晶界结构论文_邹飞,唐仁衡,肖方明,周庆

导读:本文包含了晶界结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:永磁,结构,微观,稳定性,磁控溅射,温度,场强。

晶界结构论文文献综述

邹飞,唐仁衡,肖方明,周庆[1](2019)在《晶界扩散工艺对高丰度稀土永磁材料磁性能及微观结构的影响机理研究》一文中研究指出Nd-Fe-B系稀土永磁材料由于具有优异的磁性能而广泛应用于高端装备制造业、新能源汽车、新能源与节能环保等战略性新兴产业。近年来,受益于节能家电,风力发电以及新能源汽车等低碳经济的发展,钕铁硼永磁材料获得了广阔的应用前景和市场空间。随着稀土永磁产业的快速发展,Nd、Pr等低丰度稀土资源的使用量和价格(本文来源于《稀土元素镧铈钇应用研究研讨会暨广东省稀土产业技术联盟成立大会摘要集》期刊2019-11-15)

匡文军,Gary,Was[2](2019)在《晶界结构对690合金在压水堆主回路水环境中晶界腐蚀行为的影响》一文中研究指出690合金是压水堆核电站中广泛使用的一种关键结构材料,其在高温水中的局部腐蚀行为尤其是晶界氧化行为应当受到重点关注。本工作中研究了690合金在360℃充氢高温水中慢应变速率拉伸试验后4种不同类型晶界的氧化行为。发现随机大角度晶界(RHAB)中Cr可以快速扩散到晶界表面促使形成一层致密的氧化膜,晶界附近出现Cr贫化并且发生迁移。而共格孪晶界(CTB)中却发生沿晶界的氧化,并没有表现出Cr沿晶界的快速扩散和晶界迁移。CTB在冷加工后其晶界结构遭到破坏后转变成TTB,其晶界氧化行为变得和RHAB一样。非共格孪晶界(ITB)表现出晶间氧化并有一定Cr向外扩散,但没有发生晶界迁移。比较这(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24)

冯兴宇,匡文军[3](2019)在《晶界结构对镍基600合金晶界氧化行为的影响》一文中研究指出应力腐蚀开裂是核电用镍基600合金的主要环境失效形式之一,而晶间氧化是导致晶界脆化的重要原因,直接影响核电结构材料服役过程中的晶间应力腐蚀开裂(IGSCC)行为。不同结构的晶界所表现出的晶间氧化敏感性存在明显差异,无论是通过优化晶界结构来改善晶界相关性能,还是通过晶界模型对镍基600合金的应力腐蚀开裂敏感性进行评估和预测都需要了解各类晶界的性质。然而,目前关于晶界结构与镍基600合金氧化行为之间关系的研(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24)

郑圆圆,张凯宇,周成双,张林[4](2019)在《晶界结构与氢的耦合作用对金属镍塑性变形行为及力学性能的影响》一文中研究指出多晶金属中晶界(GB)界面的性质和分布在许多金属材料性能中起着重要作用。对金属多晶试样的实验研究表明,晶界结构对界面迁移率、腐蚀性能、裂纹成核抗力和材料韧性都有很大影响。大量的氢脆(HE)现象是由于H引起的界面凝聚力的丧失(如晶粒、第二相、夹杂物等)导致的。此外,某些低能晶界(LEGB),如:重合点阵(CSL)的出现与材料力学性能的改变具有一定的相关性。然而,仅通过实验条件来了解材料微观变形机理仍然是一个很大的挑战。为了克服实验方法的局限性,本报告采用基于分子动力学(MD)的原子模拟技术研究了与多类型晶界有关的面心立方镍氢脆(HE)现象的机理。在原子水平上分析了GB与H的耦合作用对镍拉伸响应的影响,探讨了GB在H致变形行为中的作用以及GB结构、变形演化与HE性质之间的关联机制。本工作建立了一种新的圆柱模型,消除了计算晶界能(GBE)时自由表面的影响,并对一系列包含不同类型<110>对称倾斜晶界的Ni双晶模型进行了晶界结构分析和虚拟拉伸计算。研究表明:1)与Ni单晶相比,H提高了含LGHB双晶的屈服强度,而降低了含高能晶界(HEGB)双晶的屈服强度。2) H抑制位错成核,位错优先与LEGB在双晶的晶内成核;不同的是在包含HEGB的双晶中H促进位错成核,位错由HEGB释放出来。3) LEGB结构倾向于强局域原子弛豫。原子弛豫使局域原子密度更加均匀,抑制了边界空洞的形成。因此,没有足够的自由体积使原子在LEGB处移动和重新排列,因此位错优先在晶粒内部成核。与之不同的是,GBE越高,H在GB处的偏聚越明显,过量H聚集导致HEGB具有更加开放的结构,其特点即为过量的自由体积促进原子的重新排序。以上研究表明H和GB结构在位错成核中都扮演重要的角色。通过晶界工程,提高特殊晶界的比例,可以显着增强了金属材料对HE的抵抗能力。该技术在强度、延性、应力腐蚀开裂、高温蠕变、高循环疲劳性能等方面均有提高。(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24)

秦希,刘满平,章勇,王圣楠,陈健[5](2019)在《高压扭转纯铝的微观组织及晶界结构》一文中研究指出室温下对纯铝高压扭转10圈,通过电子背散射衍射分析技术(EBSD)研究了高压扭转纯铝的微观组织及晶界结构。结果表明:变形后纯铝的晶粒尺寸细化至250~1200 nm之间,尺寸200~700 nm区间的晶粒最多,占统计晶粒数的76%,平均晶粒尺寸为530 nm,为典型的超细晶组织。经过仔细观察,在极个别细小的超细晶组织周围发现了晶粒尺寸大于1000 nm的粗大晶粒,但就整体而言,变形后纯铝的晶粒分布较为均匀。纯铝高压扭转后大角度晶界占所有晶界的81%,小角度晶界占19%,大角度晶界数量明显高于小角度晶界,这表明变形过程中发生了动态再结晶。纯铝变形后低重位点阵晶界占29. 14%,其中∑3晶界占7. 2%,以非共格孪晶界为主。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2019年09期)

贺凡[6](2019)在《SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究》一文中研究指出钛酸锶晶界层陶瓷电容器介电常数高,高频特性好、耐压高,具有优良的电容特性和微波特性,广泛应用于微波通讯线路、振荡电路、定时或延时电路、耦合电路、平衡滤波电路、抑制高频噪声电路、射频旁路以及微波集成电路中,适合微组装的键合工艺,在很多应用中是难以替代的。但该产品目前存在某些服役可靠性问题,长期工作下会产生对可靠性不利的电性能劣化。因此研究其老化试验下的性能变化特征,对提高其可靠性具有重要的意义。本论文采用两步烧结法制备SrTiO_3晶界层陶瓷电容器,比较了SrTiO_3半导陶瓷基片与SrTiO_3晶界层陶瓷基片的性能差异。SrTiO_3半导陶瓷基片涂覆氧化铋于空气中氧化后密度提高,电阻率提升超过8个数量级,频率-电容特性变得稳定。Bi仅存在于晶界区域。论文研究了直流偏压电场对SrTiO_3晶界层陶瓷电容器电性能的退化影响。随着在直流偏压下老化时间的延长,电阻率呈现持续降低的趋势,并且电阻率退化行为存在着方向性。测量电场方向与老化电场方向一致(正测)时测得电阻率降低幅度小于测量电场方向与老化电场方向相反(反测)所测电阻率降低幅度。即顺老化电场方向的电阻率退化程度低于逆电场方向的电阻率退化程度。扫描微波阻抗显微镜测试直接观察到了老化后样品晶界两侧的载流子浓度差异。直流老化时接正极一侧的晶界处载流子浓度相对接负极一侧的浓度高,晶界两侧载流子浓度的差异造成晶界两侧势垒不对称,导致了老化后正测电阻率与反测电阻率的差异。论文采用透射电子显微镜及电子能量损失谱观察分析了SrTiO_3半导陶瓷基片及晶界渗Bi氧化后晶界层陶瓷基片的晶界区域微结构。SrTiO_3陶瓷基片具有多种形态的晶界,晶界宽度从几纳米到数百纳米不等。Bi元素在不同晶界的分布存在差异性。有的晶界区域仅晶界中心区存在Bi;有的晶界区域除了晶界中心区存在高浓度的Bi,晶界两侧的晶粒内还存在一定宽度的Bi扩散区。Bi扩散区内还存在Sr空位区,Sr空位区范围小于Bi扩散区。晶界区的几何形式、杂质元素及空位缺陷的分布情况与晶界势垒的形成及分布有直接关系,晶界层电容器的性能及老化性能都与之有关。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-05-31)

王德彬[7](2019)在《钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究》一文中研究指出陶瓷储能介质材料以较高的放电功率密度和较好的工作稳定性等优点非常适合作为脉冲功率设备的储能器件。(Sr,Pb,Bi)TiO_3(SPBT)介质陶瓷具有较高的放电功率密度、高放电效率、较高的介电常数以及低介电损耗。本文在SPBT介质陶瓷的研究基础上,通过改变改性剂,制备了不同晶界结构的SPBT基介质陶瓷,绕着晶界结构这个核心问题,对材料的介电性能展开了系统性的研究。改性剂对SPBT基介质陶瓷晶界结构的影响。通过低温烧结与Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)改性制备了SPBT相与Pb_3Bi_4Ti_6O_(21)(PBT)相共存的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-xBi_4Ti_3O_(12)((1-x)SPBT-xBIT)复相陶瓷,PBT相比SPBT具有完全不同的结构性质,它的出现降低了材料的晶界密度,增加了材料中的铁电宏畴密度。通过高温烧结与Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)改性制备了单相的(1-x)Sr_(0.7)Pb_(0.15)Bi_(0.1)TiO_3-x Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3((1-x)SPBT-xBNT)介质陶瓷,BNT的掺入改变了晶粒的元素成分,增强了晶界的绝缘性。同时由于元素成分的变化,晶界结构随之改变,微畴消失,导致了电畴结构的变化。晶界结构对材料耐压场强的影响。降低材料晶粒尺寸有利于提高其晶界密度,但研究发现这也会导致明显的界面极化效应,使材料的耐压场强降低。通过BIT掺入可降低晶界密度及空间电荷浓度,可有效降低界面极化效应的影响。研究发现BNT掺入使SPBT晶界的绝缘性增强,可有效提高材料的耐压场强。但BNT掺入会导致铅铋化合物的析出,对材料的介电性能造成了不利影响。晶界结构对材料介电温度特性的影响。BIT与BNT都具有较高的居里温度,研究发现BIT或BNT掺杂可使材料的居里峰移动、展宽,达到降低-电容温度变化率的效果。通过对比高低温烧结的SPBT陶瓷可发现,降低材料的晶粒尺寸可有效增加晶界间的内应力,降低材料的电容-温度变化率。晶界结构对材料储能特性的影响。BIT掺入导致了(1-x)SPBT-xBIT陶瓷中宏畴的密度增加,材料的铁电性增强。在(1-x)SPBT-xBNT陶瓷中,BNT掺入改变了材料的晶界结构,微畴消失,材料的宏畴密度增加,材料的反铁电性增强。由于铁电宏畴密度增加,畴壁重新取向将消耗更多的能量,导致材料的介质损耗增大,放电效率降低。同时,BNT掺入还可有效增加材料的储能密度。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01)

曾慧欣[8](2019)在《不同合金晶界扩散对烧结NdFeB永磁显微结构及性能的影响》一文中研究指出烧结NdFeB磁体广泛应用于国民经济的各个领域。5G通信技术、新能源汽车、风力发电等行业的快速发展,对NdFeB的矫顽力及其他方面的性能提出了更高的要求。在改善NdFeB磁体综合性能的同时,降低磁体成本也是目前主要的研究目标。晶界扩散技术通过将含稀土的单质或化合物以及共晶合金添加到主相的晶界,在主相周围形成稀土的硬磁壳层或者改善晶界相的分布,来提高磁体的矫顽力,同时减少稀土元素,特别是重稀土元素的含量。针对晶界扩散技术,目前工业上常用的扩散剂是重稀土Dy/Tb的单质或化合物。本论文以实现烧结NdFeB磁体晶界扩散技术的低成本和高性能为目标,使用不同类型合金作为晶界扩散剂,通过扩散工艺研究,提高了磁体的矫顽力。通过分析扩散前后磁体的显微组织和不同元素的扩散动力学,研究磁体矫顽力提升的物理机制。此外,还研究了晶界扩散对磁体的耐蚀性及力学性能等应用特性的影响。论文主要研究内容及结果如下:首先,使用不含重稀土的低熔点Pr-Al-Cu合金进行晶界扩散,在800℃?2 h-500℃?3h的热处理下,磁体的矫顽力从1000 kA/m提高到1714 kA/m。扩散后磁体的显微组织显示,主相周围形成了(Nd,Pr)-Fe-B相,晶界相的分布也得到了优化,共同促进了矫顽力的提高。扩散动力学的研究结果显示,Pr、Al、Cu叁种元素中Pr在晶界中扩散最快。相比于原始磁体,晶界扩散后磁体的耐蚀性有所下降,显微硬度及抗压强度均有提高。其次,使用低成本的高丰量稀土(La_xCe_(1-x))-Al-Cu合金进行晶界扩散,在600℃?1 h-500℃?1 h热处理下,成功将磁体矫顽力从990 kA/m提高到1030 kA/m。显微组织及相的研究发现,La和Ce在晶界中有不同的表现行为,Ce能增加晶界的润湿性,但同时生成的REFe_2相恶化磁性能,La能减少REFe_2相的生成,但容易氧化并且分解出?-Fe相,弱化磁性能,不同La和Ce含量合金的扩散对矫顽力的影响是以上两种因素相互作用平衡的结果。扩散动力学的研究中发现,Ce在晶界中的扩散要稍快于La。扩散后磁体的腐蚀电位有所降低,显微硬度及抗压强度有所增加。最后,使用不含稀土的Al-Cu合金进行晶界扩散,在800℃?2 h-500℃?3 h热处理下,矫顽力从1000 kA/m提高至1125 kA/m。显微组织及相的研究发现,扩散进入晶界中的Al、Cu元素与晶界相反应形成的fcc-Nd_2O_3相减少了反磁化畴的形核,同时优化了晶界相的分布,促进了矫顽力的提高。研究发现,经过Al-Cu合金扩散后磁体的耐蚀性有所提高,显微硬度和抗压强度也得到了提高。基于以上研究结果,本论文使用不同的低成本扩散剂进行晶界扩散,均成功实现了磁体矫顽力的提高,并通过实验和理论分析解释了扩散过程对矫顽力的影响。研究结果对于实现烧结NdFeB磁体的低成本、高性能化具有较重要的指导意义。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-11)

刘哲源,卢昱江,李依轩,黄宗吉,高英俊[9](2018)在《高温应变下的晶界位错结构组态演化的晶体相场模拟》一文中研究指出【目的】研究高温下晶体的晶界位错结构组态演化。【方法】采用晶体相场(PFC)方法模拟高温条件下小角对称倾侧晶界结构,研究施加x轴方向拉应变和y轴方向压应变作用下晶体的晶界位错的迁移、增殖和湮没。【结果】在施加应变的作用下,晶界位错迁移出晶界向晶粒内部移动,在位错增殖和湮没的过程中发生位错反应。【结论】位错增殖的本质是产生了分布于晶界两侧的对称位置数量相等且Burgers矢量总和为0的多组位错对。在晶界处新增殖的位错对,其左侧和右侧位错对的Burgers矢量之和分别不为0且方向相反。在位错增殖和湮没的过程中,样品的总Burgers矢量是守恒的,总是等于初始晶界处的位错组A的Burgers矢量。(本文来源于《广西科学院学报》期刊2018年04期)

陈望[10](2018)在《烧结Nd-Fe-B永磁材料的薄膜晶界扩散微结构及性能研究》一文中研究指出烧结Nd-Fe-B磁体因其优异的内禀磁性能而广泛应用于电子、医疗、汽车、航天等民用及高精尖技术领域。但目前Nd-Fe-B磁体仍存在着高温稳定性差和抗腐蚀性弱的不足,限制了其在各领域的进一步拓展应用。较高的矫顽力是磁体应用于高温工作环境的先决条件,传统的重稀土掺杂法虽然对提升矫顽力较为有效,但其对稀土资源浪费巨大。为此本文采用环境友好的磁控溅射技术,在烧结Nd-Fe-B磁体表面沉积单质及复合薄膜,后经过晶界扩散技术制备得到综合性能优异的NdFe-B磁体。本文首先采用磁控溅射技术在烧结Nd-Fe-B磁体表面沉积Dy单质薄膜,优化了磁控溅射及晶界扩散工艺。研究结果表明:溅射功率为125 W、沉积时间为10min时膜层致密均匀。800℃/5 h晶界扩散工艺所制磁体的矫顽力最高,可达Hci=1189 k A/m,提高了约22.3%。微观结构研究发现,较高及较低温度扩散均易造成富稀土相的团聚,从而对矫顽力造成不利的影响。晶界扩散时间增至7 h时,磁体的综合磁性能最佳,其中,Hci=1174 k A/m,Jr=1.205 T,(BH)max=246 k J/m3。同时发现,晶界扩散后,磁体的回复曲线由张开态进展为闭合态,这源自于扩散后磁体微观结构的优化。抗腐蚀性试验结果表明,Dy膜扩散磁体的抗腐蚀性能较原始磁体有了一定程度的提高。以Mn单质膜层作为扩散源进行晶界扩散时发现,磁体的矫顽力并没有提高反而呈现下降的趋势。基于共溅射技术,制备了Dy Mn复合膜层,膜层由晶态及非晶态的Dy、Mn相组成。优化了磁控溅射工艺,发现溅射时间为30 min时,磁体矫顽力值最高,可达1298 k A/m,相比原始磁体,增加了近33.5%。扩散工艺研究表明,Dy Mn复合膜层的最佳热处理条件为750℃/5 h,此时磁体的磁性能可达:Hci=1310 k A/m,Jr=1.208 T,(BH)max=259 k J/m3。其所需退火温度及时间较单质Dy膜层扩散相比均有所降低,且磁体综合磁性能获得进一步提升。抗腐蚀性试验结果表明,Dy Mn扩散磁体的抗腐蚀性能得到显着改善。通过研究非稀土Al膜的晶界扩散工艺,发现550℃/1 h晶界扩散条件所制磁体的综合磁性能最佳。微结构研究表明,较高温度退火时,晶间相区域发现有弱铁磁性相Al-rich相(Nd26.7Pr10.5Fe53.9Al8.9)的存在,该相因能增加晶间交换耦合作用和降低反磁化畴的形核场而不利于磁体矫顽力的提升。热稳定性研究发现,Al膜扩散磁体的矫顽力温度系数|β|和剩磁温度系数|α|均有所降低,这表明扩散磁体的温度稳定性有了一定提高。通过分步溅射和扩散Dy、Al,制备了具有优异磁性能的晶界扩散磁体,其最佳综合磁性能可达:Hci=1383 k A/m,Jr=1.179 T,(BH)max=250 k J/m3,相比制备态磁体,矫顽力增幅高达42.3%。且其温度稳定性较单质膜层扩散所制磁体也有显着改善。(本文来源于《南昌航空大学》期刊2018-11-01)

晶界结构论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

690合金是压水堆核电站中广泛使用的一种关键结构材料,其在高温水中的局部腐蚀行为尤其是晶界氧化行为应当受到重点关注。本工作中研究了690合金在360℃充氢高温水中慢应变速率拉伸试验后4种不同类型晶界的氧化行为。发现随机大角度晶界(RHAB)中Cr可以快速扩散到晶界表面促使形成一层致密的氧化膜,晶界附近出现Cr贫化并且发生迁移。而共格孪晶界(CTB)中却发生沿晶界的氧化,并没有表现出Cr沿晶界的快速扩散和晶界迁移。CTB在冷加工后其晶界结构遭到破坏后转变成TTB,其晶界氧化行为变得和RHAB一样。非共格孪晶界(ITB)表现出晶间氧化并有一定Cr向外扩散,但没有发生晶界迁移。比较这

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

晶界结构论文参考文献

[1].邹飞,唐仁衡,肖方明,周庆.晶界扩散工艺对高丰度稀土永磁材料磁性能及微观结构的影响机理研究[C].稀土元素镧铈钇应用研究研讨会暨广东省稀土产业技术联盟成立大会摘要集.2019

[2].匡文军,Gary,Was.晶界结构对690合金在压水堆主回路水环境中晶界腐蚀行为的影响[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019

[3].冯兴宇,匡文军.晶界结构对镍基600合金晶界氧化行为的影响[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019

[4].郑圆圆,张凯宇,周成双,张林.晶界结构与氢的耦合作用对金属镍塑性变形行为及力学性能的影响[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019

[5].秦希,刘满平,章勇,王圣楠,陈健.高压扭转纯铝的微观组织及晶界结构[J].材料热处理学报.2019

[6].贺凡.SrTiO_3晶界层陶瓷电容器直流偏压下性能退化及晶界层结构研究[D].华南理工大学.2019

[7].王德彬.钛酸锶铅铋基储能陶瓷材料晶界结构与介电性能研究[D].西南科技大学.2019

[8].曾慧欣.不同合金晶界扩散对烧结NdFeB永磁显微结构及性能的影响[D].华南理工大学.2019

[9].刘哲源,卢昱江,李依轩,黄宗吉,高英俊.高温应变下的晶界位错结构组态演化的晶体相场模拟[J].广西科学院学报.2018

[10].陈望.烧结Nd-Fe-B永磁材料的薄膜晶界扩散微结构及性能研究[D].南昌航空大学.2018

论文知识图

透明陶瓷EDX成份分析电极相反的两个理想MOS结构串联的C-...二元相图合金12Gd-3Y-Zn经过不同固溶处理时间...中标红线处的磁矩在xy面内的分布:...纳米铝中的晶界发射与吸收位错[2]

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晶界结构论文_邹飞,唐仁衡,肖方明,周庆
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