导读:本文包含了钛瓷界面论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:钛,陶瓷,残余应力,有限元
钛瓷界面论文文献综述
朱松,段珍珍,刘杰,邱小明,孙大千[1]（2012）在《钛/瓷连接界面残余应力有限元分析》一文中研究指出采用有限元法分析了钛/瓷、钛/ZrO2/瓷连接冷却过程中界面残余应力形成的大小和分布特征。结果表明,钛/瓷试样在结合界面处存在较大的残余应力。在平行于界面的方向上,陶瓷表面受拉应力的作用,易导致表面裂纹的产生。钛/瓷界面的边缘处存在较大的应力集中,尤其是结合界面位于Z向棱边的顶角处,应力集中较为明显,易导致瓷崩和瓷裂。ZrO2中间层可抑制钛表面过度氧化,缓和钛/瓷界面应力集中,提高钛/瓷结合强度,降低陶瓷层裂纹倾向。(本文来源于《材料工程》期刊2012年02期）
段珍珍,孙大千,朱松,殷世强,邱小明[2]（2009）在《工艺参数对钛/瓷界面组织及性能的影响》一文中研究指出应用扫描电镜、能谱、X射线衍射及电子拉伸试验机对钛/瓷界面的微观组织和力学性能进行了研究。结果表明,钛/瓷界面由钛表面氧化膜层和瓷与氧化膜层作用形成的反应层组成,烤瓷工艺参数直接影响钛/瓷界面结构、结合强度和断裂位置。烤瓷温度对钛/瓷界面结合强度影响较大,烤瓷温度为800℃、烤瓷时间为1 min时,钛/瓷界面叁点弯曲结合强度为24.7MPa。随着烤瓷温度的提高和烤瓷时间的延长,钛表面氧化膜层和反应层变宽,最终影响钛/瓷界面的结合强度。(本文来源于《吉林大学学报(工学版)》期刊2009年01期）
刘洋,巢永烈,陈小冬,李德鹏,付敏杰[3]（2005）在《不同表面处理条件下钛瓷结合界面的研究》一文中研究指出目的研究不同表面处理条件下钛瓷界面的形态学特征及钛、硅氧等元素的扩散情况。方法在纯钛表面用8种不同表面处理方法烧结Ti-Bond瓷粉,其中预氧化按不同温度分为:300℃、400℃、500℃、600℃4组,自然氧化按不同时间分为:5min、15min、2h、24h4组,采用扫描电子显微镜及电子探针检测界面形貌及元素扩散情况。结果500℃预氧化组、600℃预氧化组扫描电镜图片观察到钛瓷结合处钛基体表面的裂缝及剥离面,电子探针检测发现界面处各元素呈梯度分布,硅、氧元素分布的梯度与钛元素相反。结论裂缝及剥离面的出现说明了钛瓷分离的部位及钛氧层的脆性。不同表面处理各组元素扩散宽度不同,但难于准确测量比较。(本文来源于《四川大学学报(医学版)》期刊2005年04期）
刘洋[4]（2003）在《钛瓷结合界面研究及Ti-Bond钛烤瓷系统的临床应用研究》一文中研究指出本研究通过钛-瓷结合的剪切强度测试和界面区扫描电镜、电子探针等检测方法，探讨了钛表面预处理对钛-瓷结合强度的影响机理，说明了钛表面预处理在钛瓷修复工艺方面的地位与作用。同时利用电子探针定点定量测量方法测量了钛瓷反应层的较适宜厚度并观察Ti-Bond钛瓷临床应用效果， 第一部分 钛瓷结合界面研究 (一)不同表面处理对钛瓷结合力的影响 本剪切实验中其它各组(自然氧化5分钟、15分钟、2小时、24小时，300℃预氧化、400℃预氧化组)结合强度显着高于500℃预氧化和600℃预氧化组，烤瓷试样的折裂面肉眼观察均出现在氧化膜和钛基体间，钛棒表面未见瓷颗粒的残留。扫描电镜观察各组均有少量的瓷颗粒附着，500℃预氧化和600℃预氧化组瓷颗粒明显少于其它各组。这说明500℃以上预氧化不利于钛瓷结合。其原因可能是：虽然在烤瓷过程中钛原有氧化膜会有继续氧化，但这种继续氧化对各组来说是相同的。500℃以上预氧化造成氧在钛中扩散(高于427℃)加之在烤瓷过程中的继续氧化，形成相对厚而脆的α-Ti(O)层是造成其结合力过低的主要原因。 实验结果表明，自然氧化5分钟、15分钟、2小时、24小时钛瓷结合力并无明显差别说明：在自然氧化条件下，技工室工作有比较充裕的操作时间。但考虑到放置时间过长污染等不确定因素增加，所以作者推荐清洗 四川大学硕士学位论文吹干后放置时间在2小时以内。 (二)不同表面处理条件下的界面形貌及元素扩散观察 本实验500℃预氧化组、600℃预氧化组扫描电镜图片观察到钦瓷结合处钦基体表面的裂缝及剥离面，说明了钦瓷分离的部位及钦氧层的脆性。裂缝及剥离面的出现作者认为与采用切割这一试样制备方法有关。电子探针检测发现该中间玻璃层(氧固溶层和富硅层)中的钦元素呈梯度状分布，紧靠基体一侧的钦元素多，靠涂层一侧的少，直到完全没有。硅元素分布的梯度与钦元素相反。 (叁)钦瓷反应层厚度及元素构成分析 通过本实验界面区20个点的定量分析，我们观察到钦元素摩尔百分比由87.92%到0.65%的6 pm反应层。反应层由两层构成，一层钦、氧元素为主的钦氧固溶层，厚约3 pm;另一层为钦氧硅元素为主的富硅层，厚亦约3 pm。分界处为点16，其主要元素组成为钦42.31%、氧5234%、硅4.42%、锡0.93%。分界处钦、氧摩尔百分比约为1:1，氧化层可能以TIO为主。钦氧固溶层的厚度、富硅层的厚度及钦一硅一氧化合物在其中的构相对钦瓷结合有重要作用。3 pm的厚度可作为较适宜钦氧固溶层及富硅层厚度的参考标准。 第二部分Ti一Bond钦瓷临床应用研究 根据CDA标准对Ti一Bond钦瓷系统修复体的评估，患者在粘固初期对叁项指标的评价主要是优。表面/颜色在第二次随访观察时大多数患者还是满意的(92%)，但优的数量在下降，可接受的数量在上升。这可能是由于低熔瓷粉在性能上比传统的牙科瓷粉要差一些，尤其是在口腔这一生物环境状态下的化学稳定性还有不足。 边缘完整性方面1例边缘龋坏评为不可接受，有3例边缘虽有所不一致但无龋坏，其余均为优。崩瓷率为8%，失败率为10.4%。 2 四川大学硕士学位论文 出血指数:观察阶段总体牙酿状态较稳定，修复体与对照牙无明显不同。 边缘指数:近远中边缘指数无明显变化，但颊舌侧有一定的牙馥退缩。 通过2年多的随访观察Ti一Bond钦烤瓷系统修复体能够被患者所接受，有着较高的成功率。其主要问题是崩瓷率略高一些(8%).可以认为，五·Bond钦烤瓷系统是固定修复的一种合适的选择.(本文来源于《四川大学》期刊2003-04-28）
钛瓷界面论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
应用扫描电镜、能谱、X射线衍射及电子拉伸试验机对钛/瓷界面的微观组织和力学性能进行了研究。结果表明,钛/瓷界面由钛表面氧化膜层和瓷与氧化膜层作用形成的反应层组成,烤瓷工艺参数直接影响钛/瓷界面结构、结合强度和断裂位置。烤瓷温度对钛/瓷界面结合强度影响较大,烤瓷温度为800℃、烤瓷时间为1 min时,钛/瓷界面叁点弯曲结合强度为24.7MPa。随着烤瓷温度的提高和烤瓷时间的延长,钛表面氧化膜层和反应层变宽,最终影响钛/瓷界面的结合强度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛瓷界面论文参考文献
[1].朱松,段珍珍,刘杰,邱小明,孙大千.钛/瓷连接界面残余应力有限元分析[J].材料工程.2012
[2].段珍珍,孙大千,朱松,殷世强,邱小明.工艺参数对钛/瓷界面组织及性能的影响[J].吉林大学学报(工学版).2009
[3].刘洋,巢永烈,陈小冬,李德鹏,付敏杰.不同表面处理条件下钛瓷结合界面的研究[J].四川大学学报(医学版).2005
[4].刘洋.钛瓷结合界面研究及Ti-Bond钛烤瓷系统的临床应用研究[D].四川大学.2003