导读:本文包含了发光谱论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光谱,量子,多量,外延,硫酸钙,光热,光斑。
发光谱论文文献综述
杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰[1]（2019）在《InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱》一文中研究指出利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
闫冰,陈熙仁,刘锋,邵军[2]（2019）在《光斑尺寸对GaAs_(1-x)Bi_x光致发光谱线型的影响》一文中研究指出针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs_(1-x)Bi_x带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5. 1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显着提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年02期）
王硕,邓礼松,贾佳,苑进社[3]（2019）在《多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究》一文中研究指出【目的】研究金属有机物气相外延制备的多量子阱结构GaN材料的变温光致发光谱,探讨多量子阱结构GaN的发光机制。【方法】对样品进行变温光致发光谱测试,从发光强度和发光峰位两个角度研究样品的发光机制。【结果】在10～300K温度范围内光致发光谱共有4个发光峰,温度为10K时观察到的发光峰峰值波长分别位于355,369和532nm,100K时出现峰值波长为361nm的新发光峰。【结论】分析认为位于355,361,369和532nm的多峰发光结构分别与激发光源、激子发光、带边发光、量子阱发光和黄带发光相关。361nm附近带边发光光子能量与温度的变化规律与Vanshni经验公式吻合,369nm附近量子阱发光峰峰位随温度变化呈"S"型。(本文来源于《重庆师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
杨超普,方文卿,杨岚,刘彦峰,李春[4]（2018）在《MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法》一文中研究指出为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量。利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底Ga N基In Ga N/Ga N MQW外延生长过程原位PL谱测量。研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导入、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长。该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年11期）
张红梅,吕长武[5]（2018）在《CdSe/ZnS量子点/介孔硅复合膜的光致发光谱》一文中研究指出研究了CdSe/ZnS量子点与介孔多孔硅偶联吸附结合的复合膜的光致发光谱。实验比较了CdSe/ZnS量子点与硅复合和与多孔硅复合的光致发光,发现量子点与多孔硅复合的发光比与硅复合有很大的增强。对不同孔径的多孔硅与量子点复合后的光致发光谱的比较发现,由于孔径大小对量子点浸入介孔硅有影响,孔径大浸入的量子点较多所以大孔径多孔硅的发光比小孔径的发光强。量子点与多孔硅复合的光致发光具有量子点荧光发光强度高、稳定和窄带发光的特点,对进一步应用于基于多孔硅器件的光学传感器有重要意义。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2018年03期）
唐强,郭竞渊,高丽,唐桦明,张纯祥[6]（2017）在《CaSO_4:RE(Eu,Dy,Tm),Mn磷光体的热释光发光谱》一文中研究指出选择稀土Eu、Dy、Tm和过渡金属元素Mn,在CaSO_4中进行掺杂,制成了CaSO_4:RE、CaSO_4:Mn和CaSO_4:RE,Mn多晶粉末,测量了叁种物质的热释光发光谱,研究稀土离子和Mn杂质在CaSO_4发光中的相互作用。实验发现:稀土离子与Mn离子既是发光中心,又能对陷阱能级的分布产生影响;Mn~(2+)对稀土离子150℃以上的高温热释光峰没有增强作用,只对较低温度的发光峰有显着的增强作用,即存在Mn~(2+)向稀土离子的能量转移。但Mn~(2+)对CaSO_4中不同价态的稀土离子的增强作用差异很大,对Eu~(2+)的发光有很强的增强作用,对Dy~(3+)、Tm~(3+)只有较弱的增强。(本文来源于《中山大学学报(自然科学版)》期刊2017年05期）
祁镇[7]（2017）在《CdZnTe带边电子结构与InGaAs(N,Bi)/GaAs界面特性的光致发光谱研究》一文中研究指出光电子材料作为光电子学科和产业的基础和先导,一直以来是科研关注的一个重点。半导体光电子材料作为早期就投入研究的主体材料,在信息、交通、能源、医疗、军事等应用方面都扮演着重要角色。传统半导体碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_xTe)晶体材料因其Zn组分相关光电性质,在光电探测领域取得了广泛应用:Zn组分x=0.05~0.4时可用作室温核探测器材料;Zn组分x=0.04时更是HgCdTe长波红外探测器的优选衬底材料。新型稀氮(Nitrogen,N)、稀铋(Bismuth,Bi)半导体因其在能带裁剪等方面的独特优势,引发大量研究兴趣并被认为有望在近红外半导体激光器领域发挥重要作用。然而,与材料与器件制备的快速发展相比,CdZnTe与稀N/稀Bi半导体杂质缺陷及其对光电性能影响、退火工艺及其对杂质缺陷与光学性能的改善等机制性难题仍有待系统研究。为进一步优化CdZnTe晶体和稀N/稀Bi材料掺入退火工艺、提高材料光电性能,有必要采用对光电性能特别敏感的实验手段,深入分析材料杂质缺陷特性及其与掺杂/退火工艺之间的关联,厘清相关光电跃迁机制。光致发光(Photoluminescence,PL)光谱具有简便无损、易调控等优点,在半导体能带结构与光电性质的研究中取得广泛应用。基于连续扫描傅立叶变换红外(Fourier transform infrared,FTIR)光谱仪的PL光谱技术具有高通量、高灵敏度等显着特点,通过进一步提升探测灵敏度和多变条件调控能力,可以在半导体材料杂质缺陷的研究方面体现出新技术优势。本工作利用基于连续扫描FTIR光谱仪的PL光谱方法,结合可变温度、激发强度、外磁场等调控条件,分别对CdZnTe晶体和稀N、稀Bi低维结构半导体的代表材料(InGaAsN/GaAs和InGaAsBi/GaAs量子阱)的电子能带结构和杂质缺陷特性展开系统研究,对不同退火工艺晶格缺陷的演化进行深入分析。所开展工作和取得进展主要包括以下四个方面:1、利用变温、变激发功率、变磁场以及二维空间分辨PL光谱实验条件,研究特定组分的CdZnTe晶体,分析浅能级特征发光类型;获得CdZnTe晶体变磁场系列PL光谱,结合二维空间分辨PL光谱分析,发现CdZnTe晶片表面存在张应力分布并导致轻空穴带相对重空穴带上移。2、利用低温PL光谱分析不同生长、退火条件CdZnTe晶片,发现新的复合中心发光特征SA,揭示A-center与SA复合结构发光机制与退火演化过程;利用晶体腐蚀技术与扫描电子显微镜分析不同深度CdZnTe晶体的杂质、缺陷分布差异,结合PL光谱分析结果,提出CdZnTe材料退火演化机制;结合材料退火机制与深能级PL光谱分析,建立包括带边浅杂质与深能级缺陷的相对完整CdZnTe电子能带结构图像。3、对InGaAs/GaAs和InGaAsN/GaAs量子阱进行了变激发功率、变磁场以及变温PL光谱测试。拟合分析结果表明,In原子聚集效应产生的组分不均会导致量子阱层等效阱宽的涨落,退火可以增强量子阱界面处的In-Ga原子互扩散,降低这种不均匀,优化量子阱材料的晶格质量;1.2%的N并未明显增强量子阱内In-Ga互扩散效应,却对量子阱激子束缚能有可观增强,同时加剧量子阱界面处组分不均。4、利用变温度、激发光功率、变磁场PL光谱分析InGaAs Bi/Ga As和InGaAs/GaAs量子阱电子能带结构。拟合分析发现:InGaAs/GaAs量子阱除阱层等效宽度涨落外,在界面处还存在局域态能级结构;Bi掺入弱化量子阱界面处晶格失配,减弱阱内In原子聚集,抑制由于组分不均而导致的能带结构涨落,降低俄歇复合几率,从而显着改善量子阱的光电性能。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所)》期刊2017-09-01）
杨新荣,王海飞,赵晶,周晓静,徐波[8]（2017）在《InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究》一文中研究指出制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰位呈异常的S型变化,即:在15K~35K时峰位红移;在35K~55K温度范围内峰位发生了蓝移;随后随温度进一步增加,峰位再次发生红移.分析认为这种S型峰位的变化可能是由于不同温度下载流子的不同复合机制所引起的.(本文来源于《低温物理学报》期刊2017年03期）
马瑶,龚敏,刘鑫,胥鹏飞,林巍[9]（2016）在《重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究》一文中研究指出本文研究了重离子辐照前后SiO_2/Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO_2/Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO_2/Si结构的光致发光谱(PL)谱。在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。(本文来源于《光散射学报》期刊2016年04期）
玛丽娅,郭旗,艾尔肯,李豫东,李占行[10]（2017）在《In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究》一文中研究指出对未掺杂的In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱材料开展了能量为1 MeV、电子注量达1×1016/cm~2的电子束辐照实验。实验结果显示,电子束轰击量子阱材料,通过能量传递在材料中引入缺陷,导致光致发光减弱;电子束辐照后的量子阱中同时存在应力释放和原子互混现象,导致量子阱的发光峰先红移后蓝移;辐照后的量子阱发光波长取决于应变弛豫和扩散的共同作用。(本文来源于《光学学报》期刊2017年02期）
发光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs_(1-x)Bi_x带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs_(1-x)Bi_x外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5. 1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显着提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
发光谱论文参考文献
[1].杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报.2019
[2].闫冰,陈熙仁,刘锋,邵军.光斑尺寸对GaAs_(1-x)Bi_x光致发光谱线型的影响[J].红外与毫米波学报.2019
[3].王硕,邓礼松,贾佳,苑进社.多量子阱结构GaN光致发光谱温度变化特性研究[J].重庆师范大学学报(自然科学版).2019
[4].杨超普,方文卿,杨岚,刘彦峰,李春.MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法[J].人工晶体学报.2018
[5].张红梅,吕长武.CdSe/ZnS量子点/介孔硅复合膜的光致发光谱[J].光学与光电技术.2018
[6].唐强,郭竞渊,高丽,唐桦明,张纯祥.CaSO_4:RE(Eu,Dy,Tm),Mn磷光体的热释光发光谱[J].中山大学学报(自然科学版).2017
[7].祁镇.CdZnTe带边电子结构与InGaAs(N,Bi)/GaAs界面特性的光致发光谱研究[D].中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所).2017
[8].杨新荣,王海飞,赵晶,周晓静,徐波.InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究[J].低温物理学报.2017
[9].马瑶,龚敏,刘鑫,胥鹏飞,林巍.重离子辐照SiO_2/Si结构变温光致发光谱研究[J].光散射学报.2016
[10].玛丽娅,郭旗,艾尔肯,李豫东,李占行.In_(0.22)Ga_(0.78)As/GaAs量子阱光致发光谱电子辐照效应研究[J].光学学报.2017
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