导读:本文包含了智能功率集成电路论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:集成电路,功率,智能,电流,电压,电子技术,乘法器。
智能功率集成电路论文文献综述
周枭[1]（2019）在《智能功率集成电路抗辐射加固设计研究》一文中研究指出半导体技术对航空航天事业起着极为重要的作用,应用在商业航天领域的电子设备及系统需要在空间辐射环境下有足够的可靠性和运行寿命,应具备足够的抗辐射能力。智能功率集成电路在设备及系统中为各类芯片供电,可以被看作是所有集成电路的“心脏”,更是商业航天设备的关键。随着我国商业航天产业的发展,对电子设备及系统抗辐射能力的要求越来越高,因此智能功率集成电路的抗辐射性能显得尤为重要,是航天设备在辐射环境中工作的基础。国外对抗辐射加固技术的研究起步较早,目前对辐射效应机理和抗辐射加固技术的研究已经取得不错的进展。国外已有若干公司能提供航天级抗辐射智能功率变换芯片及电源模块,可应用于航空航天领域。国内对该领域关键技术的研究起步较晚,目前远远滞后于国外。国内目前抗辐射分立器件、抗辐射工艺开发、数字电路抗单粒子加固技术等方面已经有所进展,但在标准BCD工艺下针对抗辐射智能功率集成电路加固技术的研究还较少。因此在该领域的研究对商用航天产业具有重大意义。本文在此背景下,基于标准BCD工艺,研究辐射效应对BJT、MOS、LDMOS等器件的影响,分析了辐射效应对预降压、基准、跨阻放大器等关键子电路的影响。在标准BCD工艺下,从器件和电路两个层面,提出抗辐射加固措施并验证。基于以上研究,设计了一款用于光电耦合器的抗辐射光电接收芯片和一款抗辐射Buck型DC-DC芯片。具体研究内容及主要创新如下:1.研究BJT管和MOS管的总剂量辐射效应产生机理,分析了双极晶体管的电流增益衰减和MOS晶体管的阈值电压漂移、漏电流增加等总剂量辐射效应对功率集成电路的影响。为提高芯片抗总剂量辐射能力,采用环栅MOS管结构对器件进行加固,利用Sentaurus仿真平台,在0.18μm标准BCD工艺下,对环栅MOS管等效宽长比计算模型进行仿真验证。为采用环栅MOS器件进行电路设计和仿真,在Cadence中建立环栅MOS器件单元库。b字形环栅无法实现小宽长比并且宽长比计算准确性不足,宽长比计算最大误差可达30%。为此,本文提出8字形环栅结构来弥补b字形环栅在应用中的不足,计算误差控制在6%以内。2.研究NMOS功率管和NLDMOS功率管的总剂量辐射效应,在标准BCD工艺下分别提出了华夫饼版图结构和跑道形版图结构,对总剂量漏电效应进行加固,并通过流片及辐照实验进行验证,加固后的两种功率管抗总剂量能力均大于300krad(Si)。研究辐照偏置和总剂量辐射效应的关系,分析不同偏置对器件总剂量效应的影响,并通过实验进行验证,为电路设计和辐照实验中选择合适的偏置条件提供准确依据。3.基于标准BCD工艺研究并设计抗辐射功率集成电路常用到的几个关键子电路模块。基于BJT管的辐射损伤情况,研究预降压电路在辐射下的性能退化,采用DTMOS对BJT管进行替代,并使用环栅MOS器件,重新设计抗辐射预降压电路。基准电压源和预降压电路原理类似,也采用DTMOS和环栅MOS器件对基准电压源进行加固设计,并进行流片验证,基准电压偏移量在总剂量为200krad(Si)时达到34mV最大值,总剂量为300krad(Si)时为18mV。设计用于抗辐射光耦芯片的跨阻放大器,针对光探测器辐射后的响应度退化效应,引入了增益自调节机制,增大跨阻放大器动态输入范围,提高了光耦芯片抗总剂量能力。针对光耦芯片可能出现的单粒子瞬变效应,设计了瞬变检测与屏蔽电路,并进行仿真验证。4.在0.5μm标准BCD工艺下,研究并设计一款用于10MBd抗辐射光电耦合器的光电接收芯片。设计用于光电接收芯片的抗辐射基准电流源电路。研究比较器滞回区间、噪声与信号幅值的关系,确定信号最小幅值和滞回区间,设计用于光电接收芯片的迟滞比较器。为提高光耦芯片的抗辐射能力,使用本文设计的带有增益自调节机制的抗辐射跨阻放大器和抗单粒子瞬变检测与屏蔽电路,并采用本文建立的环栅MOS器件单元库,对芯片进行加固设计并仿真。对芯片进行流片及总剂量辐照实验验证,未加固的芯片在总剂量累积到50krad(Si)时失效,加固后的芯片在总剂量累积到400krad(Si)时仍正常工作。5.在0.18μm标准BCD工艺下,研究并设计一款抗辐射Buck型DC-DC芯片。选用片内集成双N管的谷值电流模Buck架构,并从工艺器件选型、器件加固设计、关键子电路设计、版图设计等多个层面对芯片进行抗总剂量辐射加固。最终设计芯片实现输入电压6V~15V,输出电压1.2V,输出电流2A,抗总剂量大于300krad(Si)。仿真验证通过后,进行流片封装及辐照测试。实验结果表明未加固的芯片在总剂量累积到150krad(Si)时失效,加固芯片在累积总剂量为350krad(Si)时仍可正常工作。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
马俊[2]（2016）在《智能功率集成电路中功率半导体器件的探析》一文中研究指出文章首先介绍了智能功率集成电路及功率半导体器件;接着分析了智能功率集成技术;最后详细阐述了功率半导体器件在智能功率集成电路中的应用,主要是智能功率集成电路功能和智能功率集成电路应用等。(本文来源于《电脑知识与技术》期刊2016年12期）
解鸿国[3]（2015）在《智能功率集成电路中功率半导体器件的研究》一文中研究指出随着我国经济的不断发展和电子信息技术的推广普及,电力电子技术受到社会各界的广泛关注,智能功率集成电路和功率半导体器件的完美组合,形成了有鲜明时代特征的电力电子技术,这一技术能够高效地将电能从一种方便传输的形式变为另一种符合应用需求的形式,具有应用的高度适应能力和能源利用的高效性等显着特点,是一种符合绿色经济发展模式的智能技术。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2015年01期）
张世峰[4]（2014）在《智能功率集成电路及高压功率器件可靠性研究》一文中研究指出智能功率集成电路应用广泛,涵盖电子照明、电机驱动、电源管理、工业控制以及显示驱动等众多领域。作为智能功率集成电路的一个重要分支,电机驱动芯片始终是一个研究热点。如何提升驱动芯片的性能、降低电机驱动芯片的功耗,以最大限度的发挥电机的能力,是电机驱动芯片的发展趋势。本论文着重研究两类电机驱动芯片,即电机前置驱动芯片和高压功率驱动芯片。针对存在的设计难点和关键问题,结合国内现有高压功率集成电路芯片制造工艺技术,提出了相应的解决方案。作为功率集成电路中的核心,功率器件所承受的工作电压越来越高,电流越来越大,可靠性问题也越来越突出。功率器件的可靠性直接决定了功率集成电路的工作寿命。因此,本论文对功率器件的可靠性问题也进行了重点研究,研究成果对完善高压功率器件的可靠性评估体系,具有实际意义。本论文的主要工作和创新点包括：1、对叁相无刷直流电机前置驱动电路的设计难点进行了研究分析,包括避免高低边驱动电路或输出级上下功率管同时导通,减小高低边驱动电路的功耗,防护输出节点可能出现的负电压带给电路的不利影响以及减小传输延时等,并从电路和器件结构上提出了相应的解决方案。基于HHGrace的0.35μm5V/80V BCD工艺,对所设计的高压前置驱动电路进行了流片验证。测试结果表明：前置驱动电路功能正常,信号传播延时、输出驱动信号上升／下降时间以及驱动能力等关键性能参数与国外同类产品水平相当。2、对应用于变频节能空调的SOI高压功率驱动芯片进行了整体设计研究,包括低压控制电路和高压驱动电路设计、高压集成功率器件设计以及1μm500V的SOI BCD制造工艺设计研究。该芯片集成高压叁相半桥驱动电路(LIGBT实现),采用自举方式实现高边驱动电路供电。采用PWM调制模式控制输出功率管导通时间。芯片具有死区控制和过温、过流以及欠压等完备的自我保护功能。在SOI LIGBT器件结构设计中,还创新性地提出了带有N+埋层的双沟道LIGBT结构,该结构不仅具有高电压、大电流驱动性能,而且还具有良好的抗闩锁能力,提高了器件乃至整个芯片的工作可靠性。最后,通过TCAD软件对整体工艺方案进行了仿真和优化,并对所涉及的所有元器件进行了工艺参数的调整和优化,确定了最终的结构。在此基础上,完成了芯片整体版图的设计。仿真结果显示电路整体性能能够满足设计指标的要求。3、高压集成功率器件SOI LIGBT的可靠性研究。通过电压应力实验、TCAD仿真、电荷泵测试等方法,对SOI LIGBT在不同电压应力条件下的热载流子效应进行了深入的研究,并揭示了不同的退化机理：对于直流电压应力条件,当集电极电压不变时,栅极电压应力越高,氧化层陷阱正电荷引起的退化机制越会占据主导地位；反之,栅极电压应力越低,界面态引起的退化机制就越会占据主导地位。对于动态电压应力条件,动态栅极信号频率越高、占空比越大以及信号上升/下降时间越短,SOI LIGBT退化越严重。这是因为信号频率越高,有效动态应力时间f×tr越大。信号占空比越大,器件受到高电压应力的时间就越长。对于较短的信号上升/下降时间,在信号关断过程中,器件内部仍然存在较多的少子电流,而此时器件集电极电场仍维持在较高水平,并在局部区域产生了更大的电场强度峰值,所以产生了更多的热载流子,进而产生了更多的界面态或氧化层陷阱电荷,导致器件产生更加严重的退化。在此基础上,研究了改进器件热载流子效应的方法,并设计了高可靠性SOILIGBT器件,将其应用于一款高压大功率PDP扫描驱动芯片中(国家核高基重大专项项目,2009ZX01033-001-003),经流片测试表明,该器件正常工作寿命大幅提高,达到了10万小时以上,满足了该课题对产品应用的指标要求。(本文来源于《浙江大学》期刊2014-08-02）
程骏骥[5]（2013）在《智能功率集成电路中功率半导体器件的研究》一文中研究指出电力电子技术是目前最先进的电能变换技术，它能高效地将电能从一种方便传输的形式变为另一种符合应用需求的形式，具有高度灵活性和高效率两个显着特点，与当代节能环保的主题密切契合。作为新一代的电力电子技术，智能功率集成电路旨在将所有的高压功率器件与低压电路集成在同一芯片上，这样不仅会提高芯片整体的性能，而且能够降低生产成本，进一步实现电能变换的高效化和智能化。其中，功率器件本身的设计以及如何将它与低压部分集成并隔离是最为核心的技术点。陈星弼教授提出的优化横向变掺杂理论，能够使表面耐压区在尽可能短的距离内实现尽可能大的耐压，从而令功率器件的性价比达到极高的水准。基于该理论，陈教授发明了一种智能功率集成技术，能在与普通CMOS及/或BiCMOS技术兼容的工艺条件下，于同一芯片上集成高侧高压器件、低侧高压器件、高压电平位移电路和所有的低压电路。这一发明打破了过去制作智能芯片必须依赖精良隔离工艺的技术瓶颈，实现了真正把功率做到芯片中去的目标，不仅使智能功率集成电路能在工艺水平较为落后的国内环境下获得研发，而且有力地驱动了它往高性能、低成本的方向发展，对推动电力电子技术的进步具有非凡的意义。为进一步扩大上述发明的优势，本文以理论分析和仿真实验相结合的手段，提出并研究了一系列基于优化横向变掺杂理论的新型功率半导体器件及结边缘终端结构。所取得的成果不仅可为进一步优化智能功率集成电路提供参考，部分也可为改善功率半导体分立器件及结边缘技术提供参考。研究期间所做工作体现在本文的第二至六章，创新性内容为第叁至第六章，创新工作的主要内容为：1.研究了图腾柱式功率管组合中，高侧器件使用P-LDMOS代替N-LDMOS的利与弊，并基于优化横向变掺杂的叁层表面耐压结构进一步开发了一种双通道P-LDMOS。传统的智能功率集成电路一般使用N-LDMOS作为高侧及低侧的功率器件，因此高侧与低侧电路之间的参考电位差值最大可达到最高电压。为匹配它们，常常需要设计许多的配套电路，例如信号延迟电路、高压电平位移电路等。如果高侧器件采用P-LDMOS，高侧与低侧的信号电位水平将一致，上述问题自然不攻自破，不仅低压集成电路的设计难度被减小、芯片的制造成本被降低，而且可靠性还得到加强。但一般P-LDMOS的导电能力很弱，同耐压下比导通电阻比N-LDMOS的大许多，限制了它作为高侧器件的应用。本研究基于优化横向变掺杂的叁层表面耐压结构进一步开发了一种双通道P-LDMOS，成功地克服了这一障碍，令P-LDMOS拥有媲美N-LDMOS的导电能力，适合作为高侧器件应用到功率集成电路中。2.提出并实验了一种基于优化横向变掺杂理论的新型低侧功率器件。传统的低侧功率器件一般仅使用横向MOS，占用较大的芯片面积。如果将低侧功率器件做成纵向MOS与横向MOS的并联，势必能减小低侧功率器件的比导通电阻。而且，此时的横向MOS既是拥有一定导电能力的元器件，亦作为了纵向MOS的结边缘结构，这也为优化功率半导体分立器件提供了参考。3.提出并实验了一种有助于优化横向变掺杂产品抵御剂量偏差的设计手段。横向变掺杂以及结终端扩展等结构，与生俱来地敏感于剂量偏离于设计值的情况，而这一情况即使在现代工艺条件下也无法避免。本文提出的设计手段能够在产品实际剂量与设计值之间存在一定偏差时，仍保证其具有符合要求的耐压，能大幅提高产品的成品率，而又不损害其性价比。4.基于优化横向变掺杂理论，提出了一种新型的结边缘终端技术。它不仅继承了优化横向变掺杂理论高效的特点，即仅需占用极小的结边缘面积就可实现极大的表面耐压，而且可为功率集成电路提供全效的终端保护，即所实现的结边缘耐压能够完全达到同衬底所做的单边突变平行平面结的击穿电压。同时，该技术的制造工艺与普通BiCMOS技术兼容，也能够适用于各种类型和不同尺寸的半导体器件。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-10-12）
胡浩[6]（2011）在《智能功率集成电路中部分模块的研究》一文中研究指出智能功率集成电路是指将输出功率器件与信息处理系统及其外围接口电路、保护电路、检测诊断电路等都集成在同一芯片上。智能功率集成电路的应用无处不在，从日常生活中的家电照明、电子计算机、各种消费电子产品，到工业应用控制、航空航天仪器、军事电子产品等领域，市场非常广阔。随着电能处理领域的不断扩大，以及社会对环保问题的日益重视，效率和成本问题逐渐成为关注热点，智能功率集成电路成为整个半导体产业中最为活跃的领域之一。人们对降低电子产品的功耗和降低成本的广泛需求，将推动智能功率集成电路的稳步发展。本论文正是在充分了解国内外智能功率集成电路研究现状的基础上，对智能功率集成电路中离线式开关电源芯片中所需的部分模块进行了深入的研究。开发一款离线式开关电源芯片，需要工艺、器件、电路的紧密配合。本文的研究重点在于，开发离线式开关电源芯片所用的工艺平台；设计芯片中需要的高压启动电流源；设计芯片中的控制电路；对芯片中功率器件做出改进，使其具有更好的电压电流特性。本文的主要工作有：1.开发离线式开关电源芯片采用的工艺平台。芯片采用的C1工艺是采用陈星弼院士发明的“优化横向变掺杂”技术，在成熟的CMOS工艺基础上发展而来，此工艺可以与国内主流的CMOS/BiCMOS工艺平台兼容。工艺平台可实现的器件包括耐压800V的VDMOS、LDMOS，耐压50V的NMOS、PMOS，耐压10V的NMOS、PMOS，以及各种稳压管、双极管、电阻、电容等。文中对多次扩散后的杂质分布的表达式进行了推导，此表达式可以在工艺设计中帮助预先估计杂质扩散的最终分布。2.设计了芯片需要的高压启动电流源。在离线式开关电源芯片中通常需要一个高压启动电流源来给芯片中的控制电路提供启动电流。通常的办法是外接一些元件或者利用额外的掩模板来构成此电流源。本文在陈星弼院士专利“一种半导体器件及其提供的低压电源的应用”的基础上，实现了两种高压启动电流源，其中一种适合输出5V左右的输出电压，另一种适合输出大于10V的输出电压。实验结果证明，在未使用外界元件和额外的掩模板的情况下，高压启动电流源能正常的启动和重启动，并在电流源关闭的情况下从市电抽取很少电流或者不抽取电流。3.设计了芯片里控制电路。芯片中的功率管需要控制电路来控制其开关以及保护电路来保障其安全工作。文中对控制电路中的稳压器模块、基准源模块、振荡器模块和逻辑模块做了介绍。文中对流片后的芯片搭电路板进行测试。实验结果表明，控制电路中各电路模块能够实现其设计功能；芯片能够正常的启动、重启动；在100V的交流市电下，芯片能够按照要求输出一定功率。但是，芯片中控制电路并没有完全达到设计指标，需要根据实验结果进一步修改。4.提出了一种快速关断的新型LIGBT器件。IGBT由于在导通时在耐压区引入电导调制效应，可以降低导通电阻，增大导通电流密度，可以极大的降低芯片面积，但是IGBT的缺点是慢的关断速度。本文提出一种新结构的LIGBT，新结构在器件发射极并联了一个PMOS晶体管，用于在器件关断时短路器件发射结。相比传统结构的LIGBT，新结构在未降低导通特性的情况下，将器件关断时间从120ns降低到12ns，关断功耗从2mJ/cm2降到1.43mJ/cm2。(本文来源于《电子科技大学》期刊2011-12-20）
成建兵,张波,李肇基[7]（2011）在《用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST》一文中研究指出提出一种用于智能功率集成电路的基于绝缘体上硅(SOI)的部分槽栅横向双扩散MOS晶体管(PTG-LDMOST)。PTG-LDMOST由传统的平面沟道变为垂直沟道,提高了器件击穿电压与导通电阻之间的折衷。垂直沟道将开态电流由器件的表面引向体内降低了导通电阻,而且关态的时候耗尽的JFET区参与耐压,提高单位漂移区长度击穿电压。仿真结果表明:对于相同的10微米漂移区长度,新结构的击穿电压从常规结构的111V增大到192V,增长率为73%。(本文来源于《中国集成电路》期刊2011年12期）
王星炜[8]（2010）在《汽车智能功率集成电路低成本测试技术研究》一文中研究指出随着汽车电子的快速发展,使用高度集成的汽车智能功率集成电路的产品越来越多,对可靠性的要求也越来越严格。集成电路测试是保证集成电路性能、质量的关键手段之一。汽车电子的开发中大量使用了大功率的集成电路,为了保证其可靠性必须对较多的样品进行抗压试验,然后进行自动测试,因此既有大功率的输出功能测量,又涉及诊断通讯等数字信号验证。芯片制造商甚至终端产品的开发商必须寻求以最低的成本完成集成电路自动测试,以尽早的验证产品性能和质量,并且需要测试设备有很强的适应性可以适用于测试各种不同的大功率数模混合信号。本文首先按照汽车智能功率集成电路测试的要求介绍了整个测试系统的组成和结构,比较多种低成本测试系统的组成、性能、价格等因素。最终选用TR6850低成本测试系统进行测试。然后对汽车智能功率集成电路测试技术进行归纳,包括开关资源的合理分配,直流参数的测试,交流测试,功能测试以及DSP技术在自动测试中的应用。并将此自动测试技术应用于一款汽车级大功率输出级芯片的自动测试中。目标芯片为18通道多路负载驱动芯片,用于发动机控制应用。针对目标芯片的特性归纳了测试问题及解决方案,包括高电压测试项的测试方法；大电流测试项的测量方法；SPI接口通讯功能的测试方法；时间参数测量方法。介绍了测试硬件电路的搭建方法和相应的测试程序的编写。最后,关于进一步工作的方向进行了简要的讨论。(本文来源于《复旦大学》期刊2010-10-09）
李奎兵[9]（2006）在《智能功率集成电路中部分子电路的分析与设计》一文中研究指出随着微电子技术的进步,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(SPIC)得到了迅速发展。智能功率集成电路中的功率校正电路也随着人们对电源谐波污染的关注而逐渐成为一个重要的研究对象。现在的功率因数校正技术可以按照无源功率因数校正和有源功率因数校正来划分,前者通常只能将功率因数提高到95%,而后者可以将功率因数提高到近似为1。国际上已经出现了一些有源功率因数校正芯片,如Onsemi公司的MC33262、MC34262,ST公司的L6561、L6562,Microlinear公司的ML4812等产品。本文研究了有源功率因数校正技术中的临界导通模式的基本原理,并对其中的电压基准源和模拟乘法器做了详细的分析和设计。分析了几种电压基准源的基本原理并从中选出适合实际应用的基准源,研究了提高电源电压抑制比和高阶温度系数补偿的方法,还对实际用的基准源进行了流片后的测试及测试结果分析。对于模拟乘法器,分析了其工作原理,并设计其输入输出级使其适合设计要求。最后对版图进行了研究,给出了部分电路版图。(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-05-01）
曾家玲[10]（2005）在《智能功率集成电路双环PSM控制电路设计》一文中研究指出迄今,智能功率集成电路(SPIC)习用控制模式为恒频变宽(CFVW)的脉宽调制模式(PWM)和恒宽变频(CWVF)的脉频调制模式(PFM)。PWM调制模式的SPIC在轻载下效率较低,控制脉冲谐波峰值较大;PFM控制电路较为复杂,后续滤波器设计困难。脉冲跨周调制模式(PSM, Pulse Skip Modulation)是一种全新的调制模式,异于PWM和PFM,是一种恒宽恒频(CWCF)的调制模式。研究表明PSM能有效改善SPIC开关变换系统的效率和EMI特性,且具响应速度快,抗干扰能力强,电路易于实现等特点。本文在PSM调制理论的基础上,设计基于优化PSM调制模式的双环控制电路,主要包括以下几个方面内容:1)对PSM调制模式分别在连续和断续工作模式下的输入输出电压关系以及输出电压纹波进行研究,以期指导PSM调制模式在变换器中的应用。2)针对PSM调制模式的缺点提出一种优化的PSM调制模式,并基于能量平衡原理就其稳定性和占空比选取情况进行理论研究。3)设计基于优化PSM调制模式的双环控制电路。采用电压、电流双环路控制,根据负载情况选择合适占空比来实现稳压。4)分析一种带Sensor端LDMOS的检测端电压与功率管电压的关系,以期更好的设计高低压集成的智能功率IC。5)设计基于FPGA方案的开关电源系统,包括PSM调制、基于状态机的PSM调制、优化PSM调制的算法。并给予实验测试结果及分析。分析研究表明,本论文设计的基于优化PSM调制模式的双环控制电路提高了SPIC变换系统的效率、改善其抗干扰能力、减小输出电压纹波、避免系统进入音频范围。(本文来源于《电子科技大学》期刊2005-12-01）
智能功率集成电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文章首先介绍了智能功率集成电路及功率半导体器件;接着分析了智能功率集成技术;最后详细阐述了功率半导体器件在智能功率集成电路中的应用,主要是智能功率集成电路功能和智能功率集成电路应用等。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
智能功率集成电路论文参考文献
[1].周枭.智能功率集成电路抗辐射加固设计研究[D].电子科技大学.2019
[2].马俊.智能功率集成电路中功率半导体器件的探析[J].电脑知识与技术.2016
[3].解鸿国.智能功率集成电路中功率半导体器件的研究[J].电子技术与软件工程.2015
[4].张世峰.智能功率集成电路及高压功率器件可靠性研究[D].浙江大学.2014
[5].程骏骥.智能功率集成电路中功率半导体器件的研究[D].电子科技大学.2013
[6].胡浩.智能功率集成电路中部分模块的研究[D].电子科技大学.2011
[7].成建兵,张波,李肇基.用于智能功率集成电路的PTG-LDMOST[J].中国集成电路.2011
[8].王星炜.汽车智能功率集成电路低成本测试技术研究[D].复旦大学.2010
[9].李奎兵.智能功率集成电路中部分子电路的分析与设计[D].电子科技大学.2006
[10].曾家玲.智能功率集成电路双环PSM控制电路设计[D].电子科技大学.2005
论文知识图
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