非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建

非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建

论文摘要

通过自助溶剂法制备YBi单晶,并研究其磁输运行为及电子结构.零磁场下, YBi具有金属导电特性.磁场作用下,低温电阻将会极大增强,呈现类似拓扑绝缘体的电阻平台.科勒关系表明YBi中具有多种载流子.第一性原理计算表明,该材料具有一个电子带和两个空穴带,且电子和空穴的数目大致相当.此外,我们还发现YBi具有非平庸的电子能带结构.实验表征及理论计算表明,YBi的极大磁电阻来源于电子-空穴补偿效应及拓扑能带结构.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 唐昉,吴子鸣,林如龙,房勇,韩志达,钱斌,江学范

关键词: 磁电阻,电子空穴补偿,第一性原理计算

来源: 常熟理工学院学报 2019年05期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学,工程科技Ⅰ辑

专业: 物理学,金属学及金属工艺

单位: 常熟理工学院物理与电子工程学院,常熟理工学院江苏省新型功能材料重点建设实验室

分类号: O482;TG146.45

DOI: 10.16101/j.cnki.cn32-1749/z.2019.05.004

页码: 10-11+27

总页数: 3

文件大小: 1234K

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非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建
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