导读:本文包含了薄外延论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:外延,电压,基极,电场,多孔,刚玉,蓝宝石。
薄外延论文文献综述
韩兆芳,谢达,乔艳敏[1]（2016）在《薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系》一文中研究指出CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。(本文来源于《电子与封装》期刊2016年08期）
李琦,张波,李肇基[2]（2007）在《薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型》一文中研究指出提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的RESURF判据。解析结果、MEDICI数值结果和实验结果吻合较好,验证了模型的准确性。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2007年04期）
乔明,肖志强,方健,郑欣,周贤达[3]（2007）在《基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺(英文)》一文中研究指出针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LD-MOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年11期）
郑欣,方健[4]（2006）在《薄外延P埋层双RESURF LDMOS仿真设计》一文中研究指出利用数值模拟仿真,本文设计了基于薄外延的P埋层双RESURF LDMOS。与传统单RESURF LDMOS相比,改善了器件的表面电场分布,降低了导通电阻,提高了器件的可靠性。并在标准CMOS工艺的基础上,仿真优化了900V高压工艺,省去了传统厚外延功率器件以及高压集成电路所必须的隔离扩散,减少了工艺步骤,与标准CMOS工艺更为兼容。(本文来源于《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集》期刊2006-12-01）
李琦,李肇基,张波[5]（2006）在《薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型》一文中研究指出提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结构参数的关系,其解析结果与数值结果吻合较好。在相同长度下,阶梯掺杂漂移区结构(n=3)击穿电压由均匀漂移区(n=1)的200 V提高到250 V,增加25%。该模型可用于薄外延阶梯掺杂和线性掺杂漂移区RESURF器件的设计优化。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2006年01期）
竺士炀,李爱珍,黄宜平[6]（2001）在《用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术(英文)》一文中研究指出采用在阳极化反应时改变电流强度的办法 ,在高掺杂的 P型硅 (111)衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层 .用超高真空电子束蒸发技术在多孔硅表面外延生长了一层高质量的单晶硅膜 .在室温下 ,该外延硅片同另一生长有热二氧化硅的硅片键合在一起 ,在随后的热处理过程中 ,键合对可在多孔硅处裂开 ,从而使外延的单晶硅膜转移到具有二氧化硅的衬底上以形成 SOI结构 .扫描电镜、剖面投射电镜、扩展电阻和霍尔测试表明 SOI样品具有较好的结构和电学性能(本文来源于《半导体学报》期刊2001年12期）
蔡希介,陈庆贵,史日华,王其闵[7]（1984）在《透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度》一文中研究指出利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射法相同.(本文来源于《应用科学学报》期刊1984年02期）
孙金坛,付兴华[8]（1982）在《薄外延集成电路的寄生PNP效应》一文中研究指出本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发,求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。结果指出,在薄外延条件下,寄生PNP效应严重,即使采用掺金工艺,寄生PNP效应也不能忽略不计。消除其影响的最好办法是使用SBD箱位。(本文来源于《合肥工业大学学报》期刊1982年02期）
薄外延论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,得到器件优化的RESURF判据。解析结果、MEDICI数值结果和实验结果吻合较好,验证了模型的准确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄外延论文参考文献
[1].韩兆芳,谢达,乔艳敏.薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系[J].电子与封装.2016
[2].李琦,张波,李肇基.薄外延层RESURFLDMOS完全耐压模型[J].固体电子学研究与进展.2007
[3].乔明,肖志强,方健,郑欣,周贤达.基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺(英文)[J].半导体学报.2007
[4].郑欣,方健.薄外延P埋层双RESURFLDMOS仿真设计[C].四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集.2006
[5].李琦,李肇基,张波.薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型[J].固体电子学研究与进展.2006
[6].竺士炀,李爱珍,黄宜平.用于制备SOI材料的基于硅片键合和双层多孔硅剥离的薄外延硅膜转移技术(英文)[J].半导体学报.2001
[7].蔡希介,陈庆贵,史日华,王其闵.透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度[J].应用科学学报.1984
[8].孙金坛,付兴华.薄外延集成电路的寄生PNP效应[J].合肥工业大学学报.1982
论文知识图
