导读:本文包含了垂直布里奇曼法论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:布里,晶体,生长,应力,近似,半导体,弹性。
垂直布里奇曼法论文文献综述
纪亮亮[1]（2017）在《基于垂直布里奇曼法的InSb和InI晶体生长及性能研究》一文中研究指出半导体探测器作为辐射探测介质的使用始于20世纪60年代,因其具有高的能量分辨率、短脉冲上升时间、小体积以及线性范围广等优点,使得很多复杂能谱的精细结构得到了很好的研究并广泛应用于各种辐射探测领域。本课题分别以锑化铟(In Sb)和碘化铟(In I)两种化合物半导体为研究对象,采用垂直布里奇曼法生长了In Sb和In I单晶体,并对In Sb和In I单晶的质量和性能加以表征和分析,为今后半导体探测器的发展和应用奠定良好的物质基础。首先,介绍了化合物半导体材料和探测器的研究背景,进而阐述了In Sb和In I两种半导体材料的研究现状,最后讲述了本论文的研究目的和意义。其次,介绍了几种常见的化合物晶体生长技术,进而介绍了晶体生长过程中几种常见的缺陷,为接下来的实验部分提供了理论指导。再次,采用垂直布里奇曼法制备了In Sb单晶,找到了一种适合In Sb生长的工艺参数,经线切割、研磨、抛光得到In Sb单晶片。通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪、紫外-可见吸收光谱仪和电阻率测试仪等仪器对生长的锑化铟单晶的晶格结构、形貌组分、带隙能量以及电阻率进行了详细的表征。最后,在国内首次采用垂直布里奇曼法生长了InI单晶,经加工处理得到InI单晶片,通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪、紫外-可见吸收光谱仪、原子力显微镜和电阻率测试仪等对其晶格结构、形貌组分以及电学性质进行了测试与分析。(本文来源于《燕山大学》期刊2017-05-01）
杨登辉,赵北君,朱世富,陈宝军,何知宇[2]（2015）在《垂直布里奇曼法生长磷锗锌单晶体与性能表征（英文）》一文中研究指出采用改进的垂直布里奇曼法在自制的叁温区炉内生长出尺寸达Ф24 mm×70 mm的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光仪(XRF)以及傅里叶红外光谱仪(FTIR)对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征。加工制作出ZGP光参量振荡器(ZGP-OPO),采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3~5μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W。上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2015年10期）
范叶霞[3]（2015）在《垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化》一文中研究指出分析了利用垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件,如坩埚的材质和形状、炉体温场、固液界面形状、生长速率以及采用籽晶等生长条件对晶体单晶率和质量的影响,并提出了优化垂直布里奇曼法生长Cd Zn Te晶体的条件。(本文来源于《激光与红外》期刊2015年08期）
黄昌保,倪友保,吴海信,王振友,程旭东[4]（2014）在《改进垂直布里奇曼法生长硒化镓单晶（英文）》一文中研究指出当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19 mm×65 mm硒化镓单晶。X射线粉末衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FT-IR)分别用于测量晶体的结晶度和光学性质。红外测试表明,硒化镓晶体透过波谱较宽(0.65~16μm)和吸收系数较低(<0.3 cm-1)。(本文来源于《无机材料学报》期刊2014年05期）
王焱,闵嘉华,梁小燕,张继军[5]（2011）在《垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的径向溶质偏析之有限元分析法模拟》一文中研究指出运用有限元分析软件Comsol Multiphys-ics,结合晶体生长固液界面曲率分析法,模拟了垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体。研究了固液界面处曲率变化对于溶质径向偏析的影响,揭示了界面曲率与溶质偏析的内在关联性,并计算了数值。分析了3种晶体生长方式:(1)坩埚匀速生长;(2)两阶段坩埚变速生长;(3)坩埚回熔生长分别对于溶质偏析的影响。采用扫描电子显微镜SEM中的能谱仪EDX测量3种工艺的Zn组分分布:(1)模拟值比对实验结果发现可以运用固液界面的曲率平均值来推算溶质径向组分偏差的大小;(2)模拟推算的溶质径向偏差值更加接近于实验所得的溶质组分偏差最大值;(3)坩埚回熔生长法生长晶体的固液界面的波动性小,界面稳定性最好,溶质径向组分偏差也最小。(本文来源于《功能材料》期刊2011年11期）
姚超,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇[6]（2010）在《垂直布里奇曼法生长铜单晶的蚀坑研究》一文中研究指出铜单晶在中子、X射线单色器以及高保真信号传输等领域有重要应用前景。采用改进的无籽晶垂直布里奇曼法生长出外观完整、表面光滑、无裂纹的铜单晶,对晶体进行切割研磨抛光后,采用DX-2000型X射线衍射仪进行了结构分析,获得了铜单晶(111)和(220)晶面的X射线衍射谱,谱峰尖锐、强度高,还观察到(111)晶面的二级衍射峰;利用硝酸与高纯水的混合液作为腐蚀剂对晶片进行了腐蚀研究,获得了较为清晰的(111)和(220)晶面蚀坑显微图像,对蚀坑的成因进行了分析,计算出蚀坑密度约为10~4～10~6数量级,表明生长的晶体结构完整,质量较好。(本文来源于《第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第3分册）》期刊2010-10-15）
王立苗,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇[7]（2009）在《垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究》一文中研究指出Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2009年01期）
栾丽君,介万奇[8]（2009）在《垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析》一文中研究指出Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。(本文来源于《电子显微学报》期刊2009年01期）
王智贤,赵北君,朱世富,邱春丽,李新磊[9]（2008）在《垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究》一文中研究指出使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律.实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-II腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势.结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律.(本文来源于《新疆大学学报(自然科学版)》期刊2008年04期）
王智贤,赵北君,朱世富,邱春丽,李新磊[10]（2008）在《垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究》一文中研究指出使用观察位错蚀坑密度方法研究了垂直布里奇曼法生长的Cd1-xZnxTe(CZT)单晶体位错分布规律。实验中选择(110)面几乎平行于径向的晶片,使用EAg-Ⅱ腐蚀剂对晶片进行腐蚀,观察了晶面上蚀坑的形貌及分布,计算了位错蚀坑密度,得到CZT单晶体位错密度的分布趋势。结合晶体生长工艺,运用完全弛豫弹性应力近似理论讨论了CZT晶体位错密度分布规律。(本文来源于《第四届西部十二省（区）市物理学会联合学术交流会论文集》期刊2008-07-01）
垂直布里奇曼法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用改进的垂直布里奇曼法在自制的叁温区炉内生长出尺寸达Ф24 mm×70 mm的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理。采用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光仪(XRF)以及傅里叶红外光谱仪(FTIR)对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征。加工制作出ZGP光参量振荡器(ZGP-OPO),采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3~5μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W。上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
垂直布里奇曼法论文参考文献
[1].纪亮亮.基于垂直布里奇曼法的InSb和InI晶体生长及性能研究[D].燕山大学.2017
[2].杨登辉,赵北君,朱世富,陈宝军,何知宇.垂直布里奇曼法生长磷锗锌单晶体与性能表征（英文）[J].稀有金属材料与工程.2015
[3].范叶霞.垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化[J].激光与红外.2015
[4].黄昌保,倪友保,吴海信,王振友,程旭东.改进垂直布里奇曼法生长硒化镓单晶（英文）[J].无机材料学报.2014
[5].王焱,闵嘉华,梁小燕,张继军.垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的径向溶质偏析之有限元分析法模拟[J].功能材料.2011
[6].姚超,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇.垂直布里奇曼法生长铜单晶的蚀坑研究[C].第七届中国功能材料及其应用学术会议论文集（第3分册）.2010
[7].王立苗,赵北君,朱世富,唐世红,何知宇.垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究[J].人工晶体学报.2009
[8].栾丽君,介万奇.垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析[J].电子显微学报.2009
[9].王智贤,赵北君,朱世富,邱春丽,李新磊.垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究[J].新疆大学学报(自然科学版).2008
[10].王智贤,赵北君,朱世富,邱春丽,李新磊.垂直布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的位错分布研究[C].第四届西部十二省（区）市物理学会联合学术交流会论文集.2008
论文知识图
