导读:本文包含了栅接地论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:集成电路,静电释放,栅接地NMOS
栅接地论文文献综述
任志伟,崔艾东[1]（2015）在《栅接地NMOS管的ESD特性研究》一文中研究指出ESD电路的作用是保护集成电路,使静电不损坏芯片内部电路,不造成集成电路失效,因此ESD研究是集成电路可靠性研究的重点方向之一。在新工艺下根据电路特点,设计GGNMOS器件的防护单元,为提供有效可靠的ESD防护起到至关重要的作用。(本文来源于《微处理机》期刊2015年01期）
吴晓鹏,杨银堂,高海霞,董刚,柴常春[2]（2013）在《基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究》一文中研究指出在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所建模型准确地预估了不同衬底结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响.栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明,所提出的衬底电阻模型与实验结果符合良好,且仿真时间仅为器件仿真软件的7%,为ESD保护器件版图优化设计提供了方法支持.(本文来源于《物理学报》期刊2013年04期）
刘瑶,高英俊[3]（2009）在《ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法》一文中研究指出基于ESD应力下栅接地N型MOS管(GGNMOS)的工作特性,提出2种开启后区域的器件级模型结构和相应的参数提取方法,并利用Matlab分别基于两种模型对不同工艺参数的样品进行模拟,获得相应的I-V特性曲线。虽然模型1比模型2简单,而且需要的参数少,但是模型2比模型1更为精确,与实际情况更吻合,更加能够反映出工艺参数对样品开启后特性的影响。(本文来源于《广西科学》期刊2009年02期）
朱志炜,郝跃,方建平,刘红侠[4]（2006）在《静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理》一文中研究指出基于静电放电应力下对深亚微米硅化物工艺栅接地NMOSFET的研究,考虑了源/漏寄生串连电阻的影响,建立了源/漏接触区的电流集中模型.由模型分析表明,不同的温度和掺杂条件下,源/漏寄生串连电阻会引起器件源/漏接触前端边缘附近产生不同程度的电流集中,在器件源端产生新的热点,影响了源/漏端的击穿特性,很好地解释了栅接地NMOSFET的源端热击穿机理.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2006年06期）
栅接地论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化,并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型,所建模型准确地预估了不同衬底结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响.栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明,所提出的衬底电阻模型与实验结果符合良好,且仿真时间仅为器件仿真软件的7%,为ESD保护器件版图优化设计提供了方法支持.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
栅接地论文参考文献
[1].任志伟,崔艾东.栅接地NMOS管的ESD特性研究[J].微处理机.2015
[2].吴晓鹏,杨银堂,高海霞,董刚,柴常春.基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究[J].物理学报.2013
[3].刘瑶,高英俊.ESD保护器件栅接地N型MOS管开启后区域模拟方法[J].广西科学.2009
[4].朱志炜,郝跃,方建平,刘红侠.静电放电应力下深亚微米栅接地NMOSFET源端热击穿机理[J].西安电子科技大学学报.2006