ZnNb2O6材料光电学特性研究

ZnNb2O6材料光电学特性研究

论文摘要

采用第一性原理平面波超软赝势方法计算了ZnNb2O6的电子结构和光学性质,并从理论上分析了它们之间的关系.能带结构计算表明ZnNb2O6属于间接带隙半导体,禁带宽度为3. 51eV;总态密度主要源于Zn3d、Nb4d以及O2p层电子的态密度;进一步对ZnNb2O6材料的光学性质计算,表明带间跃迁占主导地位,吸收系数最大峰值为3. 02×105cm-1.理论计算得到的结果与实验结果一致,可以为ZnNb2O6材料的应用提供理论支持.

论文目录

  • 0 引言
  • 1 理论模型与计算方法
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 能带结构和态密度
  •   2.2 Mulliken布局分析
  •   2.3 光学性质
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 刘东豪,闫宇星,沈静秋,罗祖君

    关键词: 能带结构,光学性质,第一性原理

    来源: 曲靖师范学院学报 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 社会科学Ⅱ辑,基础科学,工程科技Ⅰ辑

    专业: 物理学,化学

    单位: 曲靖师范学院化学与环境科学学院

    基金: 云南省教育厅科学研究基金项目“锂-空气电池中钙钛矿介孔结构阴极催化剂制备及电化学特性研究”(2017ZDX148)

    分类号: O469;O614.241

    页码: 20-25

    总页数: 6

    文件大小: 1802K

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