论文摘要
对影响准相位匹配GaAs晶体的键合质量的因素进行了研究,通过对GaAs面损耗、界面损耗和体损耗的分析,优化了键合工艺和参数。通过在光胶前加入酸洗过程,去除GaAs晶片的表面氧化物,并采用X射线光电子能谱仪(XPS)确认了氧化物去除情况,在无氧环境下进行后续过程;在热处理过程中,通过对GaAs电特性、光学透过率及微结构的分析,调整键合的温度和压力参数,制备了16层的准相位匹配GaAs晶体。当键合温度为550℃、键合压力为0.25 kgf/mm~2时,获得低于0.18%的单层界面损耗。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 郭芷言,惠勇凌,边慧征,姜梦华,雷訇,李强
关键词: 非线性光学,扩散键合,准相位匹配,砷化镓
来源: 激光与红外 2019年10期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 北京工业大学激光工程研究院
分类号: O786
页码: 1206-1211
总页数: 6
文件大小: 1956K
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