导读:本文包含了晶格损伤论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:超晶格,从头算,缺陷态,电子性质
晶格损伤论文文献综述
彭祥花[1]（2019）在《损伤态Ga_xAl_(1-x)As/GaAs半导体超晶格稳定性和电子结构的从头算研究》一文中研究指出半导体超晶格材料由于其特殊结构而展现出许多新的物理性质,如负阻效应和量子霍尔效应等,因而广泛应用于武器及航天航空等领域。在其应用时材料会暴露在中子、γ等强辐射环境中,结果导致大量缺陷产生和聚集,从而使得材料的电学性能下降甚至丧失。如何增强其电学和抗辐照性能,对确保电子器件在辐射环境中正常有效地工作至关重要。本论文通过比较理想态和缺陷态GaAlAs/GaAs半导体超晶格的电子结构,确定了GaAlAs/GaAs半导体超晶格的内在结构变化对于其电学性质的影响。本论文的研究结果将有利于提高电子材料的电学和抗辐照性能,可以为新型电子材料的研发提供理论支撑,具有重要的科学研究价值和一定的工程应用参考价值。首先,我们使用密度泛函理论研究了体相叁元混合物GaAlAs和不同周期GaAlAs/GaAs半导体超晶格的电子结构。优化了不同周期(Ga_xAl_(1-x)As)_n/(GaAs)_m(m,n=1~5,x=0.25,0.5和0.75)超晶格的几何结构,并计算了其电子结构和载流子输运性质。结果表明,当超晶格中GaAs和GaAlAs层数一定时,半导体超晶格带隙宽度随着Ga组分的增加而不断减小;当Ga组分一定时,半导体超晶格的带隙宽度随着GaAs层数增加而减小,随着GaAlAs层数增加而增加。同时我们还发现,半导体超晶格中电子的迁移率和Ga组分以及堆垛周期之间有一定关系:当超晶格中GaAs和GaAlAs层数固定时,电子的迁移率随着Ga组分的增加而不断增加;当Ga组分一定时,电子的迁移率随着GaAs层数的增加而增加,随着GaAlAs层数的增加而减小。我们发现,(GaAs)_5/(Ga_(0.75)Al_(0.25)As)_1半导体超晶格具有最小的电子有效质量(0.033m_e)和最大的迁移率(2.134×10~4cm~2/Vs)。这些结果表明,我们可以通过调节超晶格的层数和组分浓度来调控带隙宽度和迁移率,这为制作高性能的电子器件提供了一定的理论支撑。随后,我们研究了Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs半导体超晶格中的各种点缺陷的稳定性,包括:砷替换镓(As_(Ga))、砷替换铝(As_(Al))、镓替换砷(Ga_(As))、铝替换砷(Al_(As))四种反位缺陷,砷间隙(As_(int))、铝间隙(Al_(int))、镓间隙(Ga_(int))叁种间隙缺陷以及铝空位(V_(Al))、镓空位(V_(Ga))、砷空位(V_(As))叁种空位缺陷。我们计算了各种点缺陷的缺陷形成能,并分析了点缺陷对于Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs半导体超晶格电子结构及其输运性质的影响。研究结果表明,不管是在As-rich还是Cation的情况下,间隙缺陷以及空位缺陷则最难形成。在As-rich的情况下,As_(Ga)、As_(Al)两种反位缺陷比较容易形成;而在Cation-rich的情况下,Ga_(As)、Al_(As)两种反位缺陷比较容易形成。同时,我们分析了缺陷对于Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs超晶格几何结构的影响,发现反位缺陷对超晶格的几何结构影响不大。值得注意的是,反位缺陷使得Ga_(0.5)Al_(0.5)As/GaAs超晶格的带隙宽度变小,甚至引入了金属导电性,结果导致电子的迁移率增大,而空位缺陷的形成则导致电子迁移率降低。这些结果表明,可以通过适当干预缺陷的产生来提升电子器件的导电性能和抗辐照能力,这对半导体材料在辐照环境中的应用将具有重要意义。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-29）
李健健[2]（2011）在《多能Xe离子注入6H-SiC的晶格损伤的研究(英文)》一文中研究指出Silicon carbide (SiC) possesses outstanding physical and mechanical properties that make it very promising for applications in semiconductors, advanced nuclear reactors and nuclear waste technology[1~3]. In the semiconductor applications, damage in crystals can be inevitably produced due to ion implantation which is used for dopant incorporation in electronic device fabrication. For the applications in nuclear power industry, defects can be accumulated in materials due to irradiation of energetic particles like neutrons, alpha particles and fission products including heavy inert-gas ions[4]. The accumulation of radiation damage leads to degradation of the material, and needs a full understanding for the sake of safety and reliability of nuclear power systems. In the present work, specimens of 6H-SiC were implanted with Xe ions with multiple kinetic energies at room temperature to obtain nearly uniform Xe concentrations of 7.5, 30, 150 at.ppm, respectively, and were subsequently thermally annealed under high vacuum. The lattice damage of specimens was studied with high resolution X-ray diffraction spectrometry.(本文来源于《IMP & HIRFL Annual Report》期刊2011年00期）
黄庆[3]（2012）在《离子辐照铌酸锂波导结构的晶格损伤和倍频效应》一文中研究指出光电子器件的集成化和小型化是未来发展的趋势,光波导是其基本结构。基于波导结构的波导激光、光波导放大器,基于波导倍频和光学参量振荡的相干激光源以及光折变波导中的空间光孤子等,是国际上的研究热点。光波导的尺度与工作波长在同一个量级上(微米),因而光的行为与体材料中光的行为不同,其制备往往涉及薄膜生长、刻蚀、光刻等微纳米加工技术。在光波导中,光被束缚在折射率高的区域内以稳定的模式传输,不发散。此外,光波导可以利用材料本身的电光效应、声光效应和非线性效应等性质实现对光的调制,进而实现不同功能的光学器件。有关光波导的研究涉及光学、激光、晶体材料科学、固体物理学、非线性光学、微电子学等多个学科。离子注入作为一种材料改性技术被广泛地应用于金属、绝缘体、磁性材料、非晶和表面物理、化学、医学、冶金等各个领域。它已经发展成为一种比较成熟的波导制备方法,在许多光学晶体、陶瓷、聚合物以及玻璃上形成了光波导结构。其优点在于：可控性好；波导形成机理比较统一,因而适用范围广泛。离子注入,结合光刻、刻蚀等工艺,可以形成条形或脊形光波导。目前在光波导的制备方面,离子注入一般可分为轻离子(H和He)注入和重离子(例如C、O、Si、Ar、Cu等)注入。离子能量一般在0.2MeV-6.0MeV之间。轻离子和重离子的剂量分别在1016ions/cm2和1013ions/cm2-1014ions/cm2量级上。所以相对而言,重离子注入一般能节省大量的注入时间。目前,快重离子(一般指能量在20MeV-数GeV的重离子)辐照作为一种新兴的波导制备方法得到了越来越多的研究。其不仅辐照剂量更低(约1012ions/cm2),而且在形成波导的机理上与低能离子注入也不相同。离子注入过程往往应用基于Monte-Karlo的SRIM (The Stopping and Range of ions in matter)软件来模拟,它可以计算出离子的射程、离散、分布、电子能量损失分布和核能量损失分布等。对于离子注入后的样品,一般测试其晶格损伤、波导特性、光学性质的变化以及波导中激光、倍频效应等。波导特性包含波导模式的有效折射率、模式的场分布、折射率分布和损耗等,一般能够在棱镜耦合以及端面耦合实验装置上测量得到,或者在此基础上分析得到,并可以通过退火的办法对它们进行优化。RSoft是一个光电子器件的模拟和设计软件,这里应用于波导导模的计算以及基于波导的光学结构的模拟,它包含基于finite-difference beam-propagation method的BeamPROP,基于finite-difference time-domain的FullWA VE,基于plane-wave expansion用于计算光子晶体能带结构的BandSOLVE等计算工具。本文所用材料为铌酸锂(lithium niobate,LiNbO3,LN)。铌酸锂晶体具有优良的电光、声光、光折变、压电、铁电以及光生伏打效应；其双折射率差值大,非线性系数大；具有良好的机械稳定性,容易生长；实施不同元素掺杂之后能够呈现出不同的特性；因而得到了广泛的研究和应用。然而铌酸锂是一个典型的非化学计量比晶体。其同成分点一般在Li/Nb=48.3/51.7-48.6/51.4之间。Li原子的缺失给晶格引入大量的本征缺陷。在近化学计量比铌酸锂(stoichionmetric lithium niobate, SLN)中,Li/Nb比可以达到49.9/50.1。SLN消除了同成分铌酸锂晶体中缺陷的不利影响,改善了晶体的许多性能。本文的工作围绕离子注入或者离子辐照铌酸锂光波导展开,主要包含叁方面内容：离子注入铌酸锂的晶格损伤；离子注入或离子辐照光波导的制备；基于波导结构的应用,包括PPLN波导中的倍频效应以及铌酸锂脊形光波导上光子晶体的制备。具体如下：4.0MeV0离子注入铌酸锂在不同的剂量下呈现出不同的晶格损伤分布。低剂量(6×1014ions/cm2)下铌酸锂的晶格损伤分布与SRIM基于核能量损失计算得到的空位浓度分布相吻合；而高剂量(2×1015ions/cm2,4×1015ions/cm2)O离子注入铌酸锂中存在一个非晶表层,且非晶表层的厚度随剂量的增加而增加。这个效应被归因于4.0MeV O离子的电子能量损失,并应用thermal spike模型来描述。由于非晶铌酸锂的折射率比铌酸锂结晶态的折射率低,因而离子注入形成的光波导被折射率降低的非晶表层覆盖。则波长比非晶层厚度小的光波便很难通过棱镜耦合的方式从样品的表面耦合进波导中去。波导区的晶格损伤由卢瑟福背散射和沟道技术测量得到。在前人工作基础上,利用晶格损伤和折射率变化的关系式,计算得到了铌酸锂波导的折射率分布,它与波导的暗模特性曲线相符。通过背散射谱以及损伤分布的比较,70MeV Ar离子辐照在很低的剂量(1×1012ions/cm2)下在质子交换铌酸锂中引起了一定的重结晶效应,即辐照导致了质子交换层损伤的降低以及质子交换层厚度的增宽。在辐照过程中,原质子交换层下面的Li原子沿着与Ar离子入射方向相反的方向移动,补充了原质子交换层中缺失的Li原子。这种效应被归因于快重离子在晶体中大量的电子能量沉积。然而实验表明,6.0MeV的O离子辐照在不同剂量(2×1012ions/cm2,2×1013ions/cm2,6×1014ions/cm2)下都没有能在质子交换铌酸锂中产生相似的效应。相反,6.0MeV O离子注入在低剂量(6×1014ions/cm2)下就能致使整个质子交换层非晶化。因此结合质子交换和低剂量的O离子注入可以在铌酸锂中形成表面损伤层深度可调的埋层光波导。低剂量(2×1012ions/cm2)200MeV Ar离子辐照在SLN晶体中形成了光波导结构。由于辐照深度较大,波导较厚,因此模式很多。暗模特性曲线表示辐照后的样品在1539nm波长支持9个模式,说明波导具有在更长波长(中红外波段)支持导模的潜力。背散射谱显示,经过Ar离子辐照之后,SLN晶体表面的晶格几乎没有损伤。铌酸锂拉曼谱的峰值及其宽度与铌酸锂中Li/Nb比有关。经过比较Ar离子辐照区、SLN衬底以及CLN晶体的拉曼谱,结果表明Ar离子辐照没有改变辐照层中的Li/Nb比,显示出离子注入或者离子辐照在SLN波导制备中的优越性。在极化周期为5μm的周期极化铌酸锂(PPLN)波导中实现了从980nm到490nm波长的倍频。结合光刻,6.0MeV O离子注入在PPLN中形成了平面和条形光波导,剂量为6×1014ions/cm2。暗模特性曲线表明注入后的PPLN样品在1539nm波长下有一个导模,确保了样品在980nm波长下一定支持模式。在倍频实验中,PPLN波导的温度由oven控制。测量并计算了波导以及衬底中的温度调谐曲线。测量结果显示,相同温度下,波导中倍频光波长比衬底中倍频光波长大。计算结果与之相符。在150℃时,在平面波导中所获得的倍频转换效率为4%/(W·cm2)。倍频光的光强可达0.81mW。在110℃时,在条形光波导中获得的倍频转换效率为34.5%/(W.cm2)。获得倍频光的最大光强为1.11mW。背散射谱显示注入后PPLN样品表面的损伤很低。经过HF酸和硝酸混合溶液的腐蚀,样品的表面上显露出铁电畴的边界,说明铁电畴的周期性结构没有遭到氧离子注入的破坏,非线性效应很好地保留了下来。二维光子晶体的能带结构以及对称分布的光子晶体平板的投影能带图通过平面波展开方法计算得到。基于质子交换铌酸锂脊形光波导的光子晶体平板的透射谱通过有限时域差分的方法计算得到。计算表明光子晶体平板具有与相应二维光子晶体相似的特征,因而通常情况下应当以二维光子晶体的能带结构为基础来进行设计。结合光刻掩模以及Ar离子刻蚀在质子交换铌酸锂上形成了脊形光波导。应用聚焦离子束设备在质子交换铌酸锂脊形光波导上制备了filter和光栅结构,并在铌酸锂上测试了二维周期孔洞的刻蚀情况。对于周期为450nm的filter,最大刻蚀深度达到2.5μm；对于周期为540nm的二维孔洞,最大刻蚀深度达到1.8μm。(本文来源于《山东大学》期刊2012-04-30）
侯东超[4]（2008）在《离子注入铌酸锂光波导电光特性改变及晶格损伤分布研究》一文中研究指出在信息科技繁荣发展的背景下，光通讯技术近几年来得到了迅猛发展。光波导就是折射率高的区域由折射率低的区域包裹的结构。它可以把光限制在较小的区域内传播以提高光密度，从而更好的利用非线性晶体的非线性性质或者降低激光材料的泵浦阈值。光波导是集成光学的基本单元，同时也是全光网络传输的基础，以其独特的性能、高集成化以及规模生产的低成本，在各种光器件的制造中起着重要的作用。离子注入技术是一种制备光波导的有效手段，它具有注入剂量和形成波导厚度可精确控制、对形成光波导的材料和方向性限制较少以及对形成波导的温度要求较低等优点。迄今为止，人们已经利用离子注入技术在包括电光晶体、玻璃、半导体以及有机化合物在内的大量光学材料上形成了光波导结构。铌酸锂(LiNbO_3)晶体是一种集电光、声光、光弹、非线性、光折变和激光活性等效应于一体的性质优良的光学晶体，是至今为止人们所发现的光学性能最多和综合指标最好的晶体之一，在表面滤波器、光通信调制器、电光开关、声光器件、传感器和高密度信息存储等方面有着广泛的应用。铌酸锂晶体己经成为重要的光波导衬底材料，是应用于光电子领域最基本和最重要的功能材料。铌酸锂具有突出的电光特性和较大的线性电光系数，使得铌酸锂光波导在集成光学器件中的光信号调制器，电光开关等方面有重要的应用。利用轻离子如He、H注入LiNbO_3制备光波导在国际上已多有报道。对于轻离子注入，一般认为在离子注入过程中，注入离子与靶中的电子和晶格原子发生碰撞等相互作用，能量逐渐降低，在其射程末端与晶格原子的作用变强，对晶格结构会造成一定程度的破环，从而在晶体内距离表面微米量级的位置形成一个损伤层，损伤层内的晶格部分非晶化，晶格密度降低，最终导致损伤层内的折射率降低，形成光位垒。位垒层和材料表面的空气层把光限制在它们所包裹的薄层中传播，形成波导。离子注入在波导区引起的晶格损伤会影响铌酸锂的电光特性等物理性质。研究不同注入条件引起的铌酸锂电光特性的改变，对于离子注入制备铌酸锂光波导在波导电光调制器和电光开关等方面的应用具有重要的指导意义。一直以来，对于离子注入光波导，人们通常利用测量得到的波导导模的有效折射率重构波导的折射率分布，对于波导区其他物理性质也大都是通过测量波导区的总体表现来表征，并不了解波导区内物理性质发生变化的细节。波导区的物理和光学性质之所以发生改变，是因离子注入过程使得晶体的晶格结构遭到破环，导致一定程度的晶格损伤造成的。因此，研究不同注入条件在晶体中造成的晶格损伤分布，对于我们优化波导的制备条件以及研究波导中物理性质包括折射率的改变是非常有意义的。本论文主要包括两个方面的工作：(1)利用500keV的H和He离子注入铌酸锂晶体形成平面光波导。基于测量结果，分析了波导的模式结构及退火行为，并着重研究了不同的注入条件下波导的电光系数γ_(33)的改变；(2)利用不同能量的He离子注入铌酸锂形成光波导，研究了波导的模式及退火行为，利用卢瑟福背散射／沟道技术及一个退沟道计算的模型研究了注入引起的铌酸锂晶格损伤的分布及退火行为，并与SRIM模拟的结果进行了比较。论文的主要结果如下：铌酸锂具有优良的电光特性和较大电光系数。我们研究了铌酸锂波导最常用的电光系数也是铌酸锂最大的电光系数分量γ_(33)随不同条件的离子注入发生的改变。我们利用500keV的H离子注入铌酸锂，剂量为8×10~(16) ions／cm~2和1×10~(17)ions／cm~2，利用退火处理恢复了铌酸锂的晶格结构，并最终形成了异常光折射率增加型的光波导，我们研究了波导模式的退火行为。利用500keV的He离子注入铌酸锂，剂量为2×10~(16)，3×10~(16)，4×10~(16)，5×10~(16)ion/cm~2，注入形成良好的异常光折射率增加型的单模波导。我们发现波导的有效折射率并不随注入剂量的增加而沿同一趋势改变。利用姜毅提出的关于铌酸锂折射率改变与晶格损伤程度的关系模型，我们分析了上种现象的成因。利用一种基于棱镜耦合技术的平面光波导电光系数的测量方法一波导法，我们测量了H、He注入铌酸锂形成的波导的电光系数γ_(33)，研究了电光系数的改变与注入条件的关系。结果显示，H离子注入铌酸锂光波导的电光系数γ_(33)基本和未注铌酸锂相等；He离子注入铌酸锂光波导的电光系数γ_(33)相比于未注前大约降低了30％。利用能量为300keV，400keV，480keV，剂量为2×10~(16)，3×10~(16) ions／cm~2的He离子注入铌酸锂，形成了异常光折射率增加型的单模波导，利用退火处理改善了波导的传输性能，研究了波导导模的退火行为。利用卢瑟福背散射／沟道技术，我们测量了退火处理前后波导的背散射沟道谱，并与铌酸锂的随机谱和未注铌酸锂的沟道谱做了比较，研究了沟道谱随注入条件的改变及其退火行为。利用一个退沟道计算的模型，我们根据得到的波导的沟道谱计算了He离子注入铌酸锂引起的晶格损伤分布。结果显示，晶格损伤随深度逐渐增加，并在表面下某一深度处达到最大。随着注入能量的升高，注入在波导区引起的晶格损伤逐渐降低。对于我们采用的480keV的He离子注入，铌酸锂在波导区的晶格损伤基本保持在0．1以下，晶格结构得到了很好的保留。我们把计算的结果同SRIM模拟的结果进行了比较。(本文来源于《山东大学》期刊2008-04-21）
李荣斌,于忠海[5]（2007）在《硼/氮原子共掺入金刚石的晶格损伤及其退火过程的计算机模拟》一文中研究指出借助于Tersoff势函数和分子动力学模拟技术研究了室温下500eV的能量粒子硼(4个)和氮(8个)共掺入金刚石晶体中所引起的损伤区域内晶体微细观结构的变化特征以及后续加热退火晶体结构的演变特征.结果表明:随着掺入原子数目的增加,受影响的区域范围渐渐增大,12个粒子全部注入金刚石晶体后局部影响区域的半径达0.68nm,损伤区域中心的叁配位原子数增加而四配位数原子数量减少.加热退火过程中损伤中心区域的原子发生扩散,部分原子的扩散距离达到4个晶格间距.加热退火使损伤区域中心原子间的平均键长趋于金刚石结构的键长.退火后薄膜中注入的杂质原子向表面扩散引起应力分布产生变化,杂质原子经过一系列的扩散过程能够到达空位的位置,减少薄膜中空位数量,减小晶格畸变程度,原子向表面扩散引起应力产生重新分布,薄膜中应力峰值的峰位向薄膜表面发生移动,局部应力集中程度降低.通过不同退火温度的比较发现低温下退火(800℃)更有利于空位的运动和晶格损伤的恢复从而提高晶格质量.(本文来源于《物理学报》期刊2007年06期）
杨铜锁[6]（2002）在《宇宙射线对地表矿物晶格的损伤和对地质作用的影响》一文中研究指出文章是文献 [1]的后续研究。文献 [1]中计算出了入射到地面的宇宙射线通过弹性碰撞的形式对地表矿物晶格造成的损伤曾经使地表 1m2 下面的 15 8公斤物质原子位移。文内则计算出了入射到地面的宇宙射线通过非弹性碰撞的形式曾经使地表 1m2 下面 12吨的物质原子电离。电离也能影响物质的力学性质从而发挥地质作用。(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2002年02期）
杨铜锁,强志军,方秋霞,鲁百佐,马耀峰[7]（2000）在《宇宙射线对地表矿物晶格的损伤及其地质作用的研究》一文中研究指出文章从理论与实验两个方面论证了宇宙射线对地表矿物晶格造成损伤的可能性。并初步计算了宇宙射线对地表矿物晶格造成损伤的大小及其对土壤形成影响的程度。把宇宙射线发挥地质作用的方式与太阳能和地球外天体的万有引力能的地质作用方式作了比较,得出宇宙射线对地表矿物晶格的损伤是地质作用研究中不可忽视的因素的结论(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2000年01期）
吴瑜光,张通和,孙贵如[8]（1995）在《高能磷离子注入硅晶格的损伤初探》一文中研究指出对高能磷离子注入硅、低剂量迭加注入硅，高能低能双注入硅中引起的晶格损伤、二次缺陷形成及退火效应进行了初步探讨。(本文来源于《核技术》期刊1995年09期）
李岱青,万亚,任廷琦,朱沛然,徐天冰[9]（1995）在《MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系》一文中研究指出用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到叁个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰撞和空位扩散迁移的角度分析了相关的物理过程．(本文来源于《核技术》期刊1995年06期）
官宝安,李代青,任廷琦,万亚,刘明[10]（1995）在《离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学》一文中研究指出用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ中的损伤程度总小于ＧａＡｓ中对应条件下的结果，但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小．室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温３５０℃注入造成的结果更为严重．基于对模拟ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ的一组原子簇的分子轨道计算，用相对化学键强度为ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ中这种辐照损伤的程度和空间分布，提供了一种新的理解．(本文来源于《化学物理学报》期刊1995年01期）
晶格损伤论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Silicon carbide (SiC) possesses outstanding physical and mechanical properties that make it very promising for applications in semiconductors, advanced nuclear reactors and nuclear waste technology[1~3]. In the semiconductor applications, damage in crystals can be inevitably produced due to ion implantation which is used for dopant incorporation in electronic device fabrication. For the applications in nuclear power industry, defects can be accumulated in materials due to irradiation of energetic particles like neutrons, alpha particles and fission products including heavy inert-gas ions[4]. The accumulation of radiation damage leads to degradation of the material, and needs a full understanding for the sake of safety and reliability of nuclear power systems. In the present work, specimens of 6H-SiC were implanted with Xe ions with multiple kinetic energies at room temperature to obtain nearly uniform Xe concentrations of 7.5, 30, 150 at.ppm, respectively, and were subsequently thermally annealed under high vacuum. The lattice damage of specimens was studied with high resolution X-ray diffraction spectrometry.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶格损伤论文参考文献
[1].彭祥花.损伤态Ga_xAl_(1-x)As/GaAs半导体超晶格稳定性和电子结构的从头算研究[D].电子科技大学.2019
[2].李健健.多能Xe离子注入6H-SiC的晶格损伤的研究(英文)[J].IMP&HIRFLAnnualReport.2011
[3].黄庆.离子辐照铌酸锂波导结构的晶格损伤和倍频效应[D].山东大学.2012
[4].侯东超.离子注入铌酸锂光波导电光特性改变及晶格损伤分布研究[D].山东大学.2008
[5].李荣斌,于忠海.硼/氮原子共掺入金刚石的晶格损伤及其退火过程的计算机模拟[J].物理学报.2007
[6].杨铜锁.宇宙射线对地表矿物晶格的损伤和对地质作用的影响[J].原子与分子物理学报.2002
[7].杨铜锁,强志军,方秋霞,鲁百佐,马耀峰.宇宙射线对地表矿物晶格的损伤及其地质作用的研究[J].原子与分子物理学报.2000
[8].吴瑜光,张通和,孙贵如.高能磷离子注入硅晶格的损伤初探[J].核技术.1995
[9].李岱青,万亚,任廷琦,朱沛然,徐天冰.MeV级Si~＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系[J].核技术.1995
[10].官宝安,李代青,任廷琦,万亚,刘明.离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学[J].化学物理学报.1995