论文摘要
通过功率外壳金硅(AuSi)焊接失效案例,研究了铜-钼铜-铜(CPC)、铜-钼-铜(CMC)为热沉材料的功率外壳镀覆工艺,包括在CPC(或CMC)材料无氧铜表面高温重新形成晶格,采用外延生长型NiCo/Au替代Ni/Au镀层。镀覆工艺优化后,功率外壳金锡(AuSn)或AuSi芯片焊接可靠性得到了显著改善。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 谢新根,程凯,李鑫,孙林
关键词: 功率外壳,金锡,金硅,晶格,外延生长,镍钴
来源: 固体电子学研究与进展 2019年02期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 金属学及金属工艺,无线电电子学
单位: 南京电子器件研究所
分类号: TN12;TG44
DOI: 10.19623/j.cnki.rpsse.2019.02.014
页码: 144-149
总页数: 6
文件大小: 5407K
下载量: 125
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