Cu2Sn（S,Se）3薄膜的溶液法制备及其光电性能研究

论文摘要

采用低廉、简便及易于控制元素组成的溶液法在钠钙玻璃和钼玻璃基底上沉积Cu-Sn-S前驱体膜,随后在N2保护下硒化获得到Cu2Sn（S,Se）3薄膜,并通过调控前驱薄膜的硒化退火温度,实现了对薄膜形貌、物相结构、电学及光学性能的有效调制.研究结果表明,适当的硒化退火温度,如480℃,可得到表面平整、结晶度高、晶粒致密和双层结构（上层大、下层小晶粒）的Cu2Sn（S,Se）3薄膜,其带隙为1.28 eV,载流子浓度可低至6.780×1017cm-3,迁移率高达18.19 cm2·V-1·S-1,可用于薄膜太阳能电池的光吸收层.

论文目录

• 1 实验
• 2 结果与讨论
•   2.1 薄膜形貌分析
•   2.2 物相结构分析
•   2.3 光学性能测试
•   2.4 电学性能测试
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 陈建彪,常乐,赵雲,李燕,王成伟

关键词: 薄膜,溶液法,硒化温度

来源: 西北师范大学学报(自然科学版) 2019年02期

年度: 2019

分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备,电力工业

单位: 西北师范大学物理与电子工程学院,中国科学院兰州化学物理研究所清洁能源实验室

基金: 国家自然科学基金资助项目(11864035,11364036,11464041)

分类号: TM914.4;TB383.2

DOI: 10.16783/j.cnki.nwnuz.2019.02.010

页码: 50-54

总页数: 5

文件大小: 1202K

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