si掺杂的β-Ga_2O_3薄膜,并以此结构为基础制备了pn结型日盲紫外探测器。研究结果表明,相比于未掺杂β-Ga_2O_3薄膜制成的器件,基于Si掺杂β-Ga_2O_3薄膜制成的器件表现出了更好的整流特性。然而,在日盲紫外探测性能方面,基于未掺杂β-Ga_2O_3薄膜制成的器件的日盲紫外探测性能较好。在-15 V偏压下,暗电流为6.9 nA,光暗电流比为7101.1,响应度为225.9 A/W,且器件的响应速率较快,上升沿的弛豫时间为1.64 s,下降沿的弛豫时间为0.1 s。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
紫外探测器论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
一、小组简介二、选择课题(一)课题背景我国从20世纪80年代起对气体绝缘组合电器设备(GIS)的使用日益广泛,特别是近年城市电网的建设和改造,GIS设备得到广泛应用。对于GIS的日常局部放电检测,紫外光信号往往被忽略,然而紫外检测具有排除现场杂乱信号干扰、迅速找到故障信号的优势。因此,开展GIS紫外检测探索提上了检修人员议事日程。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
紫外探测器论文参考文献
[1].侯爽,刘庆,邢志阳,钱凌轩,刘兴钊.Sn掺杂对Ga_2O_3基日盲紫外探测器性能的影响研究[J].光电工程.2019
[2]..研制GIS腔体紫外探测器装置[J].中国质量.2019
[3].胡轶,徐思伟,李想,贾杰,桑丹丹.自供能ZnO/ZnS异质结紫外探测器的性能研究[J].材料研究学报.2019
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[5].方向明,李想,贾杰,桑丹丹,高世勇.Ag修饰TiO_2纳米管紫外探测器的构筑及性能研究[J].光子学报.2019
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[10].胡大强.β-Ga_2O_3的MOCVD生长及其日盲紫外探测器的研究[D].吉林大学.2019