导读:本文包含了碳化硅器件论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:碳化硅,器件,北京市,变换器,电子器件,米勒,栅极。
碳化硅器件论文文献综述写法
卞正达,黄天一,徐长福,王若隐,张铭[1]（2019）在《针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计》一文中研究指出由于大功率、高频高温等运行环境的需求,碳化硅(SiC)器件成为新一代半导体器件的代表,但其尖峰问题一直制约着这一新型器件的发展。以SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为研究对象,着重从逆变器中运用SiC器件的方面来进行尖峰问题的研究,分析了SiC MOSFET在开关过程中产生尖峰和振荡的原因,通过增加RC缓冲电路的方法对SiC的尖峰和振荡问题进行优化,结果证明RC缓冲电路可以降低SiC器件产生的尖峰和振荡。通过多组实验进行数据曲线的拟合,确定了RC缓冲电路中缓冲电容与缓冲电阻的关系表达式。(本文来源于《电力工程技术》期刊2019年06期）
[2]（2019）在《CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块》一文中研究指出CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。(本文来源于《半导体信息》期刊2019年03期）
李舒舒[3]（2019）在《基于碳化硅器件的无线充电发射系统关键模块的研究》一文中研究指出目前,电子产品快速的更新换代,越来越多的外接电源线不仅占据空间,而且存在各种安全隐患,对于户外恶劣天气变化适应性也比较差。而无线充电技术能够很好的解决这些问题。但大量开关电源的应用,导致电流波形畸变、功率因数和供电效率降低。无线充电过程中,发射和接收线圈需要严格对准,抗偏移性能差,充电区域过小等问题成为阻碍无线充电技术普及的主要原因。本文通过对无线充电发射系统关键部分PFC功率因数校正模块与发射线圈模块的研究,使得系统的损耗降低,提高了系统传输功率,改善了抗偏移性能,增大了充电区域面积。本文主要研究内容如下:1.深入研究了SiC SBD的静态特性和开关特性,并与Si二极管进行对比,总结出SiC器件的优势;对谐振网络两种补偿结构的系统效率和输出功率进行了公式推导,利用MATLAB软件仿真分析负载阻值对系统功率和效率的影响趋势,根据本文所设计无线充电系统的适用对象,选择S-S补偿结构。2.根据设计要求确定了基于IR1150的有源功率因数校正电路设计方案,根据各项关键参数的计算,完成元器件选型并使用SiC SBD替换Si FRD;根据设计方案,对PFC电路模块进行了样机制作以及各项测试实验,ACDC测试实验结果表明输入电流能够紧跟随输入电压变化且呈正弦波形;SiC器件与Si器件对比测试实验结果表明使用SiC器件的PFC模块能够有效的抑制电流谐波尖峰,且大幅度降低了系统损耗,提高了输出功率。3.采取多个初级线圈并联拼接的方式,进行增大充电区域的面积设计;首先计算了方形载流线圈表面轴线上和空间某点的磁场强度,在给定集中绕组的匝数时,利用初次级线圈互感作为优化工具,通过MATLAB迭代搜索,确定螺旋绕组线圈的匝数;根据电磁学原理,推理并验证了使得初级发射线圈表面轴向磁感应强度均匀分布的电流密度,并对该电流密度分布进行离散化,确定了螺旋绕组线圈的边长,进而提出一种新的线圈结构;通过对方形螺旋式线圈进行建模仿真,提出了一种新的无线充电平台的设计方案并进行了建模仿真。4.根据本文对中小功率电子设备充电的要求,搭建了150W的无线充电发射系统平台,通过接收线圈进行了互感系数与接收功率测试,测试结果表明并不因接收设备位置的改变而使接收功率改变,在很宽的负载范围内都具有很高的接收功率,无线充电发射平台具有良好的可扩展性。证明了整体设计方案的可行性。(本文来源于《天津工业大学》期刊2019-01-24）
许泓,任荣杰[4]（2018）在《碳化硅器件在节能减排领域的应用展望》一文中研究指出碳化硅(silicon carbide,SiC)器件具有高温、高频、高效等特性,经过多年的发展已经形成了SiC二极管、MOSFET和功率模块等系列器件和模块,具备产业化的应用基础。本文介绍了SiC功率半导体器件的产品技术特性,分析SiC系统在高效化、小型化、低成本及高可靠性方面的优势以及在光伏发电、电动汽车、列车牵引系统及风力发电等节能减排领域的应用前景;指出SiC器件目前在推广应用中面临的瓶颈问题、SiC领域国内外技术存在的差距,并预期其将迎来发展机遇。(本文来源于《中国能源》期刊2018年08期）
孔德鑫,刘洋,何泽宇[5]（2018）在《宽禁带电力电子器件及其应用综述(上)——碳化硅器件》一文中研究指出传统硅材料器件在高温、高压、高开关频率等诸多应用领域受到限制,而新型宽禁带半导体材料(以碳化硅和氮化镓为代表)的出现突破了电力电子器件的发展瓶颈,成为未来功率半导体器件发展的必然趋势。本文介绍了碳化硅材料的优良特性,碳化硅器件的常用类型、应用领域、国内外最新研究进展,最后总结了该器件目前发展存在的问题,并提出建议。(本文来源于《变频器世界》期刊2018年07期）
[6]（2018）在《我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展》一文中研究指出以碳化硅(Si C)为代表的第叁代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。Si C器件具有极高的耐压水平和能量密度,可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量,满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求,被誉为带动"新能源革命"的"绿色能源"器件。但长期以来,我国Si C器件的研制生产主要依赖进口。Si C器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自(本文来源于《河南科技》期刊2018年13期）
[7]（2018）在《6英寸碳化硅器件生产线在北京成功通线》一文中研究指出2018年2月1日,北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。这是一条具有国际领先水平的产业化生产线,该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通,从产业链源头实现自主可控。国家工业和信息化部电子信息司、北京市发展和改革委员会、北京市经济和信息化委员会、北京经济技术开发区、国家集成电路产业投资基金的有关领导,航空航天、北汽新能源等用户单位,以及科技界、金融界和行业协会等近百(本文来源于《半导体信息》期刊2018年01期）
陈嘉怡[8]（2018）在《新型碳化硅器件LLC谐振变换器的研究》一文中研究指出本文以电动汽车充电桩充电电源系统为应用背景,设计了高频率、高效率、低损耗的新型碳化硅器件LLC谐振变换器,该变换器可以应用于充电桩的充电电源模块。首先对比分析不同电路结构的优缺点,选用LLC谐振变换器,应用其电路拓扑简便、开关频率高、功率密度高等特性。之后详细探讨LLC谐振变换器在不同工作频率下的工作原理及工作过程,选取合适的工作频率范围,并研究得出变换器实现软开关技术的两个必要条件。通过学习一次谐波近似原理,探究LLC谐振变换器的FHA等效电路,提出可靠有效的LLC谐振变换器参数设计方案,并深入探讨了不同参数的取值对变换器性能的影响。在高频化的应用情况下,LLC谐振变换器的开关应力及损耗问题日益凸显出来。围绕如何提高功率密度的同时减小开关应力、开关损耗和提高电能转换效率等问题,提出了许多新技术。其中,软开关技术的应用最为突出。另一方面,从电力电子器件着手,相比于硅半导体器件,宽禁带半导体电力电子器件具有高工作频率、高阻断电压以及很强的高工作温度承受能力,同时又具有更低的开关损耗和通态电阻的优势,在变换器上必然会呈现其巨大的应用潜力。在宽禁带半导体电力电子器件中以新型碳化硅器件为代表,本文结合新型碳化硅器件,探究其静态特性和动态特性,选取额定功率相近的SiC器件和Si器件,进行性能分析及比较,同时搭建双脉冲测试电路仿真模型,进行仿真测试并给出验证结果,总结出在高温、高压和高频的电力电子应用领域中,SiC器件不可比拟的优越特性、应用优势和发展潜力。本文将SiC MOSFET、SiC SBD分别作为主开关管与整流二极管用于LLC谐振变换器中。根据实际应用需求,确定了基于SiC器件LLC谐振变换器的参数,同时依据SiC MOSFET的开关特性设计出SiC MOSFET的控制电路与驱动电路,绘制相应的电路原理图。最后,在LTspice仿真软件中搭建变换器仿真模型并制作电路板进行测试实验,结果验证了理论研究的正确性与参数设计方案的可行性。综合考虑实际应用问题,对LLC谐振变换器做损耗分析,采用不同的SiC器件与Si器件作为开关管,组成多个测试组,重点研究开关器件所产生的损耗,用数据图表清晰明了的给出研究结果,证明了选用SiC器件可以有效的降低损耗,提高变换器效率。(本文来源于《天津工业大学》期刊2018-01-22）
[9]（2018）在《6英寸碳化硅器件生产线在北京成功通线》一文中研究指出2018年2月1日,北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。这是一条具有国际领先水平的产业化生产线,该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通,从产业链源头实现自主可控。国家工业和信息化部电子信息司、北京市发展和改革委员会、北京市经济和信息化委员会、北京经济技术开发区、(本文来源于《电源世界》期刊2018年01期）
于程皓,王玉斌,李厚芝[10]（2017）在《基于高压碳化硅器件的叁相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制》一文中研究指出作为智能电网应用中的关键设备,固态变压器(SST)在未来电力系统中占有重要地位。为解决叁相模块级联型固态变压器拓扑复杂、控制困难、需要解决模块间均压均功率等问题,采用简单的基于高压碳化硅(Si C)器件的叁相固态变压器拓扑,其中整流级采用简单的叁相电压型PWM整流器的常规拓扑,因而具有很强的现实意义。建立叁相Si C-SST拓扑的数学模型,并对电网电压平衡下的控制策略进行分析,同时在电网电压不平衡时,采用抑制SST交流输入侧负序电流的控制策略。通过PSIM仿真证明了两种控制策略的可行性与正确性。最后基于Si C器件搭建了实验平台,对SST的前端整流级进行了实验验证。(本文来源于《电工技术学报》期刊2017年S2期）
碳化硅器件论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
CISSOID,在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
碳化硅器件论文参考文献
[1].卞正达,黄天一,徐长福,王若隐,张铭.针对碳化硅器件的高频逆变器缓冲电路设计[J].电力工程技术.2019
[2]..CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块[J].半导体信息.2019
[3].李舒舒.基于碳化硅器件的无线充电发射系统关键模块的研究[D].天津工业大学.2019
[4].许泓,任荣杰.碳化硅器件在节能减排领域的应用展望[J].中国能源.2018
[5].孔德鑫,刘洋,何泽宇.宽禁带电力电子器件及其应用综述(上)——碳化硅器件[J].变频器世界.2018
[6]..我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展[J].河南科技.2018
[7]..6英寸碳化硅器件生产线在北京成功通线[J].半导体信息.2018
[8].陈嘉怡.新型碳化硅器件LLC谐振变换器的研究[D].天津工业大学.2018
[9]..6英寸碳化硅器件生产线在北京成功通线[J].电源世界.2018
[10].于程皓,王玉斌,李厚芝.基于高压碳化硅器件的叁相固态变压器拓扑及其在电网电压不平衡下的控制[J].电工技术学报.2017