一种具有对称结构的单晶硅差压传感器论文和设计-高峰

全文摘要

本实用新型公开了一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,属于敏感元器件技术领域。一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室;所述芯体管路、基座管路、中心腔室、隔离腔室内均设置填充液;所述芯体管路相对于单晶硅芯片成对称分布,所述基座管路、中心腔室、隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布,所述腔室中填充液相等。本实用新型具有如下优点:①腔室中填充液相等,传感器温度漂移小,综合性能好;②管路设计简洁,加工方便,成本低。

主设计要求

1.一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,包括烧结底座(1)、单晶硅芯片(2)、芯体座(3)、芯体管路(4)、基座(5)、基座管路(6)、中心膜片(7)、中心腔室(8)、隔离膜片(9)、隔离腔室(10);所述芯体管路(4)、基座管路(6)、中心腔室(8)、隔离腔室(10)内均设置填充液(11);其特征在于,所述基座管路(6)、中心腔室(8)、隔离腔室(10)相对于中心膜片(7)呈轴对称分布,所述腔室中填充液(11)相等。

设计方案

1.一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,包括烧结底座(1)、单晶硅芯片(2)、芯体座(3)、芯体管路(4)、基座(5)、基座管路(6)、中心膜片(7)、中心腔室(8)、隔离膜片(9)、隔离腔室(10);所述芯体管路(4)、基座管路(6)、中心腔室(8)、隔离腔室(10)内均设置填充液(11);

其特征在于,所述基座管路(6)、中心腔室(8)、隔离腔室(10)相对于中心膜片(7)呈轴对称分布,所述腔室中填充液(11)相等。

2.根据权利要求1所述一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,其特征在于,所述基座(5)中设置有钢珠(12)、顶丝(13),所述钢珠(12)、顶丝(13)用于密封充油孔(14)。

3.根据权利要求1所述一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,其特征在于,所述中心膜片(7)、隔离膜片(9)包括金属膜片。

4.根据权利要求1所述一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,其特征在于,所述填充液(11)包括硅油。

设计说明书

技术领域

本实用新型涉及敏感元器件技术领域,具体为一种具有对称结构的单晶硅差压传感器。

背景技术

现有单晶硅差压传感器,通常包括芯片、传感器正压腔、传感器负压腔、正压腔油路、负压腔油路、中心膜片、壳体接口等,具有如下问题:①内部结构不对称,正负压油路油量不相等,相当于对芯片施加正压\/负压,进而影响传感器的温漂性能;②正负压油路设计复杂,加工成本高。针对上述问题,我公司开发了一种具有对称结构的单晶硅差压传感器。

发明内容

针对现有技术中存在的上述缺点,本实用新型旨在提出一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,以克服现有技术存在的不足。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种具有对称结构的单晶硅差压传感器,包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室;所述芯体管路、基座管路、中心腔室、隔离腔室内均设置填充液;其特征在于,所述基座管路、中心腔室、隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布,所述腔室中填充液相等。

作为优选,所述基座中设置有钢珠、顶丝,所述钢珠、顶丝用于密封充油孔。

作为优选,所述中心膜片、隔离膜片包括金属膜片。

作为优选,所述填充液包括硅油。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:由于传感器的基座结构呈轴对称分布,①腔室中填充液相等,传感器温度漂移小,综合性能好;②管路设计简洁,加工方便,成本低。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种具有对称结构的单晶硅差压传感器示意图。

图中:1-烧结底座、2-单晶硅芯片、3-芯体座、4-芯体管路、5-基座、6-基座管路、7-中心膜片、8-中心腔室、9-隔离膜片、10-隔离腔室、11-填充液、12-钢珠、13-顶丝、14-充油孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

一种对称结构的单晶硅差压传感器,包括烧结底座1、单晶硅芯片2、芯体座3、芯体管路4、基座5、基座管路6、中心膜片7、中心腔室8、隔离膜片9、隔离腔室10;所述芯体管路4、基座管路6、中心腔室8、隔离腔室10内均设置填充液11;

其特征在于,所述基座管路6、中心腔室8、隔离腔室10相对于中心膜片7呈轴对称分布,所述腔室中填充液11相等。

所述基座5中设置有钢珠12、顶丝13,所述钢珠12、顶丝13用于密封充油孔14。

所述中心膜片7、隔离膜片9包括金属膜片。

所述填充液11包括硅油。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

设计图

一种具有对称结构的单晶硅差压传感器论文和设计

相关信息详情

申请码:申请号:CN201921150804.4

申请日:2019-07-22

公开号:公开日:国家:CN

国家/省市:84(南京)

授权编号:CN209296208U

授权时间:20190823

主分类号:G01L 13/02

专利分类号:G01L13/02;G01L19/00;G01L19/02

范畴分类:31J;

申请人:南京沃天科技有限公司

第一申请人:南京沃天科技有限公司

申请人地址:211162 江苏省南京市江宁区滨江开发区闻莺路5号

发明人:高峰;马志强

第一发明人:高峰

当前权利人:南京沃天科技有限公司

代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中

类型名称:外观设计

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