导读:本文包含了分布放大器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:放大器,微波,增益,栅极,特性,传输线,正交。
分布放大器论文文献综述写法
刘畅[1]（2013）在《新型的CMOS分布放大器的设计》一文中研究指出利用0.6微米CMOS技术设计了一种新型的CMOS分布放大器。介绍了分布放大器的原理。利用HP-ADS软件仿真和设计了一个四级CMOS分布放大器。设计中使用了一系列片上螺旋电感。测量了分布放大器的S参数。对实验结果进行了分析和讨论。(本文来源于《黄冈师范学院学报》期刊2013年06期）
郑远,陈堂胜,钱峰,李拂晓,邵凯[2]（2005）在《用于40Gb/s光接收机的0.2μm GaAs PHEMT分布放大器》一文中研究指出利用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于-10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/Hz,功耗为300mW,可有效地应用于40Gb/s光接收机中.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年10期）
孙玲玲,刘军,周智,李训根,赵文明[3]（2002）在《基于正交试验法的微波宽带分布放大器优化设计》一文中研究指出本文给出了一种基于正交试验法的微波宽带分布放大器优化设计的方法。这种方法不必设置初始值 ,可以在整个设计空间同时对多个目标函数寻优 ,具有较高的收敛速度 ,并且有助于改进一些传统的优化方法对初值依赖的局限性。算例显示了该方法是有效的 ,对于微波宽带分布放大器优化设计具有实用价值。(本文来源于《微波学报》期刊2002年02期）
邱正安[4]（1995）在《微波超导分布放大器的计算机辅助设计》一文中研究指出本文研究了微波超导ＶＦＴ（涡旋流管）分布放大器的输入输出特性并给出了模拟设计结果。在分布放大器中，器件的寄生参量作为“有用”元件和集综元件一起构成有源器件的仿真传输线。这样，由于放大器的输入输出阻抗等于传输线的特性阻抗，因此可以增加级数（通常为几十）而又消除了寄生参量的影响，从而获得微波信号的宽频带高增益放大。ＶＦＴ放大器可以模拟为低阻抗电流控制电压源。采用平衡控制和非对称偏置技术，可以减少馈通电客和自场效应的影响，获得陡峭的输出特性。模拟结果表明：在１ＭＨｚ到１００ＧＨｚ的频率范围内，获得１８ｄＢ的功率增益和－１２０ｄＢ的反向隔离度是可行的。(本文来源于《山东电子》期刊1995年03期）
于玲莉,丁奎章,吴阿惠,何庆国[5]（1995）在《8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器》一文中研究指出报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用叁个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。(本文来源于《半导体情报》期刊1995年04期）
周根祥[6]（1989）在《2-18.5GHz高性能分布放大器的理论和实验》一文中研究指出本文介绍一种已设计和制成的2—18.5GHz高性能单片砷化镓金属半导体场效应管分布放大器,对m导式漏路设计作了理论分析,并给出一个闭式增益方程。理论预测值与实验结果以及复杂的计算机辅助设计模型结果作了比较。在2—18.5GHz频段内,标准偏置情况下测得的典型小信号增益为8.0±o.25dB。典型的输入反射损耗大于12dB,而输出反射损耗大于15dB。在频带大部分的饱和输出功率23dBm,且噪声系数小于7.5dB。(本文来源于《现代雷达》期刊1989年05期）
石振华,王敬芳,金雷,杨子杰,管荣生[7]（1989）在《大功率脉冲型分布放大器的研制》一文中研究指出作为大功率分布放大,截频自激是必须研究的问题。本文介绍板线采用常K滤波器,而栅线采用m导出式滤波器所做成的15kW分布放大器,并给出了主要参数和测试结果。(本文来源于《武汉大学学报(自然科学版)》期刊1989年02期）
龚金楦[8]（1988）在《微波超宽带分布放大器的理论和设计——镜象阻抗匹配法(续)》一文中研究指出2.多级分布放大器的最佳级数在式(2.1.33)中,对与 n 有关的项微分并令其等于零,求解后即可求出分布放大器所用的最佳有源器件数目 N_(OPT):(本文来源于《电子对抗技术》期刊1988年06期）
龚金楦[9]（1988）在《微波超宽带分布放大器的理论和设计——镜象阻抗匹配法》一文中研究指出引言近年来,国外在微波宽带固态放大器的研究领域中,一个引人注目的重要课题是超宽带微波低噪声固态放大器的研究。这是因为随着电子对抗技术在现代武器系统中的广泛应用,以及各种高数据率通信系统的出现,导致系统的工作频率范围迅速扩展,一般(本文来源于《电子对抗技术》期刊1988年05期）
李一民[10]（1986）在《微波FET分布放大器分析》一文中研究指出本文给出微波 FET 分布放大器中损耗的影响,得出分布放大器的最佳节数。介绍分析分布放大器性能的矩阵算法,给出两节放大器性能的计算机辅助分析结果,从而有助于选择分布放大器的主要设计参数。(本文来源于《电子对抗技术》期刊1986年Z2期）
分布放大器论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
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利用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器.该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于-10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/Hz,功耗为300mW,可有效地应用于40Gb/s光接收机中.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
分布放大器论文参考文献
[1].刘畅.新型的CMOS分布放大器的设计[J].黄冈师范学院学报.2013
[2].郑远,陈堂胜,钱峰,李拂晓,邵凯.用于40Gb/s光接收机的0.2μmGaAsPHEMT分布放大器[J].半导体学报.2005
[3].孙玲玲,刘军,周智,李训根,赵文明.基于正交试验法的微波宽带分布放大器优化设计[J].微波学报.2002
[4].邱正安.微波超导分布放大器的计算机辅助设计[J].山东电子.1995
[5].于玲莉,丁奎章,吴阿惠,何庆国.8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器[J].半导体情报.1995
[6].周根祥.2-18.5GHz高性能分布放大器的理论和实验[J].现代雷达.1989
[7].石振华,王敬芳,金雷,杨子杰,管荣生.大功率脉冲型分布放大器的研制[J].武汉大学学报(自然科学版).1989
[8].龚金楦.微波超宽带分布放大器的理论和设计——镜象阻抗匹配法(续)[J].电子对抗技术.1988
[9].龚金楦.微波超宽带分布放大器的理论和设计——镜象阻抗匹配法[J].电子对抗技术.1988
[10].李一民.微波FET分布放大器分析[J].电子对抗技术.1986