导读:本文包含了基准源电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:基准,温度,系数,抑制,电源,电压,环路。
基准源电路论文文献综述
李娟,张海波,李健,屈柯柯,常红[1]（2019）在《一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路》一文中研究指出提出了一种带有温漂修调电路的二阶曲率补偿带隙基准电压源。采用VBE线性化补偿原理,通过在特定支路上产生二阶正温度系数电流来补偿VBE的二阶负温度系数项,从而大大提高了基准电压的温漂特性。另外,设计了电阻修调电路,简化了修调方式,降低了设计难度和设计成本,并且保证了基准电压的高精度。电路基于TSMC 0.18μm BCD工艺设计,使用Cadence Spectre对电路进行仿真验证,仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,基准输出电压约为1.22 V,在-55～125℃温度范围内,温度系数为3.02×10~(-6)/℃,低频时电源电压抑制比为-51.21 dB。(本文来源于《电子与封装》期刊2019年11期）
程亮,赵子龙,侯文彦[2]（2019）在《一种无电阻结构带隙基准源电路》一文中研究指出使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV_(GS)来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃～145℃温度范围内,温漂系数是15×10~(-6)/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。(本文来源于《山西电子技术》期刊2019年05期）
庄楚楠,许佳雄[3]（2018）在《温度系数连续可调的带隙基准源电路设计》一文中研究指出为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。(本文来源于《液晶与显示》期刊2018年05期）
陈剑,马腾飞[4]（2018）在《带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路设计》一文中研究指出本文采用HLMC(华力)55LP工艺,设计了一个输入范围1.6V-3.3V,输出范围为1.2V±2%的BGR(带隙基准源)。本文首先介绍BGR的工作原理,同时着重介绍本设计中所使用的新的设计方法及其优势。本次设计经过Cadence仿真工具进行仿真验证,得到高的输出精度。(本文来源于《中国集成电路》期刊2018年05期）
戴靖遥,赵宏亮[5]（2017）在《一种具有低线性调整率的带隙基准源电路设计》一文中研究指出在传统带隙基准源电路的基础上,提出了一种具有低线性调整率的带隙基准源电路,使用预调制电路结构代替传统启动电路,并在核心电路中使用高增益两级放大器结构,以实现在较大范围电源电压下正常工作。同时,通过环路负反馈结构结合密勒补偿技术,进一步提高了电路的稳定性。电路采用标准0.5μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,在-55~125℃温度范围内,温漂系数为28.76ppm/℃,电源抑制比为-101.2 d B,在3~10 V电源电压范围内,输出电压的变化仅为58μV,线性调整率达到8.3μV/V,所设计的具有低线性调整率的带隙基准源电路适用于诸如同步降压型稳压器等对电源电压工作范围有较高要求的电路系统。(本文来源于《微处理机》期刊2017年06期）
田伟娜[6]（2017）在《宽温度全MOS电压基准源电路设计》一文中研究指出全MOS电压基准源因其兼容CMOS工艺、可在低压情况下高效高性能地工作等优点,被广泛应用于数模混合电路。然而,在系统应用中电路较宽的工作温度范围对全MOS电压基准源的设计提出了新的挑战。因此,如何确保基准电路在宽温度条件下高效可靠工作的同时,实现低温度系数、高电源抑制比、低功耗等成为全MOS电压基准电路研究的重点。本论文首先对常规温度下的全MOS电压基准源的设计、宽温度范围工作环境带来的挑战和应对方法进行了详细的调研和深入的理论分析,指出全MOS电压基准源可在宽温度条件下工作的关键在于相关参数之间的温度补偿,并最终设计出一种宽温度全MOS电压基准源电路。通过热电压与阈值电压进行一阶温度补偿,采用温度检测电路检测温度范围,并在极限工作温度范围内对电路进行二阶温度补偿降低温度系数。针对全MOS电压基准源功耗与电源抑制比之间的矛盾,通过反馈增加电源纹波抵消通路,提高宽温度全MOS电压基准源的电源抑制比。最终,本论文兼顾功耗、版图面积、电源电压等指标之间的折中,设计出可工作在-25℃～125℃范围内的低温度系数、高电源抑制比的宽温度全MOS电压基准源。本论文设计的宽温度全MOS电压基准源在Chart 0.18μm CMOS工艺下完成了电路和版图设计。仿真结果表明:本论文设计的宽温度全MOS电压基准源电路可在-25℃～125℃范围内工作,电源电压为1.8V时,输出电压为992.62mV,温度系数为18.05ppm/℃,总电源电流为4.429μA,最低工作电源电压为1.03V,电源抑制比可高达-55.9dB@1kHz,达到了设计指标的要求。(本文来源于《东南大学》期刊2017-06-07）
郭玮,冯全源,庄圣贤,高峡[7]（2016）在《一种新颖的高电源抑制带隙基准源电路设计》一文中研究指出基于0.18μm BCD工艺,设计了一种新颖的低温漂高电源抑制比(PSRR)的带隙基准源电路。基准核心电路采用自偏置结构,简化了电路的设计。在不显着增加电路功耗与面积的前提下,通过引入预调节电路极大地提高了电路的PSRR。基准源输出采用负反馈结构,进一步提升了PSRR。Hspice软件仿真结果表明:在-40~150℃温度范围变化时,基准输出电压变化为283μV,温度系数仅为1.18×10-6(ppm)/℃;基准的稳定输出电压为1.257 V;电源电压在3~6 V范围变化时,线性调整率为0.082 m V/V;5 V电源电压下,低频时电源电压抑制比为130 d B,在100 k Hz时也能高达65 d B。电路整体功耗为0.065 m W,版图面积为63μm×72μm。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2016年28期）
范建功,冯全源[8]（2016）在《一种改进型低温度系数带隙基准源电路》一文中研究指出在传统带隙基准源的基础上,设计了一种改进型带隙基准源电路,能很好地抑制叁极管集电极电流变化对输出的影响,获得很低的温度系数和很高的电源电压抑制比。基于BCD 0.18μm工艺库,仿真结果表明,当电源电压VIN为4.5V,温度范围为-40℃~140℃时,基准源电路的输出电压范围为1.2567~1.2581V,温度系数为6.3×10~(-6)/℃;电源电压在2.5~5V范围内变化时,基准源电路输出的最大变化仅为1.66×10~(-4)V,线性调整率为0.006 64%;低频电源电压抑制比高达97dB。过温保护电路(OTP)仿真表明,该基准源电路有良好的温度特性,温度不高于140℃都可正常工作。(本文来源于《微电子学》期刊2016年04期）
赵嘉斌[9]（2016）在《带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路》一文中研究指出本文采用HLMC 55LP工艺,设计了一个输入范围1.6V-3.3V,输出范围为1.2V±2%的BGR(带隙基准源)。本文首先介绍BGR的工作原理,同时着重介绍本设计中所使用的新的设计方法及其优势。本次设计经过前后仿验证,得到高的输出精度。(本文来源于《科技视界》期刊2016年16期）
张珂铭[10]（2015）在《一种低功耗多输出带隙电压基准源电路的设计》一文中研究指出文章提出了一种基于带隙原理的多路输出的基准电压电路设计。该电路采用标准CMOS工艺,工作电压为1.8~3.3 V,输出基准电压为1.5 V、1.1 V、0.9 V,温度系数为75.86 ppm/℃。由于采用了MOS管亚阈值原理,功耗低至4.29μW。在室温27℃和频率为10 Mhz处的电源抑制比为22.5 d B。(本文来源于《企业技术开发》期刊2015年27期）
基准源电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV_(GS)来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃～145℃温度范围内,温漂系数是15×10~(-6)/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
基准源电路论文参考文献
[1].李娟,张海波,李健,屈柯柯,常红.一种带有温漂修调的二阶曲率补偿基准源电路[J].电子与封装.2019
[2].程亮,赵子龙,侯文彦.一种无电阻结构带隙基准源电路[J].山西电子技术.2019
[3].庄楚楠,许佳雄.温度系数连续可调的带隙基准源电路设计[J].液晶与显示.2018
[4].陈剑,马腾飞.带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路设计[J].中国集成电路.2018
[5].戴靖遥,赵宏亮.一种具有低线性调整率的带隙基准源电路设计[J].微处理机.2017
[6].田伟娜.宽温度全MOS电压基准源电路设计[D].东南大学.2017
[7].郭玮,冯全源,庄圣贤,高峡.一种新颖的高电源抑制带隙基准源电路设计[J].科学技术与工程.2016
[8].范建功,冯全源.一种改进型低温度系数带隙基准源电路[J].微电子学.2016
[9].赵嘉斌.带有自偏置功能的高性能带隙基准源电路[J].科技视界.2016
[10].张珂铭.一种低功耗多输出带隙电压基准源电路的设计[J].企业技术开发.2015
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