立方碳化硅薄膜的层错结构特征

论文摘要

本文利用微波等离子体增强化学气相沉积（MPCVD）和脉冲激光沉积（PLD）等薄膜制备技术分别在硅（Si）{001}基片上生长了立方碳化硅（3C-SiC）薄膜。两种方法制备的3C-SiC薄膜均与Si基片具有相同的外延关系3C-SiC〈110〉{001}//Si〈110〉{001},但PLD法制备的3C-SiC薄膜具有较低的层错密度并与Si基片间形成了平直的界面。基于高角环形暗场像（HAADF）原子结构表征的结果,探讨了3C-SiC薄膜中内禀层错、外禀层错、微孪晶和亚稳A-A’型层错的形成机制及它们之间的结构演化关系。

论文目录

• 1 实验方法
• 2 结果与讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 闫学习,姚婷婷,陶昂,杨兵,陈春林,马秀良,叶恒强

关键词: 碳化硅,层错,原子结构,球差校正透射电子显微术

来源: 电子显微学报 2019年05期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心

基金: 国家千人计划青年项目,中国科学院前沿科学重点研究项目(No.QYZDY-SSW-JSC027),国家自然科学基金资助项目(Nos.51771200,11332013),辽宁省“兴辽英才计划”项目(No.XLYC1802088)

分类号: TB383.2

页码: 459-463

总页数: 5

文件大小: 855K

下载量: 128