导读:本文包含了紫外光响应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:异质结,光伏效应,紫外光探测器,自驱动光响应特性
紫外光响应论文文献综述
魏成泰[1]（2019）在《NiO/ZnO纳米棒阵列异质结器件自驱动紫外光响应特性研究》一文中研究指出无需电源供电的自驱动紫外光探测器可实现小型化、智能化,在未来自驱动的无线遥控的纳米器件领域将发挥重要的作用。基于光伏效应的自驱动异质结紫外光探测器可以利用内建电场促进光生载流子的分离,实现无外加电源驱动的紫外光探测。一维ZnO纳米棒阵列(NRs)和NiO纳米片可构筑成具有光伏效应的Ⅱ型异质结紫外光探测器,纳米结构的异质结为光生载流子分离提供更多的界面,有序的阵列结构有利于载流子定向传输。但是纳米结构半导体比表面积大,表面态和缺陷态较多,载流子容易在NiO/ZnO NRs异质结界面发生复合,导致异质结器件自驱动条件下暗电流大、光响应度低。本论文利用简单的化学浴沉积方法在ZnO NRs表面制备NiO纳米片,构筑Au/NiO/ZnO NRs/FTO异质结紫外探测器,研究异质结器件在无外加电场驱动时,自驱动的紫外光响应特性。通过提高ZnO NRs的结晶质量、异质结界面插入介质层减少表面态和缺陷态,降低载流子复合中心,减少载流子在异质结界面的复合,提高异质结器件的光电流和降低暗电流,从而提高自驱动异质结器件的紫外光探测性能。本论文主要研究内容和结论如下:(1)ZnO的表面态和缺陷态是影响NiO/ZnO NRs异质结器件性能的重要因素。利用后期真空退火降低ZnO NRs的缺陷态,减少载流子在缺陷态和表面态的复合。研究发现,NiO/ZnO NRs异质结器件具有良好的整流特性,紫外光照下存在光伏效应,可实现自驱动紫外光探测。在无外界偏压驱动时,异质结器件对紫外光具有很好的光谱选择性。经过300℃真空退火处理的ZnO NRs异质结器件在零偏压下由热激发产生的暗电流降低,器件的灵敏度得以提高。这归因于真空退火处理的ZnO NRs表面态降低,载流子复合中心减少,载流子在异质结界面的复合降低。(2)利用磁控溅射方法在ZnO NRs上沉积不同时间的MgO纳米颗粒,构筑NiO/MgO/ZnO NRs异质结紫外光探测器,研究MgO介质层对异质结器件自驱动紫外光响应特性的影响。研究发现,MgO介质层在异质结器件中起到两种作用:一种是修饰ZnO NRs表面,抑制ZnO NRs的表面缺陷态引起的异质结界面载流子的复合,降低器件在零偏压下由于热效应引起的暗电流,提高器件信噪比;一种是作为ZnO NRs与NiO纳米片之间的载流子转移的阻挡层,ZnO NRs的光生空穴通过隧穿MgO到达NiO。MgO沉积时间为30 min的NiO/MgO/ZnO NRs异质结器件对弱的紫外光呈现具有高的光响应度(378 nm,73.9 mA/W)和可探测率(5.84?10~(11) cm?Hz~(1/2)/W)。(3)通过在生长ZnO NRs的前驱液中添加Al~(3+)离子调控纳米棒的形核与生长,获得高质量的ZnO NRs,研究NiO/ZnO NRs异质结器件的自驱动紫外光响应特性。研究发现,前驱液中加入0.5%Al~(3+)离子生长的ZnO NRs结晶质量较好,表面缺陷态较少,载流子浓度较高,费米能级更靠近于导带底。在该条件下构筑的NiO/ZnO NRs异质结器件对弱紫外光(0.2 mW/cm~2)呈现出窄的光谱选择性(半高宽约9 nm),高光响应度(378 nm,85.1 mA/W)和可探测率(1.74?10~(12) cm?Hz~(1/2)/W),快的光响应速度(~2 ms)。异质结大的内建电场有助于界面光生载流子的分离和定向传输,降低界面光生载流子的复合。(本文来源于《天津理工大学》期刊2019-06-01）
姜晓彤,鲁林芝,谢长生[2]（2019）在《Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应》一文中研究指出研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试。研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小。掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3 112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍。Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大。(本文来源于《功能材料》期刊2019年05期）
蒋海涛,刘诗斌,元倩倩[3]（2019）在《纳米金刚石和氧化锌纳米线的协同效应提高紫外光电响应（英文）》一文中研究指出氧化锌基紫外光电探测器较小的开关比和长的响应时间,制约其在紫外检测中的实际应用。一种简易制备纳米金刚石修饰氧化锌纳米线紫外光电探测器的方法,纳米金刚石和氧化锌纳米线混合物光电探测器的光电性能比氧化锌光电探测器有明显的提升:快的响应时间和好的开关比;优异的光电性能得益于纳米金刚石和纳米线之间的协同效应。这种策略为设计和制备新型光电系统提供了一种可能。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年01期）
骆英民[4]（2018）在《p-NiO/n-ZnO异质结紫外光探测器的制备及其光响应特性研究》一文中研究指出紫外探测器无论在民用还是在国防军事领域都具有重要的作用和价值。新一代紫外探测器要求具备体积小、响应和恢复速度快、灵敏度高和制备成本低等特点。ZnO作为一种重要的II-VI族直接宽带隙半导体,由于具有禁带宽度大、不吸收可见光、光电性能好、化学性质稳定和制备成本低等优点,因而在紫外光探测领域具有广阔的应用前景。特别是ZnO优良的压电性能,更使得在调控和改善基于ZnO材料制备的光电器件性能方面增加了一种可选择的重要途径。但基于单一 ZnO材料制作的光电导型紫外光探测器的光响应速度通常较慢,特别是恢复时间很长,从而限制了其实际应用。ZnO同质pn结型紫外光探测器的研究,又由于性能稳定的p型ZnO难以制取而缺乏较大进展。故而,近年来,构造各种基于ZnO的肖特基结和异质pn结型紫外光探测器已成为研究的关注点。本论文围绕ZnO纳米棒阵列与连续致密膜的生长制备、p-NiO/nZnO异质结的构造及其紫外光响应性能测量与分析等相关问题,展开了一系列的研究工作。由于各种结型器件的光响应速度通常均很快,故本论文的研究重点是器件的恢复性能。主要内容包括以下几部分:(1)采用磁控溅射和水溶液法在蓝宝石衬底上制备了 ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱等表征手段对其形貌、结构、成分及光学特性等进行了测试分析。研究了 ZnO纳米棒阵列退火前后的紫外响应特性,结果表明,5500C下退火可以减少ZnO中的缺陷数量,降低紫外探测器暗电流,从而有效增强ZnO紫外探测器的灵敏度。(2)采用热蒸发氧化方法,在蓝宝石衬底上制备了 NiO薄膜,并对不同氧化温度下制备的NiO薄膜进行了表征分析。结果表明,随着氧化温度的升高,NiO薄膜的缺陷减少,晶体质量提高。在此基础上,通过低温水溶液方法在不同氧化温度下制备的NiO薄膜上分别生长了 ZnO纳米棒阵列,并对这些p-NiO/n-ZnO异质结样品的紫外光响应特性进行了研究。结果表明,在所研究的温度范围内,NiO膜的氧化温度越高,晶体质量越好,器件的恢复速度越快。(3)在柔性的Ni薄片上通过热氧化工艺制备了 NiO薄膜,并通过在传统水溶液中加入柠檬酸叁钠的方法,成功地在这种柔性NiO薄膜上生长了致密连续的ZnO薄膜。这种致密的薄膜结构有效减少了 ZnO与空气的接触面积,从而大幅度缩短了p-NiO/n-ZnO紫外光探测器的恢复时间。相较于ZnO纳米棒阵列与NiO薄膜构成的器件,致密ZnO薄膜与NiO薄膜构成的紫外探测器的恢复时间从25秒减少到8秒。在此基础上,利用ZnO的压电电子学与压电光电子学效应进一步缩短了该种柔性器件的恢复时间:在-1%、-2%和-4%的压应变情况下,器件的恢复时间分别由无应变时的8秒减少到7秒、3.6秒和2.4秒。(本文来源于《大连理工大学》期刊2018-09-01）
陈相和[5]（2018）在《PLD法制备Ga_2O_3薄膜材料及其紫外光响应特性研究》一文中研究指出近五十年来,基于薄膜半导体材料的光电探测器因其体积小、成本低、功耗低等优点,逐渐替代真空光电管成为当前的主流研究热点。相较于MgZnO、AlGaN和金刚石等其它宽带隙薄膜材料,Ga_2O_3薄膜对紫外光比较敏感,对日盲紫外光(220-280 nm)响应度高,是制备高性能日盲紫外探测器的理想材料之一。但是,Ga_2O_3日盲紫外探测器也存在一些问题,例如暗电流高,信噪比低,响应和恢复速度慢等,限制了其在商业等领域的应用。因此,进一步降低Ga_2O_3紫外探测器的暗电流和提高器件信噪比成为本论文研究的重点。本论文主要内容是利用脉冲激光沉积(PLD)方法,在制备Ga_2O_3薄膜的过程中,通过降低生长温度,在β-Ga_2O_3薄膜中生长(400)β-Ga_2O_3和引入α-Ga_2O_3叁种方法降低Ga_2O_3紫外探测器的暗电流,提高器件的信噪比和响应恢复速度,并找出相对合理的解释方法,主要研究结果如下:(1)利用PLD方法在c面蓝宝石衬底上制备Ga_2O_3薄膜,通过改变生长温度研究结晶质量对Ga_2O_3薄膜结晶特性及Ga_2O_3紫外探测器紫外光响应特性的影响。随着生长温度的降低,Ga_2O_3薄膜从结晶态向非晶态变化,紫外吸收边向长波方向移动。同时随着生长温度的降低,Ga_2O_3紫外探测器暗电流从5.6×10~-77 A降低到3.2×10~-1111 A,器件的信噪比从230上升到14000。其中,对于450℃生长的非晶态Ga_2O_3薄膜上制备的紫外探测器,由于器件在紫外光照射下光生载流子的多级隧穿引入了高增益,该器件在25V偏压下对240 nm紫外光响应度高达318 A/W。(2)利用PLD方法在c面蓝宝石衬底上制备Ga_2O_3薄膜,通过改变生长氧压研究混合取向Ga_2O_3薄膜的生长及Ga_2O_3紫外探测器紫外光响应特性。随着生长氧压从0.5 Pa增大到2 Pa,反应原子迁移能降低,β-Ga_2O_3薄膜中出现了较多的(400)β-Ga_2O_3,当氧压超过2 Pa,β-Ga_2O_3薄膜呈多取向生长。随着生长氧压增大,β-Ga_2O_3薄膜禁带宽度增大,紫外吸收边蓝移。同时氧压升高(~_2~_01)β-Ga_2O_3薄膜出现其他取向β-Ga_2O_3时,Ga_2O_3紫外探测器在25 V偏压下响应度从17.7 A/W降低到0.03 A/W,器件的暗电流从3.63μA降低到0.9 nA。其中,对于2 Pa氧压生长的Ga_2O_3薄膜上制备的紫外探测器,由于β-Ga_2O_3薄膜中同时存在(400)β-Ga_2O_3和(~_2~_01)β-Ga_2O_3,Ga_2O_3紫外探测的信号噪声比高达2.3×10~3,同时器件响应和恢复时间最快,τ_r=0.29μs、τ_(d1)=0.07 ms和τ_(d2)=0.21 ms。(3)利用PLD方法在a面蓝宝石衬底上制备Ga_2O_3薄膜,研究改变生长氧压对Ga_2O_3薄膜晶体结构及Ga_2O_3紫外探测器紫外光响应特性的影响。在氧压较高时(>2 Pa),制备的Ga_2O_3薄膜呈现单一β相结构;而在较低的氧压下制备的Ga_2O_3薄膜中除了β相还出现了α相结构,并随着生长氧压降低,Ga_2O_3薄膜中α-Ga_2O_3逐渐增多。对于利用混合结构的Ga_2O_3薄膜制备的紫外探测器,由于β-Ga_2O_3薄膜中引入适量的α-Ga_2O_3,紫外光响应度明显高于单相β-Ga_2O_3器件,在1 Pa氧压下制备的Ga_2O_3紫外探测器,由于β-Ga_2O_3薄膜中引入适量的α-Ga_2O_3,在25 V偏压下对260 nm紫外光响应度高达12 A/W。(本文来源于《深圳大学》期刊2018-06-30）
李凯[6]（2018）在《高信噪比MgZnO紫外光探测器的制备及其紫外光响应特性研究》一文中研究指出紫外光探测器在军事和民用方面有非常广阔的应用前景。目前对于紫外光探测器的研究主要集中在金刚石、SiC、GaN、Ga_2O_3等宽带隙半导体材料。相对于这些材料,ZnO及其合金化合物MgZnO具有匹配的单晶衬底(六方结构单晶ZnO衬底、立方结构单晶MgO衬底)、带隙在3.37eV(ZnO)~7.8eV(MgO)之间可调、制备和加工工艺都比较简单、原料丰富、环境友好等优势。本论文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,通过改变MgZnO靶材中Mg的含量和MgZnO薄膜的生长条件,制备了六方MgZnO/立方MgZnO不同比例的MgZnO薄膜,研究了MgZnO薄膜中六方MgZnO/立方MgZnO比例的变化对MgZnO紫外光探测器光响应特性的影响;论文中还尝试在MgZnO紫外光探测器中引入Ag纳米颗粒来改善MgZnO紫外光探测器的光响应特性。本论文主要的研究内容和结果如下:1.分别在石英和MgO衬底上,采用不同Mg含量的MgZnO靶材生长了不同Mg含量的MgZnO薄膜,制备了不同Mg含量的MgZnO紫外光探测器。随着MgZnO靶材中Mg含量提高,石英和MgO衬底上生长的MgZnO薄膜中Mg含量提高。随着MgZnO薄膜中Mg含量提高,石英衬底上生长的MgZnO的晶体结构由六方结构变成六方结构和立方结构共存的混合结构,MgO衬底上生长的MgZnO薄膜的晶体结构由混合结构转变为立方结构。随着MgZnO薄膜中Mg含量提高,石英和MgO衬底上MgZnO紫外光探测器的响应度都逐渐降低,响应峰所在波长都出现了蓝移。25V偏压下,在石英衬底上Mg_(0.4)Zn_(0.6)O薄膜上制备紫外光探测器,其I_(300nm)/I_(dark)达到了100;MgO衬底上Mg_(0.21)Zn_(0.79)O薄膜上制备紫外光探测器,其在240nm日盲紫外光处的响应度为6.81A/W,量子效率为3519%;MgO/石英衬底Mg_(0.20)Zn_(0.80)O薄膜上制备紫外光探测器,其在240nm日盲紫外光处的响应度高达11.46A/W,量子效率高达5921%。2.在石英衬底上,采用Mg_(0.40)Zn_(0.60)O靶材,通过调节生长MgZnO薄膜的衬底温度和氧气压强制备得到了立方结构/六方结构不同比例的MgZnO薄膜;当MgZnO薄膜的衬底温度和氧气压强都较低时,石英衬底上生长的MgZnO薄膜呈现立方结构;当衬底温度和氧气压强都比较高时,石英衬底上生长的MgZnO薄膜为混合结构;当生长温度和氧气压强都比较高时,石英衬底上制备得到的混合结构MgZnO紫外探测器对紫外光有两个响应峰,25V偏压下,器件在300nm响应峰处的光暗电流比较大,都达到了100以上。3.通过真空热蒸镀和真空退火的方法在六方结构MgZnO薄膜的表面修饰一层金属Ag纳米颗粒,制备得到了Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器。经过金属Ag纳米颗粒修饰之后,MgZnO紫外光探测器的光响应度有所提高。在5V的偏压下,经过Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器在330nm处的峰值响应度是没有经过Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器的2.75倍。经过金属Ag纳米颗粒修饰之后,MgZnO紫外光探测器暗电流降低,光电流升高,光暗电流比增大。在25V偏压下,经过Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器在330nm处的光暗电流比是没有经过Ag纳米颗粒修饰的MgZnO紫外光探测器的11.3倍。(本文来源于《深圳大学》期刊2018-06-30）
赵兴明[7]（2018）在《双层辉光等离子沉积ZnO/石墨烯复合薄膜紫外光响应行为的研究》一文中研究指出半导体薄膜可以广泛应用于光电领域,高c轴取向纳米柱状氧化锌(ZnO)可以减少光电子传输路径,降低电子-空穴对复合几率,大大增强ZnO半导体光电响应,是紫外传感、太阳能电池等领域的研究热点。然而,单一 ZnO薄膜由于较大的光生电子-空穴复合几率和低的界面电子转移效率大大的限制了其在光电领域的应用,而石墨烯作为一种零带隙半导体材料可以快速地转移半导体光生电子,避免电子-空穴对的复合,有助于半导体光电性能的提高。因此,石墨烯与半导体薄膜的复合被认为是解决上述问题的有效途径之一。针对目前高质量纳米柱状ZnO薄膜和石墨烯薄膜在制备方面存在的高成本、重复率低及不适合大面积制备等方面的问题,本文首次利用双层辉光等离子沉积技术制备纳米柱状ZnO薄膜、石墨烯薄膜及ZnO/石墨烯复合薄膜,对其制备工艺进行了优化设计,并利用拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及原子力显微镜(AFM)分析所得薄膜的成分及显微组织结构,利用接触角、UV-Visable光谱及光电化学测试对比分析了不同薄膜的表面性能及紫外光响应行为,主要内容如下:(1)采用双层辉光等离子沉积技术进行纳米柱状ZnO薄膜制备。通过调整气压、氩氧比及时间进行ZnO薄膜的工艺优化。随后对最佳工艺参数的ZnO薄膜进行结构及紫外光响应性能研究。所制得的ZnO薄膜具有均匀的纳米柱状结构,c轴择优取向良好,且该纳米柱状结构ZnO可以快速产生并传输光生电子。(2)以石墨烯纸为靶材,通过双层辉光等离子沉积技术在石英表面进行大面积石墨烯薄膜的制备,对得到的石墨烯薄膜进行结构性能表征,并对薄膜紫外激发下的接触角、表面结构及摩擦性能响应行为予以研究。发现所制得的石墨烯薄膜以纳米片层结构交迭存在于基体表面,紫外激发会导致石墨烯薄膜形貌和结构变化引发薄膜表面疏水性增强,摩擦系数降低。(3)结合优化后的纳米柱状氧化锌薄膜和石墨烯薄膜的制备工艺,在石英表面制备ZnO/石墨烯复合薄膜,对复合薄膜的进行形貌及结构分析,并通过与ZnO薄膜的紫外光响应行为进行对比研究,发现复合薄膜为层状结构且与基体结合良好,薄膜中石墨烯多以褶皱形式存在。石墨烯的引入为复合薄膜提供了一个光生电子快速转移的通道,抑制了光生电子-空穴对的复合,提高了复合薄膜紫外光电响应性能。(4)在常用柔性电极的基材镍(Ni)箔表面制备出石墨烯/ZnO复合薄膜,对其紫外光电流测试进行分析,石墨烯的引入使得复合薄膜电极光电流加强,有望应用于光电探测领域。(本文来源于《南京信息工程大学》期刊2018-06-01）
陈翠翠[8]（2018）在《紫外光刺激响应的四面体阴离子笼子的自组装体性质研究》一文中研究指出近年来,超分子化学已经受到了普遍的关注。分子间通过分子识别、分子自组装形成结构各异、形态可控的组装体,并具有特异性能,广泛的应用于生命科学生物体中。本文主要详述一系列以C_2对称结构侨联二脲阴离子受体的设计和合成,研究其与阴离子的相互作用,尤其是四面体阴离子PO_4~(3-)、SO_4~(2-)等,期望构筑一系列基于阴离子为配位中心的超分子体系,实现对客体分子的识别作用。其主要研究内容如下:一、在之前课题组的实验基础上以及参考已发表的文献,设计并合成了带有偶氮基团的C_2对称的二脲配体L,利用桥联二脲基团与磷酸根的强的结合能力,自组装形成拥有较大空腔的四面体笼子A_4L_6,借助偶氮集团对紫外光的敏感性,可通过紫外光和可见光的照射来调控组装体的形态。并且借助单晶结构、NMR、UV光谱和HR-MS等表征手段证明其固体性质和溶液性质,均表示出配体L都可与磷酸根阴离子配位形成四面体笼子,并利用紫外灯的照射控制组装结构的转化。二、间硝基苯桥联叁脲配体(L~1)和末端为萘基桥联叁脲配体(L~2)已并合成出来,并于(TBA)_2SO_4、(TBA)H_2PO_4和(TBA)_2(p-[COO-C_6H_4-COO])阴离子作用,可形成叁个1维的阴离子配位聚合物(ACPs),{(TBA)_2[(HPO_4)L~1]×H_2O×2DMSO}_n(1),{(TBA)_2[(SO_4)L~1]×H_2O}_n(2)和{(TBA)_6[(p-[COO-C_6H_4-COO])_3L_2~1]×DMSO}_n(4).复合物1和2呈现一个无限链的聚会威武,并扭转成U型结构,复合物3呈现出S形结构而不是U型S,形成了一个二聚体的双链结构。L~1(或L~2)与Br~-,AcO~-,BzO~-阴离子作用,可形成1:3的叁核结构(TBA)_3[A_3L](配体:阴离子)。(TBA)_3[Br_3L~1]×THF(5)也可以形成U型结构,脲基团上的H均指向外部。AcO~-和BzO~-阴离子也能形成离散性叁核聚合物。对于L~1和L~2的溶液性质研究是通过~1H NMR、UV-vis、和荧光滴定来计算基于阴离子作用的结合常数。本文设计的四面体笼子用VOIDOO程序计算本文设计的四面体笼子其内部的空腔大小,结果为400-500?,同时可封装冠醚钾客体分子,因此可进行一些大的客体分子的封装,位于棱上的四面体因具有“窗口”,因此可以作为客体进出的通道,用来应用于催化反应。(本文来源于《西北大学》期刊2018-05-01）
张翔[9]（2017）在《真空紫外光谱响应测试技术及应用研究》一文中研究指出随着等离子体物理及外空间技术的发展,真空紫外探测技术得到越来越广泛的应用,对于真空紫外光电器件的研究需求变得越来越迫切,而光谱响应测试技术对于光电器件的研究有着重要意义。目前,国内对于真空紫外波段光谱响应测试技术的研究较少,所以本文围绕紫外～真空紫外波段的光谱响应测试技术开展研究。首先,本文阐述了光谱响应测试技术的基本方法,介绍了光谱响应测试技术的发展历史和像增强器的结构原理。然后,采用氘灯、真空紫外单色仪等设备,设计了测试系统的光学部分,实现了 115～400nm范围和10-6W量级的光谱输出。之后,研制了包含直流、交流和光功率标定叁种信号处理模块的多通道电流计,实现了 10-12A量级的光电流测试。采用系统光学部分、多通道电流计、锁相放大器等设备,设计了紫外～真空紫外光谱响应测试系统的整体结构,实现了 115～400nm光谱范围的光谱响应测试。然后,根据光谱响应测试方案,在VS2012软件开发环境下,结合Access数据库,对测试系统的测试软件进行了编制,实现了各仪器的自动化控制和光谱响应曲线的自动绘制。此后,通过像增强器测量了 K2Te、Cs2Te、Rb2Te、Cs-K-Te和Rb-K-Te五种透射式光电阴极材料在115～400nm波段的光谱响应,同时对MgF2、石英、蓝宝石叁种窗口的透射率进行了测试。通过对实验结果的分析验证了本文研制的紫外～真空紫外光谱响应测试系统的测试性能。并且,通过对直流、交流两种模式的测试结果的对比,验证了交流测试模式相比于直流测试模式对于微弱信号有更强的测试能力,可以消除噪声信号和背景信号的影响。根据测试结果发现了碱金属原子序数与单碱碲化物光电阴极的逸出功存在反比关系,锑化物光电阴极的“多碱”效应同样适用于碲化物光电阴极等规律。(本文来源于《南京理工大学》期刊2017-12-01）
高泽文,黄超,魏杰[10]（2017）在《紫外光响应光子晶体的构建及其图案化》一文中研究指出由于光子晶体(PC)具有光子带隙和结构色这些特性,在众多领域有着广泛的应用,近几年备受人关注。具有智能响应性能的光子晶体材料利用对外界刺激的感知,可以实现对其化学性质的调控。本研究设并制备了具有核壳结构的聚合物微球(PS@PMMA-SMC),通过254 nm紫外光辐照,壳层的氨基甲酸酯基团发生光分解,与荧光胺作用后发出荧光。研究中使用喷涂法将微球组装在纸基上,可构建光子晶体图案。得光子晶体图案不仅具有结构色,而且在紫外光照和荧光胺处理后发出荧光,是一类双模式的光子晶体,为子晶体在色彩显示和防伪等领域的应用提出了新思路。研究中利用热重分析检测微球组分的变化,利用透射子显微镜观测微球的核壳结构,利用扫描电镜观测光子晶体的微观结构,利用光纤光谱仪测定光子晶体的反光谱。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题H：光电功能高分子》期刊2017-10-10）
紫外光响应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进行结构表征,通过自制的光电性能平台进行光电导性能的测试。研究结果表明,Ni的掺杂改变了ZnO晶格常数的大小。掺杂后的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度很高,其中醋酸镍浓度为0.05 mol/L的ZnO纳米棒阵列膜的光响应度最高,可以达到3 112.1,是纯ZnO纳米棒阵列膜的光响应度的38倍。Ni的掺杂使得ZnO纳米棒的耗尽层宽度拓宽,降低了暗电导,从而使得光响应度增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
紫外光响应论文参考文献
[1].魏成泰.NiO/ZnO纳米棒阵列异质结器件自驱动紫外光响应特性研究[D].天津理工大学.2019
[2].姜晓彤,鲁林芝,谢长生.Ni掺杂ZnO纳米棒阵列膜的增强紫外光电响应[J].功能材料.2019
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