导读:本文包含了掺杂薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:性能,金刚石,薄膜,稀土元素,离子束,磁控溅射,磁学。
掺杂薄膜论文文献综述
高立华,高松华,陈礼炜[1]（2019）在《不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术,在不同氮氧比条件下,经过退火处理制备了N掺杂ZnO∶Al薄膜。对样品进行X射线衍射(XRD)、探针扫描显微镜(FAM)、透过率和电阻测试。结果表明:薄膜表面呈现柱状结构,当氮氧比为9∶1时,c轴择优取向最强。在可见光(500～800 nm)范围内,平均透过率都达到了90%以上。随着氮氧比增大,薄膜电阻先增大后减小,后又略微增大。当氮氧比由3∶1增加到9∶1时,由于N作为施主和受主掺杂的浓度不同,薄膜实现了由n型导电转变为p型导电。(本文来源于《新乡学院学报》期刊2019年12期）
张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银[2]（2019）在《掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响》一文中研究指出利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显着减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显着调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显着增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.(本文来源于《四川大学学报(自然科学版)》期刊2019年06期）
郝爱泽,贾殿赠,宁雪儿,包定华[3]（2019）在《基于掺杂镍铁氧体薄膜电致阻变及磁学性能的研究》一文中研究指出采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO_2/Si基底上制备了不同元素(Gd~(3+),Ce~(3+/4+),Cu~2+)等)掺杂的尖晶石结构镍铁氧体薄膜。XRD结果表明制备的薄膜结晶良好,没有杂相生成。SEM结果表明薄膜表面平整、光滑致密。通过电学性能的表征,研究了不同种类及含量的离子掺杂的Pt/NiFe_2O_4/Pt器件的电致阻变特性、载流子输运机制、(本文来源于《第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集》期刊2019-11-23）
崔丽,孙丽丽,郭鹏,柯培玲,汪爱英[4]（2019）在《自组织分层金属掺杂类金刚石薄膜的研究进展》一文中研究指出近年来,研究学者发现在沉积过程中,某些金属元素掺杂类金刚石薄膜时能够形成一种特殊的自组织分层纳米结构,这种纳米结构克服了人为调控多层薄膜的工艺复杂性及局限性,同时赋予了薄膜更加优异的性能。主要综述了国内外对金属掺杂类金刚石薄膜中自组织分层结构的影响因素、形成机理等方面的研究现状。详细阐述了金属类型及含量、沉积条件(脉冲频率、基体偏压、气流比、沉积温度、沉积时间)、沉积方法等参数对自组织分层结构的生成及富金属层厚、富碳层厚、层数等尺寸的作用规律。重点介绍了离子重排机理、金属催化机理、强离子辐照诱导机理和靶中毒机理四种自组织分层结构形成机理的特点,并探讨了目前研究工作中存在的一些不足,如自组织分层结构的形成机理尚不清晰。上述四种机理模型均具有一定的局限性,且如何设计工艺参数实现自组织分层结构的内在调控仍是一个科学难点。针对这些问题,提出了自组织分层结构碳基薄膜的未来研究方向。(本文来源于《表面技术》期刊2019年11期）
徐晓伟,郭鹏,李晓伟,崔平,汪爱英[5]（2019）在《织构化Ti/Al共掺杂类金刚石薄膜摩擦学性能的研究》一文中研究指出类金刚石(DLC)薄膜由于具有优越的摩擦学性能被广泛应用于保护涂层。而金属掺杂和表面织构化作为改善摩擦副摩擦学性能的重要手段,对于进一步提高DLC的摩擦学性能并延长其使用寿命和可靠性有重要意义。本文采用两步工艺,通过电感耦合等离子体刻蚀以及线性离子束复合磁控溅射技术制备了具有不同面密度(0-40%)的Ti/Al共掺杂类金刚石(Ti/Al-DLC)薄膜,研究了不同织构密度对Ti/Al-DLC薄膜在干燥条件下的摩擦学行为的影响,以及相应的表面形貌,化学状态和力学性能。结果表明:表面织构化对Ti/Al-DLC薄膜的化学键态和力学性能没有影响。当织构密度为5%时,薄膜表现出稳定的摩擦趋势,与无织构样品相比,稳态摩擦系数降低了17.8%,同时磨损率降低了约44%,表现出优异的抗磨损能力。这是由磨削引起的较低石墨化和微凹坑的磨粒捕获效率的协同效应所致。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
张运祥,胡朝静,程世清,何志超,刘芳芳[6]（2019）在《基于Ag掺杂的CIGS薄膜背梯度研究》一文中研究指出铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有效率高、弱光性能好、稳定不衰退等优点,是目前最具有前景的薄膜太阳电池之一。CIGS是一种四元化合物半导体,随着Ga/(In+Ga)比的不同,其带隙可以在1.04-1.67eV内连续可调。实验室中,使用叁步蒸发法制备的CIGS薄膜,由于在沉积过程中,In和Ga的扩散系数不同,最终形成具有"V"型双梯度带隙,而背梯度会形成一个指向Mo背电极的内建电场。这个内建电场能够促进载流子的漂移运动,使载流子向低能运动,增加了载流子输运能力,进而增加了光电流,降低了载流子的复合,最终提高CIGS电池的转换效率。然而,实验室中,高温制备的CIGS薄膜的背梯度是相对比较缓的,并没有充分发挥背梯度的优势。此外,这个背梯度又不宜过陡,这是由于过陡的背梯度会带来大量的晶格缺陷,进而影响CIGS薄膜的器件性能。本文重点研究高温叁步法背梯度对于CIGS太阳电池的影响,首先,采用wxAMPS软件研究背梯度对CIGS器件性能的影响,并结合理论分析提出一种适合高温沉积的新的背梯度结构。其次,基于理论分析模型,通过对背梯度进行少量的Ag的掺杂,改善CIGS的器件性能。同时,使用XRD、XRF、SEM、Rama等表征手段,发现:少量Ag掺杂到CIGS薄膜中,能够明显的提高CIGS薄膜质量,并在合理掺杂基础上,成功的将CIGS的短路电流密度(Jsc)提高了10%以上。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
陈义川,孟琦,肖悦悦,张逍博,孙俊杰[7]（2019）在《磁控溅射制备本征绒面Ga掺杂ZnO薄膜及其在钙钛矿电池器件中的应用模拟》一文中研究指出氧化锌(ZnO)作为直接宽带隙n-型半导体材料,在液晶显示器、触摸屏、透明导电材料等方面获得了广泛的应用。同时,掺杂可以改变ZnO的电学和光学性能,如Al,Li,Ga,Mg,W或Cu等。在钙钛矿电池(PSCs)器件中,具有陨石坑绒面结构镓(Ga)掺杂ZnO薄膜(GZO)作为电子传输层(ETL)可以增大ETL与钙钛矿的接触面积,增加电子的传输通道,降低界面接触电阻和传输电阻。本文主要采用调制气压的方式,实现了陨石坑绒面结构GZO的直接制备。同时,通过调控调制气压的大小,可以改变GZO薄膜的表面功函数,优化其与钙钛矿电子亲和势的匹配度,对提高PSCs的效率具有重要意义。因此,本文中通过调控调制层的溅射气压,得到了陨石坑绒面结构及合适表面功函数的GZO薄膜。在GZO电学和光学性能参数基础上,构建了基于GZO为ETL的合理PSCs器件模型;合理优化了各功能层的物理性质参数后,获得了20.167%的模拟转换效率。通过GZO表面进行改性,使GZO表面功函数从4.2eV降低到3.9 eV,可以降低ETL与钙钛矿层间势垒高度差,优化GZO与钙钛矿能级匹配;有利于电子的提取和降低界面复合,器件模拟效率高达21.132%。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
任锦华,沈杰,张群[8]（2019）在《稀土掺杂SnO_2薄膜制备及晶体管应用》一文中研究指出目前,无铟氧化物薄膜及其晶体管器件的研制成为人们关注的内容之一。Sn4+导带由5s轨道构成,具有较大的空间重迭性,电子有效质量小,即使材料在非晶状态下也能获得可观的迁移率,像ZnSnO、GaSnO以及SiSnO等高性能氧化物材料体系的开发为显示领域背板技术的发展注入了新的活力。因此,SnO2半导体是一种重要的非晶氧化物半导体薄膜晶体管的候选材料,我们实验室在SnO2材料及器件的研制方面开展了系列工作。稀土有工业"黄金"之称,能应用于激光、超导等高端技术领域,在SnO2基TFT器件掺杂和电学性能方面的报道还比较少。另外,稀土元素不易变价的特性在一定程度上避免了其它杂质相对薄膜的污染。因此,我们选择稀土作为掺杂剂,研究了它们对SnO_2半导体薄膜性质的影响,包括表面形貌、晶体结构、电学性质和光学性质。然后,我们将研究得到的薄膜应用于TFT器件的制备,获得了良好的器件性能。本工作中,我们选择重稀土作为掺杂源,研制SnXO薄膜(X=Er,Tm)。表征结果表明,稀土掺杂在SnO_2薄膜里面引入了更多的非晶相,同时薄膜的禁带宽度也得到了有效的拓宽(>3.8 eV)。另外,由于X-O键的结合能高于Sn-O键,稀土掺杂有效地抑制了氧空位施主的产生,这有助于改善TFT器件的电学性能。稀土掺杂还降低了SnO_2薄膜表面的粗糙度,有利于TFT电学性能的提高。我们尝试研制了SnXO薄膜晶体管器件,获得了良好的器件性能。本研究工作对稀土掺杂SnO_2基薄膜晶体管的开发具有一定的参考意义。(本文来源于《TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集》期刊2019-11-15）
杨丽丽,葛欣,李丹,宋榕菲,王策[9]（2019）在《铜源对铜掺杂MAPbI_3薄膜结构和光学性质的影响》一文中研究指出有机-无机杂化钙钛矿(MAPbI_3)材料已成为光电器件领域的先进材料,但铅元素的存在带来的环境污染问题严重影响钙钛矿材料的实际应用.以无毒性金属元素部分取代铅元素是推进其应用进程的途径之一.选用氯化铜和醋酸铜作为铜元素掺杂源,利用一步法合成铜掺杂钙钛矿薄膜,研究不同铜源对MAPbI_3薄膜成膜质量和光学性质的影响,并揭示影响机制.(本文来源于《吉林师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
李小龙,陈丽,乔利杰[10]（2019）在《原子掺杂对a-Fe_2O_3薄膜阻氢效应的影响》一文中研究指出氢对不锈钢的性能有重要的影响。氢气、水、硫化氢等这些含氢的气体等在不锈钢的表面容易发生解离,产生氢原子,吸附在不锈钢表面。而且氢可以进一步扩散到不锈钢内部。当不锈钢中氢的浓度累积到一定程度之后,就会产生氢鼓泡,从而对不锈钢的性能产生重大的影响,甚至可能引起氢脆和不锈钢断裂。特别是对于高强钢,几个ppm数量级的氢就可以引起氢脆的发生,因此氢脆目前仍然是制约高强钢应用的瓶颈问题。(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24）
掺杂薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显着减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显着调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显着增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺杂薄膜论文参考文献
[1].高立华,高松华,陈礼炜.不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响[J].新乡学院学报.2019
[2].张加宏,谢丽君,陈虎,顾芳,王银.掺杂与应力对ZrO_2薄膜电子结构和光学性质的影响[J].四川大学学报(自然科学版).2019
[3].郝爱泽,贾殿赠,宁雪儿,包定华.基于掺杂镍铁氧体薄膜电致阻变及磁学性能的研究[C].第十届国际（中国）功能材料及其应用学术会议、第六届国际多功能材料与结构学术大会、首届国际新材料前沿发展大会摘要集.2019
[4].崔丽,孙丽丽,郭鹏,柯培玲,汪爱英.自组织分层金属掺杂类金刚石薄膜的研究进展[J].表面技术.2019
[5].徐晓伟,郭鹏,李晓伟,崔平,汪爱英.织构化Ti/Al共掺杂类金刚石薄膜摩擦学性能的研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[6].张运祥,胡朝静,程世清,何志超,刘芳芳.基于Ag掺杂的CIGS薄膜背梯度研究[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[7].陈义川,孟琦,肖悦悦,张逍博,孙俊杰.磁控溅射制备本征绒面Ga掺杂ZnO薄膜及其在钙钛矿电池器件中的应用模拟[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[8].任锦华,沈杰,张群.稀土掺杂SnO_2薄膜制备及晶体管应用[C].TFC'19第十五届全国薄膜技术学术研讨会摘要集.2019
[9].杨丽丽,葛欣,李丹,宋榕菲,王策.铜源对铜掺杂MAPbI_3薄膜结构和光学性质的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版).2019
[10].李小龙,陈丽,乔利杰.原子掺杂对a-Fe_2O_3薄膜阻氢效应的影响[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019
论文知识图
