导读:本文包含了毫米波单片集成电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:毫米波,集成电路,晶体管,器件,微波,无源,混频器。
毫米波单片集成电路论文文献综述
彭洋洋,吴文光,王肖莹,隋文泉[1]（2009）在《单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态》一文中研究指出论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势。(本文来源于《微电子学》期刊2009年05期）
刘晨晖,张穆义,高学邦[2]（2006）在《毫米波PHEMT功率单片集成电路研究》一文中研究指出介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34GHz,Po>100mW。(本文来源于《半导体技术》期刊2006年03期）
盛柏桢[3]（2004）在《微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)技术》一文中研究指出本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。(本文来源于《集成电路通讯》期刊2004年01期）
程文芳,盛柏桢[4]（2002）在《微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(2)》一文中研究指出主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2002年09期）
程文芳,盛柏桢[5]（2002）在《微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(1)》一文中研究指出主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2002年08期）
[6]（2001）在《单片微波/毫米波集成电路应用前景巨大》一文中研究指出单片微波/毫米波集成电路(MMIC)技术是世界各国大力发展的无线通信系统技术,符合系统多功能混合集成的趋势,减小了系统的体积和重量,降低了成本,提高了系统的可靠性,在卫星通信、个人/移动通信等领域有很大的应用价值。 MMIC工艺选择范围因系统应用领域而定,种类包括硅器件(双极型、双极/MOS混合型),砷化镓MESFET,异质结双极型晶体管(HBT),高电子迁移率晶体管(HEMT)等。以个人/移动通信为例,日本大力发展的个人手持电话(PHS)系统频率为1.9 GHz,采用π/4相移的四相移相键控数字调制、时分多址、时分双工的方案。波特率384 K bps,信道间距为300 kHz,通话时间大于8小时,待机时间大于1周,依据低成本原则,尽量选用硅器件。射频部分功放,发射/接收开关和本机振荡器采用砷化镓MESFET工艺,其他部分采用硅工艺,基频部分则全部采作硅工艺。欧洲采用频率较低的0.7～0.5μm砷化镓MESFET工艺(本文来源于《国际学术动态》期刊2001年05期）
陈效建[7]（2001）在《迅速发展的微波与毫米波单片集成电路(MMIC)技术(摘要)》一文中研究指出引言——MMIC发展简史微波及毫米波单片集成电路(MMIC及MIMIC)的技术概念的发展本质上是Si基集成电路的自然沿用,但在GaAs的技术发展历程中却走过了相当长的路程。1968年问世的TI公司研制的第一个GaAs MMIC混频、振荡与倍频器实际上还只是在一块GaAs基片上印制微波电路结构并贴置二极管而成的微波电路,与传统的微波混合集成电路在技术上无本质不(本文来源于《2001年全国微波毫米波会议论文集》期刊2001-10-01）
[8]（1999）在《100GHz的单片毫米波集成电路》一文中研究指出当前３０～３００ＧＨｚ的毫米波应用正在增加，特别是９４ＧＨｚ富有吸引力的系统特性，如较小的波长、较高的隔离和较小的天线尺寸促进了对该频率下器件和系统的研究开发。有源和无源毫米波系统可用于目标探测、地形成象、通信、数据传输、水平传感器及应用于红外系统不...(本文来源于《半导体情报》期刊1999年02期）
薛勇健,孙先花[9]（1996）在《基于精确模型的毫米波单片集成电路设计》一文中研究指出介绍了毫米波单片集成电路设计中的两个关键技术，有源器件（如ＰＨＥＭＴ）等效电路模型的建立和无源元件（如微带Ｔ形结、十字结、转角等）精确电磁场模型的建立，同时介绍了毫米波单片放大器的ＣＡＤ设计过程。(本文来源于《半导体情报》期刊1996年02期）
张斌[10]（1994）在《1993年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介》一文中研究指出１９９３年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介ＡＧｌａｎｃｅａｔｔｈｅ１９９３ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｙｍｐｏｓｉｕｍａｎｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅ＆ＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＩ...(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1994年01期）
毫米波单片集成电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mm PHEMT功率器件;利用窄脉冲高速Ⅰ-Ⅴ CAT系统测量系统,建立了8mm功率PHEMT非线性模型;应用设计软件来模拟和优化毫米波功率MMIC;通过解决研制过程中各关键工艺技术,使8mm功率PHEMT单片集成电路的投片一次成功,并给出了测得的功率单片集成电路性能为33-34GHz,Po>100mW。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
毫米波单片集成电路论文参考文献
[1].彭洋洋,吴文光,王肖莹,隋文泉.单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态[J].微电子学.2009
[2].刘晨晖,张穆义,高学邦.毫米波PHEMT功率单片集成电路研究[J].半导体技术.2006
[3].盛柏桢.微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)技术[J].集成电路通讯.2004
[4].程文芳,盛柏桢.微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(2)[J].电子元器件应用.2002
[5].程文芳,盛柏桢.微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(1)[J].电子元器件应用.2002
[6]..单片微波/毫米波集成电路应用前景巨大[J].国际学术动态.2001
[7].陈效建.迅速发展的微波与毫米波单片集成电路(MMIC)技术(摘要)[C].2001年全国微波毫米波会议论文集.2001
[8]..100GHz的单片毫米波集成电路[J].半导体情报.1999
[9].薛勇健,孙先花.基于精确模型的毫米波单片集成电路设计[J].半导体情报.1996
[10].张斌.1993年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介[J].固体电子学研究与进展.1994
论文知识图
