离子注入技术在单晶硅太阳电池上的应用

论文摘要

采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证。实验结果表明,当离子注入剂量为7×1014cm-2、注入能量为10 keV、退火时间为20 min、退火温度为870～890℃时,电池表面方块电阻超过130Ω/□,均匀性良好,结深可达0.6μm。当离子注入剂量小于7×1014cm-2时,方块电阻值过大,且均匀性较差。均匀性良好的高方块电阻可有效降低电池表面的少子复合,进而有助于提升电池效率。

论文目录

• 0 引言
• 1 软件仿真
•   1.1 离子注入剂量对方块电阻和结深的影响
•   1.2 退火温度对方块电阻和结深的影响
•   1.3 退火时间对方块电阻和结深的影响
• 2 实验验证
•   2.1 方块电阻测试结果及分析
•   2.2 结深测试结果及分析
•   2.3 软件模拟结果与实验结果对比
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 高嘉庆,屈小勇,郭永刚

关键词: 离子注入,太阳电池,退火,方块电阻,结深

来源: 微纳电子技术 2019年12期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 国家电投集团西安太阳能电力有限公司

分类号: TM914.41

DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.013

页码: 1022-1027

总页数: 6

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