导读:本文包含了椭圆偏振论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏振,椭圆,电离,激光,谐波,光学,薄膜。
椭圆偏振论文文献综述
肖一,白亚,刘鹏[1]（2019）在《椭圆偏振太赫兹辐射偏振态的单发测量》一文中研究指出利用超强超短激光光源中激光-等离子体的相互作用,能够产生毫焦耳量级高能量的太赫兹辐射,而这种条件下产生的太赫兹辐射通常是单发的。针对该类型太赫兹辐射提出一种单发测量方案:将太赫兹波分束,用两套独立校准的啁啾脉冲光谱编码探测装置,分别同时测量太赫兹电场在水平和竖直方向上的分量,最终得到太赫兹电场的偏振态。基于所提方案进行了实验验证,用单发测量原理得到了太赫兹辐射的偏振态。实验测得的椭偏度与模型分析吻合,验证了所提单发测量方案的可行性,为单发椭偏太赫兹辐射偏振态的测量研究提供了新思路。(本文来源于《中国激光》期刊2019年11期）
李孝开[2]（2019）在《椭圆偏振强激光场中的原子分子：阈上电离和双电离》一文中研究指出近几十年来激光技术的进步极大推动了超快强激光场原子分子物理的发展。原子分子与超快强光场的相互作用中产生了很多新奇有趣的现象。对这些现象的研究不仅促进了人们对强激光场与原子分子作用机制的理解,还发展出了许多实用的新技术。其中,原子分子在超快强激光场中的电离不仅是强场物理中的基本现象之一,更是后续很多强场诱导过程的第一步,因此一直受到研究者的重点关注。研究激光场和原子分子性质对强场电离结果的影响,并揭示其作用于电离动力学过程的内在机制,对强场物理相关理论和应用的发展,包括隧穿电子初始分布研究、分子轨道及结构成像、阿秒及极紫外光源产生等都有重要意义。本文中主要利用符合测量方法研究了椭圆或圆偏振光场中的原子分子电离行为。首先我们完成了符合测量所需实验装置COLTRIMS的搭建和测试。COLTRIMS装置具有叁维动量成像及多粒子反应通道的符合测量等优点,是实验探测强场原子分子电离和解离产物的有力工具。此装置保证了我们后续实验研究的进行。而在椭圆偏振光场中,一方面可以利用旋转电场及椭偏率依赖行为研究强场电离的规律,另一方面也可以实现分子坐标系的重构,由此我们发现了一些新的实验现象。以强场电离及双电离为研究主题,本论文具体对Xe原子椭圆偏振光场阈上电离、CO分子圆偏场解离性双电离以及Kr原子强场双电离等进行了符合测量研究。首先我们对Xe原子在椭圆偏振近红外光场中的阈上电离进行了测量。实验中观测到明显受椭偏率调制的电子干涉结构。通过提取电子垂直偏振面方向动量宽度的微分分布得到不同结构对应的电子轨迹,并观察这些结构对椭偏率变化的响应,可以分析其产生的物理来源。当椭偏率较小时观察到由库仑聚焦作用产生的低能电子结构,其角度指向偏振椭圆长轴且不随椭偏率改变而变化,这一结构在椭偏率大于0.6时开始消失。而前向散射与直接电离电子的干涉结构则强烈地依赖于椭偏率的大小。从线偏振到较小椭偏率时,不仅不同动量区域的前向散射干涉结构产率出现增强和减弱,在整个电子动量范围内还会产生倾斜的现象。此外,我们提出了一种利用旋向相反的双椭圆偏振光来提取近圆偏振激光脉冲精确椭偏率的原位测量方法。结合实验测量和理论计算,证实了随两束椭圆偏振光脉冲时间延迟周期性变化的ATI电子能谱和离子产率都可精确得到脉冲椭圆偏振光的椭偏率。然后我们通过四体符合测量对CO分子圆偏振强场解离性序列双电离进行了研究。对高动能释放通道的测量结果表明了低占据分子轨道的电离以及电离后场致激发的重要贡献。这项工作也表明,利用圆偏振光获得双电离两个电子分别的分子坐标系分布的方法能够有效地实现分子解离性双电离中复杂的电离、激发和解离动力学过程的分析确认。而在低动能释放通道的测量中观测到了不寻常的低能电子存在。我们认为此通道可能来自强场中产生的CO~+自电离态,并且自电离态产生后在圆偏振近红外场中先电离,再沿CO~(2+)势能线发生解离。进一步分析分子坐标系中的低能电子角分布,观察到随着动能减小,角分布出现从双峰到单峰的连续变化。这不同于自电离电子弱的各向异性角分布,说明了低能电子主要来自激光场电离而非自电离。而角分布的变化反映了CO~+自电离态在圆偏振光场中依赖于核间距的电离动力学过程。另外,通过改变激光脉冲的群延迟色散,研究发现正啁啾脉冲能显着增强与自电离态相关的解离通道产率。最后,结合全微分测量和半经典模拟综合研究了氪原子强场双电离中的电子关联。首先对光强依赖的离子产率和离子动量测量确认了从非序列到序列双电离机制的演变。一系列典型光强下测量的电子动量关联谱与基于类氦模型及考虑内层电子屏蔽效应的GSZ势模型的半经典计算结果对比,说明了非序列双电离时动态屏蔽效应的重要作用。而在序列双电离区域,动量关联谱和两电子动能和分布都显示出电子关联的痕迹。GSZ模型半经典计算揭示了库仑聚焦和库仑奇点对此现象产生的关键作用。总而言之,利用符合测量并结合一定的理论计算,我们研究了椭圆偏振激光电场、库仑聚焦、分子多轨道效应和内层电子屏蔽效应等多种因素对原子分子电离结果的影响,以及电离过程中或电离后发生的电子干涉、场致激发和自电离态布居等重要现象。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
梁红静,王巧霞,范鑫,单立宇,冯爽[3]（2018）在《椭圆偏振强激光场中准直的乙炔分子的高次谐波发射（英文）》一文中研究指出本文利用自制的高次谐波光谱仪,实验研究了35-f800-nm强激光场诱导的准直的乙炔分子的高次谐波发射(HHG).实验观测到分子HHG几率随着激光椭偏率的增加而降低,这与隧穿后重散射的理论框架的预言是一致的.通过引入一束弱飞秒激光作用对分子非绝热准直,研究了线偏振和椭圆偏振光场下分子结构效应对HHG的影响.结果表明,分子轴垂直于激光电场方向时谐波产率最大.分析表明,最高占据分子轨道(HOMO)以及内层轨道(HOMO-1)对乙炔分子的强场HHG都有贡献.本文将有助于深入理解分子与超快强激光场的相互作用.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2018年04期）
张宏丹,贲帅,徐彤彤,宋凯莉,田艳荣[4]（2018）在《氢分子离子在椭圆偏振激光场下的光电子动量分布》一文中研究指出通过求解二维含时薛定谔方程,我们理论研究了准直的氢分子离子在椭圆偏振激光场下的光电子动量分布和光电子角分布。结果表明,氢分子离子的光电子动量分布和光电子角分布依赖于分子的核间距,椭圆偏振激光场的偏振率以及波长。当椭圆偏振激光场的波长为5nm时,在光电子动量分布和光电子角分布中均可观察到激光诱导的电子衍射现象。(本文来源于《第七届全国计算原子与分子物理学术会议摘要集》期刊2018-08-07）
曹乾尧,王健,张心贲,黄泽铗,延云涛[5]（2018）在《椭圆偏振保持光纤消光比测量的研究》一文中研究指出偏振消光比是衡量光偏振特性的重要参数之一,椭圆偏振保持光纤是一种重要的新型保偏光纤,可以保持某种特殊椭圆偏振态的不失真传输。对现有消光比的定义进行了拓展,使之适用于椭圆偏振保持光纤。提出了一种按照新定义测量消光比的方法,并使用剪断法对一根长20m的椭圆偏振保持光纤进行了消光比劣化的实验测量。实验结果表明,以最短余长2m消光比为参考值,被测光纤在截断余长为10 m、15 m和20 m时的消光比相对劣化值分别为0.168dB/m、0.154 9dB/m和0.165 5dB/m。由此可知,消光比的相对劣化值虽然与光纤长度有关但并不呈线性变化。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2018年03期）
罗香怡[6]（2018）在《双色椭圆偏振和非均匀激光场中高次谐波发射的理论研究》一文中研究指出强激光与原子或分子相互作用产生高次谐波光谱是一个高度非线性过程。高次谐波辐射具有优异的特性,例如等频率间隔和延展的平台结构等等,这使得它成为产生极紫外相干辐射和软x射线源及制备阿秒脉冲的有效途径,并能够利用其来探索原子和分子的内部结构。因此关于高次谐波特性的研究一直是强场物理领域中的一项重要课题。半经典叁步模型很好的解释了高次谐波谱的物理机制。首先,原子或分子在强激光场的作用下被电离,然后,电离的电子被看作自由电子,在激光场的作用下被加速并获得能量;最后,当激光场反向时电子返回与母核复合并放出高能光子。目前,人们对高次谐波的研究主要分为两个大方向:一是研究如何展宽谐波平台区,二是研究如何提高谐波的发射效率。本论文从理论上研究了通过激光脉冲一些参数的变化对电子的电离和加速过程进行调控,从而获得具有一定特性的高次谐波,进而合成孤立阿秒脉冲。(1)通过数值求解非波恩-奥本海默近似下的一维含时Schr?dinger方程,理论研究了蝴蝶结型纳米结构中氢分子离子高次谐波的产生。研究表明,在蝴蝶结型纳米结构内部产生的非均匀场的空间位置对高次谐波的发射有较大影响。当非均匀场的空间位置从30a.u.平移到-30a.u.时,高次谐波的截止位置被延展且形成光滑的超连续的谐波谱,并应用时频分析方法、半经典叁步模型以及电离概率等解释了高次谐波发射的物理机理。研究了高次谐波谱对非均匀场空间位置的依赖性与载波包络值的关系,发现随着载波包络值的变化,非均匀场在不同空间位置处的高次谐波谱变化趋势相同。最后,我们选择了迭加载波包络相位(28)??2.0、非均匀场的空间位置0z=-30a.u.时,超宽连续谱中的40th到70th阶次的谐波谱,产生了一个119as的孤立阿秒脉冲。此外我们还研究了纳米结构中心附近氦原子的高次谐波发射,通过与氢分子离子对比我们看到空间位置的变化可能对原子和分子的高次谐波谱产生不同的影响。(2)理论研究了椭圆偏振激光场驱动下氩离子团簇高次谐波的发射。选择包围中心原子的离子数目分别为(28)8gN和(28)24gN。计算结果表明:在椭圆偏振激光场作用下,随着包围中心原子的离子数目的增加,氩离子团簇高次谐波谱的平台区被延展,效率被增强;但是随着椭偏率的增加高次谐波谱的平台区被缩短。应用时频分析对谐波谱的特性进行了解释。紧接着理论研究了空间非均匀激光场下椭偏率分别为?(28)0.1和?(28)0.3两种情况下氩离子团簇的高次谐波发射。结果显示出随着空间非均匀参数的增大氩离子团簇的高次谐波谱被延展且效率被提高,得到了超宽的连续谐波谱。实现了通过非均匀参数和椭偏率的变化对高次谐波谱的调控。最后通过迭加适当范围的谐波谱,理论上获得了79as的孤立阿秒脉冲。(3)理论研究了800nm左旋圆偏振和400nm右旋圆偏振组合激光脉冲在不同强度比情况下作用于氩原子的高次谐波效率的增强和谐波场的旋转偏振特性。通过研究发现不同幅值比情况下谐波效率不同,幅值比为(28)4.1E?时谐波效率最高,与文献[193]中的结果一致。我们应用半经典叁步模型、利萨茹图形和时频分析对不同幅值比对谐波效率的影响进行了分析。同时对不同幅值比下的谐波选取不同频段的谐波场进行迭加,发现谐波场的旋向性不变,即与入射激光脉冲的旋向性相同,但是不同幅值比情况下的谐波场的偏振特性发生改变。因此通过幅值比的变化对谐波谱的效率及谐波场的旋转偏振特性进行了调控。(4)通过数值求解二维含时Schr?dinger方程研究了氩原子与双色反向旋转椭圆偏振激光场在频率为r(28)1和s(28)2,s(28)3,s(28)4情况下的高次谐波发射。我们发现高次谐波谱的特性与文献[206]中提出的选择定则相一致。当驱动激光场为反向旋转圆偏振激光脉冲时,高次谐波谱的变化规律与选择定则(6.5)式相一致。当驱动激光场为反向旋转的椭圆偏振激光脉冲时,高次谐波谱的变化规律与选择定则(6.6)式一致。并且我们应用利萨茹图形根据对称性定性的对高次谐波谱的这种变化规律进行了解释。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
朱必林,裘婧[7]（2017）在《椭圆偏振法对药用镀膜玻瓶膜层厚度的测量》一文中研究指出本文提出利用椭圆偏振技术对药用镀聚二甲基硅氧烷膜玻瓶的膜层厚度进行测量,选择Cauchy模型进行拟合分析,准确测出镀膜玻瓶的膜厚。实验结果表明,该方法适用于此类镀膜产品膜厚的测量。(本文来源于《人人健康》期刊2017年24期）
李青璇[8]（2017）在《基于椭圆偏振测量技术的氮化物半导体材料光学特性研究》一文中研究指出近年来,氮化镓(GaN)和相关材料已经实现了许多应用,例如发光二极管(LED)、蓝光/紫外光半导体激光器、大功率电子器件和太阳能电池等。GaN是优异的压电材料,其表现出小的残余应力,可以优化光电器件的物理特性和器件性能。铟镓氮(InGaN)是直接带隙材料,其禁带宽度从0.7 eV(InN)到3.4 eV(GaN)连续可调,涵盖从红外(IR)到紫外(UV)的宽光谱范围,这使其适用于全光谱的光电器件领域。高质量高In组分InGaN薄膜的发展已经引起了人们的重视和努力。类似地,氮化镓铝(AlGaN)合金由于其导热性高,介电常数高和带隙连续可调,在高温、大功率和深紫外光电子器件的开发中具有非常意义的研究价值。本文针对氮化物半导体材料的光学特性,利用椭偏测量技术对GaN,InGaN和AlGaN的光学常数进行了分析研究。本论文的主要内容如下:(1)对金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石基底上生长的硅掺杂的n型GaN薄膜样品进行室温下多角度的椭圆偏振光谱的测试,并采用 Gaussian、Psemi-Mo 和 Psemi-Tri 振子模型在 193 nm-1650 nm 范围内模拟描述GaN薄膜和GaN缓冲层。经过对椭偏数据进行处理分析,可以高效的得到实验样品可靠的光学常数,为研究材料的能带结构提供了一个新的思路。(2)对高压化学气相沉积法(HPCVD)生长的含有不同In组分的InxGa1-xN薄膜样品进行多角度变温椭偏光谱测量实验,测试温度范围为室温至500℃。使用Tauch-Lorentz振子模型描述InxGa1-xN薄膜的光学常数。随In分量的增加InxGa1-xN光学常数出现和测试温度的增加时相同的趋势。(3)采用高精度的椭圆偏振测量技术研究了 A1组分变化和温度变化(300 K-823 K)对AlxGa1-N外延层的光学性能的影响。随着温度的升高,透明区域的折射率增加,所有研究样品的光学带隙值都降低。(本文来源于《广西大学》期刊2017-06-01）
郝建兴[9]（2017）在《椭圆偏振强激光场下氩原子非次序双电离研究》一文中研究指出随着激光技术不断发展,近年来强场中的原子、分子电离现象成为原子分子物理中的一个研究热点。本文介绍了强场物理的一些基本概念、与之相关联的实验现象以及研究原子分子电离现象的理论。本文运用半经典模型对Ar原子在椭圆偏振场下的非次序双电离进行了研究,我们的结果表明通过改变椭圆偏振激光场的椭偏率可以实现对主偏振方向(Z方向)以及副偏振方向(X方向)电子-电子关联的控制。另外我们还研究了椭偏场下再碰撞轨道对非次序双电离的影响,结果表明通过改变激光场椭偏率可以改变不同碰撞轨道的相对贡献,进而实现对再散射轨道的控制。第一章,首先介绍了强场物理的一些基本概念以及一些基本现象。接着重点介绍了非次序双电离的理论及相关实验现象。第二章,半经典再散射模型在研究强场物理现象时取得了很大的成功。本章详细介绍了论文中所采用的椭圆偏振激光场下的半经典再散射模型。第叁章,在半经典模型中我们研究了椭偏场下Ar原子的叁维电子-电子关联,得到了不同椭偏率下关联电子动量分布,进一步分析得到了椭偏率对非对称参数α在XYZ叁个方向的影响。我们的工作通过改变椭圆偏振强激光场可以有效的实现对叁维电子-电子关联的控制。另外,我们还研究了椭圆偏振激光场对非次序双电离再散射轨道的影响。第四章,对全文进行了总结,对未来的工作做出了展望。(本文来源于《山西大学》期刊2017-06-01）
李勇,李刚,曹小荣,李亮[10]（2016）在《基于椭圆偏振法的薄膜厚度测量》一文中研究指出选用Si3N4薄膜和Zr O薄膜两种光学材料作为测试对象以研究椭圆偏振法测量薄膜厚度的精度。实验结果表明,椭圆偏振法的精度较高,但对于数量级在几十个nm的光学薄膜,误差相对较大。该实验为进一步调试和改进测试平台,对单一材料多层膜和不同材料多层膜等更加复杂的膜系进行研究提供了参考。(本文来源于《安阳工学院学报》期刊2016年04期）
椭圆偏振论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近几十年来激光技术的进步极大推动了超快强激光场原子分子物理的发展。原子分子与超快强光场的相互作用中产生了很多新奇有趣的现象。对这些现象的研究不仅促进了人们对强激光场与原子分子作用机制的理解,还发展出了许多实用的新技术。其中,原子分子在超快强激光场中的电离不仅是强场物理中的基本现象之一,更是后续很多强场诱导过程的第一步,因此一直受到研究者的重点关注。研究激光场和原子分子性质对强场电离结果的影响,并揭示其作用于电离动力学过程的内在机制,对强场物理相关理论和应用的发展,包括隧穿电子初始分布研究、分子轨道及结构成像、阿秒及极紫外光源产生等都有重要意义。本文中主要利用符合测量方法研究了椭圆或圆偏振光场中的原子分子电离行为。首先我们完成了符合测量所需实验装置COLTRIMS的搭建和测试。COLTRIMS装置具有叁维动量成像及多粒子反应通道的符合测量等优点,是实验探测强场原子分子电离和解离产物的有力工具。此装置保证了我们后续实验研究的进行。而在椭圆偏振光场中,一方面可以利用旋转电场及椭偏率依赖行为研究强场电离的规律,另一方面也可以实现分子坐标系的重构,由此我们发现了一些新的实验现象。以强场电离及双电离为研究主题,本论文具体对Xe原子椭圆偏振光场阈上电离、CO分子圆偏场解离性双电离以及Kr原子强场双电离等进行了符合测量研究。首先我们对Xe原子在椭圆偏振近红外光场中的阈上电离进行了测量。实验中观测到明显受椭偏率调制的电子干涉结构。通过提取电子垂直偏振面方向动量宽度的微分分布得到不同结构对应的电子轨迹,并观察这些结构对椭偏率变化的响应,可以分析其产生的物理来源。当椭偏率较小时观察到由库仑聚焦作用产生的低能电子结构,其角度指向偏振椭圆长轴且不随椭偏率改变而变化,这一结构在椭偏率大于0.6时开始消失。而前向散射与直接电离电子的干涉结构则强烈地依赖于椭偏率的大小。从线偏振到较小椭偏率时,不仅不同动量区域的前向散射干涉结构产率出现增强和减弱,在整个电子动量范围内还会产生倾斜的现象。此外,我们提出了一种利用旋向相反的双椭圆偏振光来提取近圆偏振激光脉冲精确椭偏率的原位测量方法。结合实验测量和理论计算,证实了随两束椭圆偏振光脉冲时间延迟周期性变化的ATI电子能谱和离子产率都可精确得到脉冲椭圆偏振光的椭偏率。然后我们通过四体符合测量对CO分子圆偏振强场解离性序列双电离进行了研究。对高动能释放通道的测量结果表明了低占据分子轨道的电离以及电离后场致激发的重要贡献。这项工作也表明,利用圆偏振光获得双电离两个电子分别的分子坐标系分布的方法能够有效地实现分子解离性双电离中复杂的电离、激发和解离动力学过程的分析确认。而在低动能释放通道的测量中观测到了不寻常的低能电子存在。我们认为此通道可能来自强场中产生的CO~+自电离态,并且自电离态产生后在圆偏振近红外场中先电离,再沿CO~(2+)势能线发生解离。进一步分析分子坐标系中的低能电子角分布,观察到随着动能减小,角分布出现从双峰到单峰的连续变化。这不同于自电离电子弱的各向异性角分布,说明了低能电子主要来自激光场电离而非自电离。而角分布的变化反映了CO~+自电离态在圆偏振光场中依赖于核间距的电离动力学过程。另外,通过改变激光脉冲的群延迟色散,研究发现正啁啾脉冲能显着增强与自电离态相关的解离通道产率。最后,结合全微分测量和半经典模拟综合研究了氪原子强场双电离中的电子关联。首先对光强依赖的离子产率和离子动量测量确认了从非序列到序列双电离机制的演变。一系列典型光强下测量的电子动量关联谱与基于类氦模型及考虑内层电子屏蔽效应的GSZ势模型的半经典计算结果对比,说明了非序列双电离时动态屏蔽效应的重要作用。而在序列双电离区域,动量关联谱和两电子动能和分布都显示出电子关联的痕迹。GSZ模型半经典计算揭示了库仑聚焦和库仑奇点对此现象产生的关键作用。总而言之,利用符合测量并结合一定的理论计算,我们研究了椭圆偏振激光电场、库仑聚焦、分子多轨道效应和内层电子屏蔽效应等多种因素对原子分子电离结果的影响,以及电离过程中或电离后发生的电子干涉、场致激发和自电离态布居等重要现象。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
椭圆偏振论文参考文献
[1].肖一,白亚,刘鹏.椭圆偏振太赫兹辐射偏振态的单发测量[J].中国激光.2019
[2].李孝开.椭圆偏振强激光场中的原子分子：阈上电离和双电离[D].吉林大学.2019
[3].梁红静,王巧霞,范鑫,单立宇,冯爽.椭圆偏振强激光场中准直的乙炔分子的高次谐波发射（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2018
[4].张宏丹,贲帅,徐彤彤,宋凯莉,田艳荣.氢分子离子在椭圆偏振激光场下的光电子动量分布[C].第七届全国计算原子与分子物理学术会议摘要集.2018
[5].曹乾尧,王健,张心贲,黄泽铗,延云涛.椭圆偏振保持光纤消光比测量的研究[J].光学与光电技术.2018
[6].罗香怡.双色椭圆偏振和非均匀激光场中高次谐波发射的理论研究[D].吉林大学.2018
[7].朱必林,裘婧.椭圆偏振法对药用镀膜玻瓶膜层厚度的测量[J].人人健康.2017
[8].李青璇.基于椭圆偏振测量技术的氮化物半导体材料光学特性研究[D].广西大学.2017
[9].郝建兴.椭圆偏振强激光场下氩原子非次序双电离研究[D].山西大学.2017
[10].李勇,李刚,曹小荣,李亮.基于椭圆偏振法的薄膜厚度测量[J].安阳工学院学报.2016
论文知识图
