导读:本文包含了光敏薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,磁控溅射,电阻,纳米,特性,衬底,偶氮。
光敏薄膜论文文献综述
陆清茹,李帆,黄晓东[1]（2019）在《非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究》一文中研究指出基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在叁种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在波长分别为660、450和405nm叁种激光照射下的阈值电压V_(th)分别为4.2、2.5和0V,均低于无激光时的4.3V,且器件的阈值电压随激光波长减小单调降低,此外,随着激光波长的下降,"明/暗"电流比K由0.54上升到8.06(在V_(GS)=6V且V_(DS)=5V条件下),光敏响应度R由0.33μA/mW上升到4.88μA/mW,可见激光波长越短,可获得更强的光电效应,光灵敏度也更高,该效应表明该器件在光电探测等领域具有广阔的应用前景。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年04期）
熊智慧,肖飞,杨辉,张敏,曾体贤[2]（2019）在《CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究》一文中研究指出硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征。结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年04期）
鲁敏[3]（2018）在《温敏/光敏双响应嵌段共聚物薄膜结构与响应行为研究》一文中研究指出为了改变传统材料性能单一,耐候性差,无响应特性的缺点,刺激响应聚合物在人们日常生活中的应用越来越广泛,如温感报警器、压敏玻璃等。刺激响应是一种能感知外界刺激并转变其结构或状态并作出相应反应(如化学或物理性质的改变)的行为。根据来源,可以将刺激分为光、热、pH、电和气体等,在这些刺激中,光和热与人们的生活息息相关,所以应用范围也与人们生活相近,如智能纺织品、光敏开关、遥控设备等等。温敏聚合物是在一种新型材料:其在低于转变温度时呈亲水状态,可以吸收水分并膨胀;而当外界温度高于其转变温度时呈疏水状态,能够排出水分并收缩。当温敏聚合物与纺织品结合后,则赋予纺织品在不同温度下具有不同亲/疏水性能的能力,可以将其应用在智能清洁、舒适度调节、智能透气透湿等多个领域。但是温敏材料通常只具有一个转变温度,难以满足日常生活中对纺织品的要求。如日常穿着时,希望纺织品的转变温度较低,能够在更宽的温度范围内呈疏水、多孔状态,提高其透湿性与衣物穿着的舒适度;而在洗涤过程中,希望纺织品亦能在更宽的温度范围内呈亲水状态,从而提高其清洁效果。而偶氮苯作为一种光敏材料,在紫外光照射下会发生顺式至反式的构象转变;而在可见光照射下,又会恢复顺式构象,并且顺式与反式构象具有不同的极性。如将其引入温敏聚合物,能够实现温敏聚合物材料根据使用的外界环境(紫外/可见光),自主调节其转变温度。基基于以上讨论,本文合成了具有对温度和紫外光敏感的温敏/光敏双响应无规共聚物,获知了光敏组分对共聚物的转变温度的影响,同时测定了共聚物薄膜在不同环境下的亲/疏水性能差异。在此基础上,并将共聚物与棉织物交联,制备了具有智能清洁和舒适度调控性能的智能纺织品,同时也合成了对温敏/光敏双响应的嵌段共聚物,初步研究了其在在单一(温度或紫外光)、双重(升温和紫外光)刺激环境下的响应机理。(1)采用单体叁乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MEO_3MA)、对丙烯酰氨基偶氮苯(AAAB)和末端含有羟基的聚(乙二醇)甲基丙烯酸酯(EGMA)通过原子转移自由基聚合(ATRP)合成无规共聚物P(MEO_3MA-co-EGMA-co-AAAB)(摩尔比=16.9(MEO_3MA):2.1(EGMA):1(AAAB)),可见光下,3 mg/mL的共聚物水溶液的转变温度为38 ~oC。紫外光照射后,共聚物转变温度上升2-3 ~oC,符合实验预期。将P(MEO_3MA-co-EGMA-co-AAAB)制成薄膜,测试其在不同温度和紫外光环境下的亲疏水情况,发现在外界温度低于其转变温度并伴随紫外光照射下,共聚物薄膜亲水性能最好。将共聚物与棉织物交联之后,发现棉织物的柔软度和硬挺度较原棉物无明显变化,同时交联棉织物还具有良好的智能清洁提升。(2)为了进一步研究偶氮苯光敏单体对智能纺织品性能的影响,在合成共聚物时将偶氮苯单体含量提升一倍:采用单体叁乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MEO_3MA)、对丙烯酰氨基偶氮苯(AAAB)与末端含有羟基的聚(乙二醇)甲基丙烯酸酯(EGMA)通过原子转移自由基聚合(ATRP)合成无规共聚物P(MEO_3MA-co-OEGMA-co-AAAB)(摩尔比=8(MEO_3MA):1(EGMA):1(AAAB)),测试结果发现紫外光照射后,共聚物水溶液的转变温度出现降低的异常现象,结合DLS测试判断这一现象的原因是偶氮苯含量升高导致自组装行为的发生。而红外测试表面紫外光对共聚物亲水性的提升有很大作用,将共聚物与棉织物交联,通过测试棉织物平衡溶胀率(ESR),发现ESR曲线显示紫外光照射后,交联棉织物带液率增加。同时交联棉织物表现出舒适度调节能力。(3)将聚(乙二醇)甲醚甲基丙烯酸酯(MEO_5MA)和偶氮苯衍生物(Azo2)通过RAFT聚合得到嵌段共聚物PMEO_5MA-b-PAzo2。当PMEO_5MA-b-PAzo2薄膜置于20 ~oC水蒸气环境下时,薄膜会吸收水分子膨胀。在膨胀过程中,前期膨胀速度很快,后期趋于稳定。而当外界环境温度升高时,薄膜厚度逐渐减小,且初始膜厚较小的薄膜膨胀倍率和收缩倍率越高,该行为可归咎于亲水基底对薄膜中水分子的吸引作用。借助原位中子反射,可发现薄膜在水蒸气环境下的能够强烈吸收水分子,导致薄膜内部含水量增多,而当温度升高时,由亲水转变为疏水的薄膜会排斥水分子,导致薄膜内部含水量减少。(本文来源于《浙江理工大学》期刊2018-12-12）
陶玉仑,姚舜,王桂徽,李宝宇,潘莉[4]（2018）在《电化学制备光敏/超电双功能化聚苯胺薄膜》一文中研究指出利用电化学法在不锈钢网上直接生长出了墨绿色、高比电容、光敏性的双功能聚苯胺薄膜,从而完全省略了加大电阻的黏结剂。采用紫外吸收光谱、扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、循环伏安法(cyclic voltammetry,CV)、恒电流充放电(galvanostatic charge/discharge,GCD)及阻抗分析法(electrical impedance spectroscopy,EIS)等方法对样品进行表征和测试,并且在不同的测试条件下对电容进行了统计和比较。在3种网状结构的聚苯胺中,最疏松的聚苯胺网络具有最大的比电容(443.7F/g)和最高的导电性(44S/cm)。这是由于疏松的网状结构材料可以充分地与电解液接触,提高了聚苯胺薄膜的比电容。同时,该聚苯胺薄膜具有很好的光敏性质,对白光有最强的光电响应,可以作为光敏传感器。(本文来源于《中国科技论文》期刊2018年12期）
肖飞[5]（2018）在《CdSe纳米晶薄膜高温性质及光敏特性研究》一文中研究指出可见光光敏电阻在光电计数器、烟雾报警器、太阳能跟踪系统等领域有着巨大的应用前景,尤其是太阳能跟踪系统,与非跟踪方式相比,光伏发电效率提高35%。可见光光敏电阻是整个太阳能光电自动跟踪系统的核心器件,由此研究和设计一款高灵敏度、高精度、高可控性、高光电转化效率且小体积光敏数字变阻器尤为重要。CdSe是一种宽禁带的II-VI族化合物半导体材料,其禁带宽度E_g=1.74 eV,与太阳光谱可见光波段相匹配。由于CdSe具有优异的光电性能,已被广泛应用于激光器件、晶体二极管激光器件和太阳能电池等光电器件领域上。本文主要是针对CdSe纳米晶薄膜光敏电阻器做了系统性的研究,内容分如下几个部分:1.采用真空蒸发技术在Si(100)衬底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、膜厚测试仪、原子力显微镜(AFM)方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征。结果表明:蒸发电流对薄膜的结晶性能和表面形貌有显着影响。当蒸发电流为75 A时,薄膜沿(002)方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相对较低,薄膜结晶质量较好。2.在真空下,对75 A蒸发电流下沉积的CdSe薄膜进行了退火,保温时间3h,退火温度分别为523 K、673 K、723 K、773 K。XRD、SEM测试结果表明,723 K温度下退火后的薄膜结晶性能最优。3.对75 A蒸发电流下沉积,723 K温度下退火后的薄膜进行高温XRD测试。结果表明,薄膜具有较高的热稳定性。随着温度的升高,薄膜的晶格常数c、沿c轴的热膨胀系数逐渐增大,而薄膜的位错密度和应变减小。与块体CdSe相比,由于特殊的表面效应和尺寸效应,CdSe纳米晶薄膜的高温特性发生了较大的变化。4.研制了CdSe纳米晶薄膜可见光光敏电阻器,并对其电压—电阻特性、照度—电阻特性以及退火温度与电阻值间的关系进行了研究。(本文来源于《西华师范大学》期刊2018-04-01）
袁正兵,肖清泉,廖杨芳,房迪,王善兰[6]（2017）在《Mg_2Si薄膜的光敏电阻特性研究》一文中研究指出采用磁控溅射技术、退火工艺和丝网印刷技术,在N-Si(111)(ρ>1000Ω·cm)衬底上分别溅射厚度为360nm、400nm、440nm、480nm、520nm、560nm的Mg膜,制备一系列Mg_2Si薄膜,然后在其上印刷叉指Ag电极、经烧结制备光敏电阻.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱响应测试系统、半导体器件分析仪和光照响应测试系统对样品的晶体结构、表面形貌、光谱响应、I-V特性以及亮暗电阻进行表征和分析.结果表明:成功制备出单一相Mg_2Si薄膜,且在晶面(220)处出现最强衍射峰;随着薄膜厚度增加,样品衍射峰强度先增加后减小,薄膜表面连续性和致密性良好;在波长为900nm~1200nm范围内光敏电阻表现出良好的光谱响应特性;光电流强度先增加后减小;Mg膜厚度为480nm时光电流强度最大.I-V特性始终呈一条直线,表明其间具有良好的欧姆接触;在光强为1mW/cm~2、波长为1100nm的光照下,亮电阻和暗电阻均随着Mg薄膜厚度增加先减小后增加,Mg薄膜厚度为480nm时,相应的光敏电阻阻值最小且此时的暗电阻、亮电阻比值为1.43×10~3,具有较好的灵敏度.(本文来源于《低温物理学报》期刊2017年05期）
牛通,王从香[7]（2017）在《基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺》一文中研究指出本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能,其在MCM组件中的应用,将进一步降低组件的重量、提高封装密度。在国外,PSPI在MCM中的应用已较为成熟,而国内在这方面与国外有较大的差距。为此,文章从应用的角度出发,研究了PSPI的光刻特性,优化工艺参数后,厚度10μm的PSPI可刻出Φ30μm的微孔;PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键,文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究,通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化,在其表面TiW-CuAu膜层的附着力满足要求,附着力达25 MPa;在此基础上,制作出了"3层介质+3层电路"的多层薄膜微波测试电路。结果表明,测试电路层间导通良好,在1~40 GHz范围内插入损耗小于0.85 d B,回波损耗小于-13 d B。(本文来源于《电子机械工程》期刊2017年04期）
房迪[8]（2017）在《基于Mg_2Si薄膜的光敏电阻研究》一文中研究指出硅化镁(Mg_2Si)被称为环境友好半导体材料,在光电器件、电子器件、能源器件领域具有重要的应用前景。本文采用磁控溅射方法分别在不同类型的Si基片上制备Mg_2Si薄膜,研究Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜晶体结构、表面形貌及电阻率的影响。在此基础上,采用丝网印刷技术在Mg_2Si薄膜上镀叉指状Ag电极制备光敏电阻,并对光敏电阻的光谱响应特性、I-V特性、光照响应特性进行研究。首先,室温下采用磁控溅射方法在叁种不同Si衬底(n型高阻、n型低阻、p型低阻)上沉积不同厚度Mg膜(360 nm、400 nm、440 nm、480 nm、520 nm、560 nm),然后低真空(10~(-1)～10~(-2) Pa)退火制备Mg_2Si薄膜。X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电阻率测试结果表明:在400℃退火4 h制备出了单一相的Mg_2Si薄膜,在Mg_2Si(220)面具有最强衍射峰,薄膜晶粒致密、连续,表面平整且结晶度良好。随着Mg膜厚度的增加,衍射峰强度先增大后减小,薄膜电阻率先减小后略微增大,Mg膜厚度为480 nm时,电阻率最小,结晶度和平整度最好。其次,采用丝网印刷技术在制备的Mg_2Si薄膜上镀叉指状Ag电极,然后在温度为300℃高温炉中保温10 min制备光敏电阻。最后,通过光谱响应测量系统、半导体特性分析仪、光照响应系统等设备对制备的光敏电阻的光谱响应特性、I-V特性、光照响应特性进行研究。结果表明:不同类型的Si衬底(n型高阻、n型低阻、p型低阻)上制备的光敏电阻在紫外区域和1200 nm-2500 nm波段时,光电流几乎为零,而在波长为800 nm和1100 nm波段附近光电流较大,最高达到20 mA,表现出较好的光谱响应特性,随着沉积Mg膜厚度的增加,光电流呈增强的趋势,Mg膜厚度为480 nm时光电流最强,但随着Mg膜厚度进一步增加,光电流减小,光谱响应较弱。I-V测试表明,无论是在何种类型Si衬底上制备的样品其I-V特性大致呈一条直线,Mg膜厚度480nm时斜率最大,Mg膜厚度对光敏电阻的I-V特性影响不大。在外加电压范围为-5 V-5V,波长为1100 nm、强度为1 mW/cm2的单色光照射下,制备光敏电阻的暗电阻与亮电阻比最高可达1.43×10~3,具有较好的灵敏度,暗电阻和亮电阻的阻值随沉积Mg膜厚度的增加均呈先减小后增加的趋势,在Mg膜厚度为480 nm时达到最小。(本文来源于《贵州大学》期刊2017-06-01）
孙磊[9]（2017）在《基于高迁移率沟道材料的高性能有机及有机—无机薄膜光敏场效应管研究》一文中研究指出有机半导体材料的出现催生了有机电子学的兴起以及有机电子器件的蓬勃发展,由于有机电子器件具有制备工艺简单、成本低、柔性等特点,各种有机电子器件,如有机发光二极管、有机太阳能电池以及有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET),得到了人们广泛而持久的关注。由于有机半导体材料良好的光吸收特性,有机光敏场效应管(photoresponsive organic field-effect transistor,Ph OFET)应运而生,其作为OFET重要一支,引起了研究者极大的兴趣,可以在光探测器、光纤通讯以及成像等领域有着重要应用。本文采用高迁移率的沟道传输层材料(包括有机、无机半导体材料),结合有机半导体材料的自身的优势,通过提高光生激子解离后产生的光生载流子的传输效率,从而大大提高光敏场效应管的性能,本文所采用的沟道传输层材料是富勒烯(C60)、类石墨烯材料二硫化钼(molybdenum disulfide,Mo S2)和氧化锌(zinc oxide,Zn O),具体如下:1、采用C60作为传输沟道层、酞菁铅(lead phthalocyanine,Pb Pc)作为光敏层,分别基于聚乙烯醇(polyvinyl alcohol,PVA)和二氧化硅(Si O2)制备了Ph OFET,在PVA上生长的C60薄膜迁移率较高,有利于光生激子和载流子的传输运动,大大提高了有机光敏场效应管的性能。基于PVA为绝缘栅介质的器件在波长为808nm,光强为1.69 m W/cm2的光源照射下,其光响应度达到21A/W,外量子效率高达3230%。2、采用C60作为传输沟道材料、酞菁钕(neodymium phthalocyanine,Nd Pc2)为光敏层材料,制备了平面异质结结构器件、体异质结结构器件和混合平面体异质结结构器件并进行了对比研究。结果表明,混合平面体异质结结构Ph OFET的性能最优,其在波长为650 nm光强为5.92μW/cm2的光源照射下,光响应度达到108 A/W,外量子效率高达20612%,并且器件的最大光暗电流比为3.75×104。3、基于溶液法制备的C轴择优取向的氧化锌(zinc oxide,Zn O)薄膜和Pb Pc薄膜,分别制备了常规底栅顶接触和底栅掩埋电极结构的有机-无机薄膜光敏场效应管(photoresponsive organic-inorganic thin film field-effect transistor,Ph OIFET)。由于底栅掩埋结构器件可以有效地利用光敏层的吸光面积,并且器件的半导体材料能级与电极的金属功函数匹配的最好,最终底栅掩埋电极结构的器件性能最优,在波长为808 nm,光强为213.93μW/cm2的光源照射下,其光响应度为3.48 A/W,外量子效率为533.81%。虽然与上述所制备的器件相比,其性能并不是最优,但基于工艺简单的溶液法制备的Zn O薄膜的底栅掩埋电极结构器件的稳定性最好。4、制备了基于新型二维类石墨烯材料Mo S2薄膜为沟道传输层,Pb Pc薄膜为光敏层的高性能Ph OIFET,研究了铝(Al)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)四种不同作为源漏电极的器件性能。在波长为808 nm光强为0.061μW/cm2的光源照射下,基于Al电极和Au电极的器件性能最好,光响应度分别达到1263.85 A/W和444.12 A/W。(本文来源于《兰州大学》期刊2017-04-01）
吴泽涵[10]（2017）在《缺陷对氧化镓薄膜紫外光敏特性的影响机理研究》一文中研究指出由于太阳辐射中10 nm~280 nm的紫外波段很难透过大气层到达地表,因此对日盲紫外波段进行探测的技术成为了低噪声干扰、高探测率、高灵敏度的紫外辐射探测手段,在最近几十年受到了国外科研人员的高度重视。其中,基于宽禁带材料的固态日盲紫外探测器件的研制和应用最为热门。相比AlGa N、ZnMgO等材料,氧化镓天然地拥有合适的带隙宽度(约4.9 e V),从而避免了复杂的合金化工艺,能够在更低的成本与方式下制备,因此格外适用于日盲紫外探测。本文主要采用分子束外延装置在c面氧化铝衬底上外延制备beta-氧化镓薄膜,并进行包括衬底预处理、氟元素掺杂、与磁控溅射膜对比等手段对氧化镓薄膜内部的缺陷分布进行调控,在此基础上运用多种材料特性表征手段进行结构分析,最终将薄膜制备成MSM型光电探测器。通过器件光电性能的测试,并结合材料特性的研究,就氧化镓薄膜内部各种缺陷对其日盲紫外光敏特性产生的影响及其机理进行了深入探究。本文详细的探究方向大致分为如下几部分:(1)探究了不同温度的衬底真空退火预处理对beta-氧化镓薄膜结晶质量与日盲紫外光敏特性的影响。研究表明,对衬底进行高温退火预处理能够有效降低外延beta-氧化镓薄膜内部的缺陷密度,提高氧化镓薄膜材料的电导率从而使器件能够在光电流、响应度以及探测率等性能上得到显着优化。但是,电导率的提高也会导致暗电流的上升,而某些深能级缺陷的减少可能使材料内部的复合中心密度下降,进而影响到器件的恢复时间特性;(2)对beta-氧化镓薄膜氟等离子体表面处理,从而对材料表面的氧空位进行钝化,并研究对薄膜日盲紫外光敏特性的影响。研究表明,适量氟元素的掺杂能够有效降低氧化镓薄膜内部的氧空位缺陷密度,使探测器的各项性能获得显着提升;但是,过量的氟元素的掺杂会替代氧化镓晶格中的氧离子,并释放出电子,这会增加平衡载流子的数量,甚至带来氟间隙子等新的点缺陷,这反而使器件的性能(如暗电流、光电流等)产生严重的恶化现象;(3)利用磁控溅射生长具有大量缺陷(如氧空位等)的非晶氧化镓薄膜,并结合分子束外延生长的纳米晶beta-氧化镓薄膜,对比研究材料缺陷分布对日盲紫外光敏特性上的影响。研究表明,溅射制备的非晶氧化镓薄膜存在大量不同类型的缺陷,对氧化镓MSM日盲紫外探测器件的性能产生一定程度的影响。其中,基于非晶氧化镓薄膜的MSM日盲紫外探测器件由于更为显着的内部增益机制和非本征激发,而表现出更高的光响应度与探测率,而深能级缺陷相关复合中心的大量存在,则使得器件具备很短的恢复时间;但大量表面缺陷的存在却使MSM器件的金-半接触势垒更容易被隧穿,进而导致器件的暗电流过大。总的来说,虽然非晶氧化镓材料内部存在大量的不同类型缺陷,但这些缺陷并不都会对其日盲紫外探测能力造成负面的影响,相反地某些缺陷甚至能在特定的方面优化器件的性能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2017-03-01）
光敏薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硒化镉(CdSe)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。采用真空热蒸发技术在Si(100)衬底上制备出高质量的CdSe纳米晶薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、膜厚测试仪、扫描电镜(SEM)和数字源表对其结晶性能、晶体结构、表面形貌及光敏特性进行了表征。结果显示,CdSe纳米晶薄膜呈六方纤锌矿结构,纯度较高,结晶性能较好,沿c轴择优生长的优势明显;同时,薄膜具有典型的光敏电阻特性,且电阻值受光照强度、退火温度影响明显。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
光敏薄膜论文参考文献
[1].陆清茹,李帆,黄晓东.非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究[J].半导体光电.2019
[2].熊智慧,肖飞,杨辉,张敏,曾体贤.CdSe纳米晶薄膜的光敏特性研究[J].人工晶体学报.2019
[3].鲁敏.温敏/光敏双响应嵌段共聚物薄膜结构与响应行为研究[D].浙江理工大学.2018
[4].陶玉仑,姚舜,王桂徽,李宝宇,潘莉.电化学制备光敏/超电双功能化聚苯胺薄膜[J].中国科技论文.2018
[5].肖飞.CdSe纳米晶薄膜高温性质及光敏特性研究[D].西华师范大学.2018
[6].袁正兵,肖清泉,廖杨芳,房迪,王善兰.Mg_2Si薄膜的光敏电阻特性研究[J].低温物理学报.2017
[7].牛通,王从香.基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺[J].电子机械工程.2017
[8].房迪.基于Mg_2Si薄膜的光敏电阻研究[D].贵州大学.2017
[9].孙磊.基于高迁移率沟道材料的高性能有机及有机—无机薄膜光敏场效应管研究[D].兰州大学.2017
[10].吴泽涵.缺陷对氧化镓薄膜紫外光敏特性的影响机理研究[D].电子科技大学.2017
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