导读:本文包含了单粒子翻转论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:粒子,效应,离子,存储器,检错,截面,氧化物。
单粒子翻转论文文献综述
姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵[1]（2019）在《电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响》一文中研究指出电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2019年03期）
高丽娟,白彩艳[2]（2019）在《静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟》一文中研究指出单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.(本文来源于《山西师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
汪波,王佳,刘伟鑫,孔泽斌,刘相全[3]（2019）在《星载ASIC芯片单粒子效应检测及在轨翻转率预估》一文中研究指出为获得某星载专用集成电路(ASIC)控制运算芯片在轨单粒子翻转率,开展了不同线性能量传递(LET)值重离子辐照试验,并根据试验结果量化评估了该芯片抗单粒子翻转效应性能并获得了单粒子翻转截面。试验结果表明不带检错纠错(EDAC)功能的ASIC芯片静态随机存取存储器(SRAM)区单粒子翻转阈值低于1.7 MeV·cm~2·mg~(-1),并随着重离子LET值增加,单粒子翻转位数迅速上升;带EDAC功能的ASIC芯片的单粒子翻转阈值为3.7 MeV·cm~2·mg~(-1)。根据试验获得的单粒子翻转截面,参考卫星飞行任务轨道参数和空间辐射环境计算得到了芯片在轨翻转率,无EDAC功能器件的在轨翻转率为1.29×10~(-6) bit~(-1)·d~(-1),有EDAC功能器件为1.19×10~(-6) bit~(-1)·d~(-1)。分析结果表明经过辐射加固后,具有EDAC功能的ASIC控制运算芯片抗单粒子效应性能可以满足卫星在轨运行要求。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年09期）
王鹏,芦浩,刘金枝,薛茜男,金志威[4]（2019）在《基于协同进化的航空高度单粒子翻转故障生成方法研究》一文中研究指出大气中子是航空高度下造成航空器机载电子系统翻转故障的主要辐射源。面对航空单粒子效应与航空高度影响关系,该文提出一种基于协同进化的单粒子翻转故障生成方法。生成的故障数据用于模拟实际中子通量随高度变化的规律,为机载电子设备单粒子效应加固和防护实验提供数据支持,同时也可以用于分析航空机组人员飞行期间所接收的中子辐射剂量。验证结果表明,该单粒子翻转故障生成方法生成故障数据与真实高度变化下单粒子失效特征吻合,能够满足器件航空单粒子效应加固测试的需求。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年16期）
高占占,钟向丽,侯鹏飞,宋宏甲,李波[5]（2019）在《2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究》一文中研究指出针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
陈傲,陈鸿飞,向宏文,于向前,施伟红[6]（2019）在《存储器空间单粒子翻转率预测》一文中研究指出根据SSO上两卫星搭载的叁个PREM测得的空间中重离子LET谱,以及利用Weibull分布模型拟合出的不同器件的σ-LET曲线,对由空间中重离子引起的单粒子翻转的翻转率进行了预测估算.将预测值与实测值对比,分析了影响翻转率的因素.对于相同器件,翻转率与设备在卫星上的位置和朝向有关.位于卫星尾部面向后退(-x)方向的翻转率高于位于底部对地(+z)方向的器件翻转率;太阳活动水平高的时间段翻转率高于太阳活动水平低的时间段.探测器接收的重离子微分LET谱的强度和硬度决定了器件的单粒子翻转率.在高于翻转LET阈值时,LET谱的强度越高,其硬度和翻转率越大.不同器件的翻转率也不相同.(本文来源于《空间科学学报》期刊2019年04期）
韦欣荣,王金华,王颖,田金超[7]（2019）在《XQR2V3000 FPGA单粒子翻转率在轨探测研究》一文中研究指出通过搭载在某MEO、IGSO轨道卫星上的单粒子探测器对XQR2V3000 FPGA配置存储器进行了在轨单粒子翻转探测。利用一种基于复位计数统计的FPGA配置存储器单粒子翻转的监测方法,并对在2016年太阳活动平静期以及2017年9月6日太阳耀斑爆发期的2颗MEO卫星以及1颗IGSO卫星的XQR2V3000 FPGA配置存储器单粒子翻转次数进行统计,依据卫星轨道根数获得了翻转事件的空间分布。结果表明,在太阳平静期,设备等效铝屏蔽厚度为6 mm的情况下,处于MEO轨道和IGSO轨道的XQR2V3000配置存储器单粒子翻转率分别为0. 513次/(器件·天)和0. 491次/(器件·天),分别为CREME96模型预测结果的22. 4%和16. 9%,两种轨道的翻转率相当。在太阳耀斑爆发期间,MEO与IGSO轨道单粒子翻转率分别上升为2. 5次/(器件·天)和5次/(器件·天),比平静期高了一个数量级。试验所得的单粒子翻转率可为相同轨道卫星电子设备单粒子翻转率的预示提供有效的参考。(本文来源于《宇航学报》期刊2019年06期）
黄正峰,张阳阳,李雪健,付俊超,徐秀敏[8]（2019）在《一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计》一文中研究指出文章提出了一种新型的锁存器,采用双模冗余容错技术,能够同时容忍单粒子单节点翻转和单粒子双节点翻转。相比于同类型的加固设计,文中设计的结构延迟平均下降74.40%,功耗平均下降8.32%,功耗-延迟积(power-delay product,PDP)平均下降75.20%,面积平均减少15.76%;而且该锁存器的延迟对工艺、供电电压及温度的波动不敏感。(本文来源于《合肥工业大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
张敏,孟令军,王志国,张皓威[9]（2019）在《单粒子翻转效应及加固技术的测试研究》一文中研究指出针对高能粒子入射半导体材料引发的辐射效应,从实验平台的设计对地面辐射试验进行了研究。通过对单粒子翻转效应的分析,完成评估方式的制定。实验平台通过建立数据采集系统、数据分析系统,同时考察4种SRAM型的FPGA芯片在不同辐射源以及不同强度下对单粒子产生的影响。通过辐照试验,验证了试验方法、试验系统的有效性和可靠性,并掌握了试验数据的处理方法。实验结果表明,在高强度的辐照下,单粒子翻转效应显着增多,需要采取防护措施及时修正,对FPGA芯片的使用以及选型具有参考价值。(本文来源于《电子测量技术》期刊2019年02期）
汪波,王立恒,刘伟鑫,孔泽斌,李豫东[10]（2019）在《8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理》一文中研究指出针对卫星轨道上空间辐射环境引起的光学相机性能退化问题,采用8晶体管(8T)-全局曝光互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器进行重离子辐照实验。实验结果显示,不同功能模块寄存器发生单粒子翻转,导致输出图像出现不同的异常模式,主要表现为输出图像"卡零"、若干相邻列输出异常、整幅图像"花屏"等。结合器件的不同子电路功能、工艺结构和工作原理,分析重离子入射器件微观作用过程对宏观图像异常模式的影响,深入探讨器件不同功能模块单粒子翻转的敏感性和损伤机理。研究结果可为CMOS图像传感器加固设计、单粒子地面模拟实验方法及标准和评估技术的建立提供重要参考。(本文来源于《光学学报》期刊2019年05期）
单粒子翻转论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单粒子翻转论文参考文献
[1].姬庆刚,刘杰,李东青,刘天奇,叶兵.电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响[J].原子核物理评论.2019
[2].高丽娟,白彩艳.静态随机存储器单粒子翻转效应截面的蒙特卡罗模拟[J].山西师范大学学报(自然科学版).2019
[3].汪波,王佳,刘伟鑫,孔泽斌,刘相全.星载ASIC芯片单粒子效应检测及在轨翻转率预估[J].半导体技术.2019
[4].王鹏,芦浩,刘金枝,薛茜男,金志威.基于协同进化的航空高度单粒子翻转故障生成方法研究[J].现代电子技术.2019
[5].高占占,钟向丽,侯鹏飞,宋宏甲,李波.2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[6].陈傲,陈鸿飞,向宏文,于向前,施伟红.存储器空间单粒子翻转率预测[J].空间科学学报.2019
[7].韦欣荣,王金华,王颖,田金超.XQR2V3000FPGA单粒子翻转率在轨探测研究[J].宇航学报.2019
[8].黄正峰,张阳阳,李雪健,付俊超,徐秀敏.一种容忍单粒子双节点翻转的锁存器设计[J].合肥工业大学学报(自然科学版).2019
[9].张敏,孟令军,王志国,张皓威.单粒子翻转效应及加固技术的测试研究[J].电子测量技术.2019
[10].汪波,王立恒,刘伟鑫,孔泽斌,李豫东.8T-全局曝光CMOS图像传感器单粒子翻转及损伤机理[J].光学学报.2019
论文知识图
