全文摘要
本实用新型提供了一种电源接口防反插保护电路，包括至少两个同类型的并联MOS管，串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2；其中，所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND之间；第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻，即第二电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压；所述至少两个同类型的并联MOS管串联于电源正负接口与负载构成的回路，使得电源正负接口的正负极接反时，所述回路不能导通。与现有技术相比，本发明采用并联的MOS管与两个分压电阻相结合，增加了过流能力，避免了负载回路大电流流过单个MOS管而导致管子功耗增加产生温升而损坏。
主设计要求
1.一种电源接口防反插保护电路，其特征在于，包括至少两个同类型的并联MOS管，串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2；其中，所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND之间；第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻，即第二分压电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压；所述第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的阻值关系满足其中Ugs(th)为所述至少两个同类型的并联MOS管中的MOS管导通开启阈值电压；所述至少两个同类型的并联MOS管串联于电源正负接口与负载构成的回路。
设计方案
1.一种电源接口防反插保护电路，其特征在于，包括至少两个同类型的并联MOS管，串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2；其中，所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND之间；第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻，即第二分压电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压；所述第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的阻值关系满足设计说明书
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域，特别涉及一种电源接口防反插保护电路。
背景技术
随着目前市场电子产品多样化，产品充电器较多，容易搞混用错，如果不进行电源反插保护，会对充电电路造成烧坏损失。每年因为客户误操作造成充电芯片烧坏和外部设备烧坏的案例很多，这不仅花费大量的人力去维修，电器使用不当造成火灾、还造成产品的大众用户体验不佳的影响。
专利“CN201721131475.X”公开了一种USB充电反插过压过流保护电路，如图1所示，该方案中，采用一个MOS管通过控制MOS管反插DC输入USB 充电输入电压、WS3205D限压等方式，以此来使DC输入充电隔离。解决电压搞错、线接反引起的烧板问题。然而，当系统流过单个MOS管的情况下，会导致管子功耗增加产生温升二损坏，适用范围较窄。
实用新型内容
本实用新型提供了一种电源接口防反插保护电路，具有防反插保护效果更好，适用范围更广的特点。
根据本实用新型提供的一种电源接口防反插保护电路，包括至少两个同类型的并联MOS管，串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2；其中，所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND 之间；第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻，即第二分压电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压；所述第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的阻值关系满足 设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201822238404.0
申请日:2018-12-29
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:23(黑龙江)
授权编号:CN209786793U
授权时间:20191213
主分类号:H02H11/00
专利分类号:H02H11/00;H02H9/04
范畴分类:38C;
申请人:佳木斯市奥义智能科技有限公司
第一申请人:佳木斯市奥义智能科技有限公司
申请人地址:154000 黑龙江省佳木斯市向阳区西站社区15号
发明人:张有刚;侍启山
第一发明人:张有刚
当前权利人:佳木斯市奥义智能科技有限公司
代理人:唐海力
代理机构:11541
代理机构编号:北京卓唐知识产权代理有限公司 11541
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计