全文摘要
本实用新型公开了一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，属于光电玻璃技术领域，包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，ITO导电层的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，本实用新型实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。
主设计要求
1.一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述ITO导电层的厚度为120~150纳米，所述五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，所述ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。
设计方案
1.一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述ITO导电层的厚度为120~150纳米，所述五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，所述ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。
2.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述ITO导电层的厚度为141.6纳米，所述五氧化二铌膜厚度为6.7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为52.3纳米。
3.根据权利要求1所述的ITO导电膜，其特征在于，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜的方块阻值为10~15欧。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及光电玻璃技术领域，尤其涉及一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜。
背景技术
ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。
ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值（消影特性）、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤（耐后期加工）等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。
现有ITO导电膜的结构为：Glass\/BM\/ITO氧化铟锡，其中BM为绝缘保护层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成图案以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88％左右，如果电阻值更低的话，透过率还会更低，导致反射率高，因此在可见光下，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。
但是，在日常使用的过程中，某些情况下需要特别低阻的ITO膜，对于厚度超厚的低阻ITO膜通常颜色不均匀，影子非常重，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化，蚀刻前后反射差会更大，蚀刻时会产生更重的影子，也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚溅镀的ITO导电膜。换句话说，目前使用的超过50纳米的ITO导电膜，基本没有做消影处理，只能用在特殊情况无消影要求的地方。一般情况下，常规厚度（15-30纳米）ITO消影要求应该容易满足，但对于超厚低阻（10-15欧）的ITO，很难消影，市场上见不到。
发明内容
本实用新型提供一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，旨在解决超厚低阻ITO的消影问题，满足市场需求。
本实用新型提供的具体技术方案如下：
本实用新型提供的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、镀于所述TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于所述五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于所述二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，所述ITO导电层的厚度为120~150纳米，所述五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，所述ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。
可选的，所述ITO导电层的厚度为141.6纳米，所述五氧化二铌膜厚度为6.7纳米，所述二氧化硅膜的厚度为52.3纳米
可选的，所述TG基板的厚度为0.7毫米，所述ITO导电膜的方块阻值为10~15欧。
本实用新型的有益效果如下：
本实用新型实施例提供一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中， ITO导电层的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，本实用新型实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成的消影层的折射率与ITO的膜层厚度和折射率接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以实现超厚ITO导电膜的完全消影，也即已有技术中，超厚ITO消影难度更大，本申请通过调整五氧化二铌膜和二氧化硅膜层的厚度，相互配合组成消影层，能有效地消除超厚ITO蚀刻影子。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜的结构示意图；
图2为本实用新型实施例的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜刻蚀前后的反射曲线示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
下面将结合图1~图2对本实用新型实施例的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜进行详细的说明。
参考图1、图2所示，本实用新型实施例提供的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板1、分别镀于TG基板1的上表面的五氧化二铌膜2、镀于五氧化二铌膜2上表面的二氧化硅膜3和镀于二氧化硅膜3上表面的ITO导电层4，其中， ITO导电层4的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜2厚度为5~7纳米，二氧化硅膜3的厚度为45~55纳米，上述厚度的ITO导电层4、五氧化二铌膜2和二氧化硅膜3相互配合形成了本实用新型实施例的ITO导电膜，并且，该ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构。由于，五氧化二铌膜2内含有的五氧化二铌为高折射率材料，而二氧化硅膜3中含有的二氧化硅为低折射率材料，进而两者相互配合组成消影层，该消影层与ITO导电层相互配合改善ITO导电膜刻蚀前后的反射差。其中，将五氧化二铌膜2厚度为5~7纳米，二氧化硅膜3的厚度为45~55纳米，参考图2所示，如此设置不仅可以保证ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，而且由于采用的上述厚度配合下的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层，可以实现在TG基板上形成单面镀膜单面消影结构并镀上超厚的ITO导电层，同时该厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可以低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。
具体的，参考图1所示，在TG基板1的单侧设置有五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4，也即五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4仅仅分布在TG基板1的单侧，进而本实用新型实施例的ITO导电膜形成单面镀膜单面消影结构，可以满足ITO导电膜的单面镀膜单面消影效果。
进一步的，参考图1所示，ITO导电层4的厚度为141.6纳米，五氧化二铌膜2厚度为6.7纳米，二氧化硅膜3的厚度为52.3纳米，经大量的试验表明，在该厚度下的五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3和ITO导电层4配合组成的ITO导电膜刻蚀之后的消影效果最好，并且，该厚度下的五氧化二铌膜2、二氧化硅膜3组成的消影层和超厚的ITO导电层4配合可以实现在TG基板上常温下形成单面镀膜单面消影结构，避免超厚ITO导电层所带来的厚重的影子，消影效果特别理想。
进一步的，参考图1所示， 本实用新型实施例的TG基板的厚度为0.7毫米， ITO导电膜的方块阻值为10~15欧。
本实用新型实施例提供一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中， ITO导电层的厚度为120~150纳米，五氧化二铌膜厚度为5~7纳米，二氧化硅膜的厚度为45~55纳米，本实用新型实施例的ITO导电膜为单面镀膜单面消影结构，其中，上述厚度范围的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成的消影层的折射率与ITO的膜层厚度和折射率接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5%，进而可实现超厚ITO导电膜的完全消影，也即已有技术中，超厚ITO消影难度大，本申请通过调整五氧化二铌膜和二氧化硅膜层的厚度，相互配合组成消影层，能有效地消除超厚ITO蚀刻影子。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型实施例的精神和范围。这样，倘若本实用新型实施例的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920094803.6
申请日:2019-01-21
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:95(青岛)
授权编号:CN209297771U
授权时间:20190823
主分类号:H01B 5/14
专利分类号:H01B5/14;G06F3/041
范畴分类:38A;
申请人:台玻（青岛）光电科技有限公司
第一申请人:台玻（青岛）光电科技有限公司
申请人地址:266000 山东省青岛市黄岛区红柳河路69号
发明人:徐风海
第一发明人:徐风海
当前权利人:台玻（青岛）光电科技有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：ito论文; ito导电膜玻璃论文; ito薄膜论文;