耦合封装论文_张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵

导读:本文包含了耦合封装论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:耦合器,潜热,光电,变流器,模型,有限元,蓄热。

耦合封装论文文献综述

张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵[1](2019)在《压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述》一文中研究指出压接型绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolar transistor,IGBT)器件相对传统焊接式IGBT模块而言具有功率密度大、可靠性高、易于串联和失效短路等优点,现已逐步应用到高压直流输电等高压大功率应用场合。在压接型IGBT器件中,各组件通过外施压力堆迭在一起形成电学和热学接触,内部除温度场和电磁场外,还需考虑应力场的作用,各场通过耦合变量形成联系,构成了一个复杂、非线性的多物理场耦合问题,给建模与计算带来了巨大挑战。该文对近年来国内外压接型IGBT器件多物理场耦合问题的研究现状进行综述,建立多物理场问题的数学描述,并梳理考虑多子模组相互作用的耦合关系,提炼多物理场耦合问题中的难点,即耦合关系的建模及对比分析、多物理场耦合问题的准确描述与简化及多物理场耦合算法的改善等。文中针对这些难点,在总结现有研究成果的基础上,指出今后需要深入研究的重点问题,借鉴相关领域研究成果,给出可能的解决方案。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2019年21期)

颜科,张帆,仲顺顺,舒斌,戚媛婧[2](2019)在《双向光收发组件探测器端耦合和封装工艺分析》一文中研究指出探测器响应度直接影响双向光收发组件(bi-directional optical sub-assembly,BOSA)的性能,探测器端的耦合和封装在BOSA生产中占据重要地位。为了系统分析BOSA生产中各偏移因素对探测器端耦合的影响,选择探测器电流响应度作为耦合标准进行实验,并通过分析实验结果来得出BOSA探测器端耦合和封装过程中的改进措施。参考BOSA的实际光路,建立光纤-波片-芯片耦合模型,模拟了光束偏移与耦合效率的关系;研究了BOSA耦合和封装工艺中产生的偏移,并分析它们对探测器端耦合效率的影响。随后使用自动耦合设备,对BOSA探测器端进行耦合实验,并分析波片角度偏移、波片与探测器透镜的高度差、探测器透镜水平偏移对耦合效率的影响。实验结果表明:探测器透镜水平偏移对耦合效率的影响最大,波片角度偏移、波片与探测器透镜的高度差对耦合效率的影响较小。研究结果为BOSA探测器端的耦合和封装提供了系统的理论指导,对BOSA的实际生产有一定参考价值。(本文来源于《工程设计学报》期刊2019年03期)

杨海[3](2019)在《耦合热管的圆柱形封装相变胶囊蓄放热特性的数值研究》一文中研究指出填充床式相变蓄热器由于具有运行效率高、占地面积小、结构简单以及经济性好的优势,正日益受到国内外学术界和工业界的广泛关注。然而,由于相变材料的低导热系数,使得相变蓄热系统的蓄/放热时间较长。因此,在对比分析目前强化换热的主要技术手段的基础上,本研究针对采用热管技术强化填充床内部的传热过程进行了数值分析。本文采用ANSYS Fluent软件建立叁维瞬态模型,基于集总热阻网络法(热管模型)与焓-多孔介质法(相变模型)相结合的方法分析了换热流体流动状态、热管耦合长度、换热流体种类以及发展中流动对单EPCM-HP单元蓄、放热过程的影响特性。并对发展中流动下多EPCM-HP单元阵列排布方式(顺排、叉排)对蓄/放热特性的影响进行了数值分析。在单个EPCM-HP单元的蓄热过程中,耦合热管时单元总融化时长可缩短约11.26%。换热流体流动状态对EPCM-HP单元蓄热过程影响较大。层流时EPCM-HP单元总融化时间是紊流流态下总融化时长的十多倍,且紊流中流线分布的对称性较差。随着热管耦合长度的增加,EPCM-HP单元的总融化时长减少,但其强化效果并不显着。换热流体为Therminol/VP-1导热油时单元总融化时长(1115 s)小于空气(2021 s),但当换热流体为空气时热管对单元蓄热过程的强化换热效果更加显着。与充分发展流动相比,发展中流动可缩短EPCM-HP单元融化时长约9.58%。在单EPCM-HP单元的放热过程中,耦合热管可缩短单元放热时间约13.25%;紊流流态下EPCM-HP单元总放热时间(2140 s)缩短至层流流态(11230 s)下的1/5。热管对单元放热过程的强化效果随热管耦合长度的增加而显着增加,25 mm、35 mm以及45 mm的耦合长度可分别缩短单元的放热时间约13.25%、27.04%以及42.44%。采用Therminol/VP-1导热油时单元总放热时长(4630 s)小于空气(7362 s),但采用空气时热管的强化效果更加显着。发展中流动对单元放热过程影响较小。此外,本文分析了发展中流动下多EPCM-HP单元阵列的排布(顺排、叉排)对蓄、放热特性的影响。结果表明,单元的叉排布置可明显增加换热流体与单元间的扰动,强化了热量传递过程,缩短了单元的蓄、放热时长。在叉排模型中,第二、四排单元的液相分数、温度以及蓄、放热量的变化均呈现交替增减的趋势。本文结果可为填充床系统内EPCM-HP单元的设计及应用提供参考。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-05-01)

于思佳,陈善圣,苏德淇,沈志鹏,张元祥[4](2019)在《3D堆迭封装硅通孔结构的电-热-结构耦合分析》一文中研究指出硅通孔(TSV)技术作为叁维封装的关键技术,其可靠性问题受到广泛的关注。基于ANSYS平台,通过有限元方法,对3D堆迭封装的TSV模型进行了电-热-结构耦合分析,并进一步研究了不同的通孔直径、通孔高度以及介质隔离层SiO_2厚度对TSV通孔的电流密度、温度场及热应力分布的影响。结果表明:在TSV/微凸点界面的拐角处存在较大的电流密度和等效应力,容易引起TSV结构的失效;增大通孔直径、减小通孔长度可以提高TSV结构的电-热-机械可靠性;随着SiO_2层厚度的增加,通孔的最大电流密度增大而最大等效应力减小,需要综合考虑合理选择SiO_2层厚度。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2019年04期)

石晶晶,黄晓东,朱明,刘文[5](2019)在《针对MEMS水声传感器封装的声振耦合仿真技术研究》一文中研究指出提出了一种针对MEMS矢量水声传感器封装结构的声振耦合仿真技术,以揭示传感器封装对带宽、灵敏度等关键性能的影响和规律以及传感器在水下的声场分布情况。建立传感器封装水下仿真模型,分析封装结构对传感器带宽及灵敏度的影响。并研究封装内外的声场空间分布规律,得到声源信号透过封装后的衰减损失约为0.5 dB。比较封装材料对传感器性能的影响,得出传感器的带宽和灵敏度为一对固有矛盾的结论,为优化传感器封装设计提供理论指导。(本文来源于《电子器件》期刊2019年01期)

段杨杨,谭伟,李兰侠,蒋小娟,刘红杰[6](2018)在《光电耦合器封装用环氧塑封料的制备》一文中研究指出主要对光电耦合器用环氧模塑料的配方进行了研究。设计环氧塑封料配方体系,采用钛白粉作为反光填料,经高速混合机混合、双螺杆挤出机挤出,对光电耦合器封装用环氧模塑料的工艺流程进行了实验,获得较佳的工艺条件;以邻甲酚醛环氧树脂为基体树脂,以硅微粉和钛白粉为无机填料,采用正交实验法对光电耦合器封装用环氧模塑料进行了优化,获得了较优配方。制备了适合光电耦合器用的环氧模塑料。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2018年05期)

张力[7](2018)在《叁维芯片堆迭封装中的电感耦合互连技术研究》一文中研究指出随着摩尔定律的不断延伸,CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)工艺器件的尺寸越来越小,集成电路芯片具有了更高的的集成度。但当器件的尺寸来到了深亚微米尺度,进一步缩小的难度越来越大,芯片设计的研究开始朝着叁维方向发展,出现了芯片堆迭封装技术。电感耦合互连是一种应用于芯片堆迭封装中的无线互连技术,相对于传统的硅通孔(TSV,Through Silicon Via)互连、Micro-Bump互连等有线互连方式,它有着成本低、兼容性高、灵活性高等优点。但是,电感耦合互连技术也存在着功耗大、电感间会产生串扰、电感占用面积较大等问题,亟待进一步的研究完善。而且由于电感耦合互连出现的时间较短,在有许多场景下的应用需要从头开始设计。本文以电感耦合互连的实际应用为研究对象,对电感耦合的物理模型进行了分析,对电感耦合互连的收发电路,以及相关应用设计所面临的一些实际问题进行了细致探讨。主要内容包含以下几个方面:在片上耦合电感的基础物理特性方面,首先给出了包含串联电感、串联电阻和并联电容的模型,对Greenhouse算法进行了改进,使之可以快速准确的计算片上多层电感的感值。然后由片上电感的模型导出了电感耦合的等效电路模型,得到了电感耦合的传递函数和时/频域特性。在互感的计算上,基于Biot-Savart定律推导出了一个关于电感直径、垂直距离和对准偏移的计算公式,可以快速直观地评估不同尺寸、不同位置下电感间互感的变化。进一步用互感计算的结果,对电感耦合串扰进行计算分析,并设计了实验对其验证。在电路层面上,对电感耦合互连的收发电路进行了低功耗方面的设计。对传统的NRZ(Non return-to-zero)异步收发电路进行了介绍,得到其功耗过大的原因是其电流恒定。电流脉冲调制可以降低电流信号的占空比,进而降低功耗。在NRZ和BPM(Bi-phase modulation)两种脉冲调制的基础上,提出了UPM(Uni-pulse modulation)调制电路,降低功耗的同时,由于其信号脉冲的单一性,电感间的串扰也得到了有效的减弱。提出了适用于UPM调制的电感级联的工作方式,通过多个电感通道的串联合用一股电流来进一步降低功耗,采用了两种电路来实现,其中V型电路的功耗降低程度较大,而H型电路具有更好的频率特性。在应用方面,对电感耦合互连在多层堆迭芯片中的连续传输方式进行了设计。电感耦合互连的连续传输,要在使用电感数量尽量少的情况下,保证不同层次之间互不干扰,我们为此提出了两种连续传输路径——带屏蔽层的双电感路径和不带屏蔽层的叁电感路径,对其工作方式和特点进行了介绍;然后对相应的芯片堆迭结构提出了叁种方案。针对多层堆迭的存储器芯片,提出了使用有限状态机的片选方式,可以减少使用芯片Pad和引线的数量,并且介绍了使用电感耦合互连作为存储器接口的时序控制方式,使之与传统存储器控制电路兼容。最后,对采用电感耦合互连的片上网络进行了初步的研究。使用电感耦合互连构造片上网络,最大的优点就是可以利用其封装操作的灵活性,根据需求在网络中添加、删除和替换芯片(节点)。首先提出了构造单向环路网络的方法,然后在它的基础上,利用电感耦合收发器可以改变收发模式的特点,将其扩展成为双向环路网络,可以在一个周期内动态地改变链路的通信方向,从而达到降低延迟的目的。然后,将虚通道流控和气泡流控两种流控机制应用在环路网络上,在延迟、吞吐量、硬件面积开销和应用性能四个方面比较它们的性能。(本文来源于《华中科技大学》期刊2018-08-01)

袁讯[8](2018)在《功率模块的耦合热网络模型和封装参数的优化研究》一文中研究指出功率器件的快速发展使其广泛应用在航天、风电、电动汽车等领域中,然而越来越高的功率密度以及恶劣的运行环境等对功率器件的可靠性带来了巨大的挑战。模块在运行过程中产生的功率损耗使模块处于循环波动的温度下,随之产生交变的热应力使得模块内各层材料受到挤压或者拉伸,长期运行下导致模块失效。因此,有必要对运行状态下模块的结温进行估测,这样一方面可以采取措施使模块工作在安全的温度范围内,另一方面可以进行模块的结温优化。随着功率模块功率密度的增大,芯片之间的距离越来越近,模块工作时,芯片的温度会相互影响,这会造成模块温度进一步的增大。即模块的结温不仅包括自身损耗产生的热量也会受到来自其他芯片的热影响。然而,传统热网络模型未考虑到芯片之间的热影响作用,使用传统热网络模型对芯片温度进行预测将会得到较低的温度,使结温预测产生较大的误差,有必要建立新的热网络模型以精确的获取功率模块的结温。因此本文首先分析模块内热传导情况,基于模块内热的横向传导分析热交叉耦合作用的机理,并根据单芯片工作时其他芯片受到的温度影响建立交叉耦合热网络模型,进而通过有限元仿真获取模型中的热阻、热容参数。并且对交叉耦合热网络模型、传统热网络模型以及有限元模型获取的平均结温情况进行对比。然后基于所提出的交叉耦合热网络模型搭建关于有源负载电路的电热耦合模型,进行不同运行条件下芯片温度的预测,同时搭建有源负载实验平台进行模型的验证。进一步地,分别基于传统模型以及交叉耦合热网络模型搭建关于叁相电机的电热耦合模型,来模拟汽车运行在美国城市循环工况(UDDS)时,变流器用功率模块的结温情况,并进行模块的损伤估计以及寿命预测,以研究耦合模型对模块寿命的影响。最后利用有限元仿真软件对功率模块热阻以及工作时受到的热应力进行分析,以进行模块封装参数的优化。对比优化前、后的模块在UDDS汽车运行工况下的结温可见,优化后的模块可以得到较小的芯片温度,从而在一定程度上提高模块的可靠性。(本文来源于《华南理工大学》期刊2018-06-06)

刘自转,张灿云,邹军,杨波波,石明明[9](2018)在《双色荧光粉封装3014器件的光谱耦合特性及其性能》一文中研究指出以Lu_(2.54)Y_(0.4)Al_5O_(12):0.06Ce绿色荧光粉和Sr_(0.65)Ca_(0.35)AlSiN_3:0.05Eu红色荧光粉为研究源,通过研究不同质量比的双色荧光粉封装的3014器件的发光光谱及其光效、色坐标、色温和显色指数,得出双色荧光粉封装3014器件的光谱耦合规律为:每组质量比封装的3014器件的色坐标在CIE图上的落点分布情况均可描绘出一条曲线,其与黑体辐射线有唯一的交点即为该3014器件对应的色温。封装的3014器件的显色指数均大于80,光效大于100 lm/W,满足市场需求。(本文来源于《照明工程学报》期刊2018年02期)

张鹏[10](2017)在《四通道表贴金属陶瓷封装光电耦合器研制》一文中研究指出武器装备信息化是应对国际安全局势恶化、调整国际秩序、加深大国博弈,实现和平发展的必要防御手段,而电子元器件作为基础单元、核心单元,其综合性能指标提高一直备受研究者关注,高性能产品核心制造技术一直为欧美等国家把持并对我国实行严格禁运,以遏制我国航天事业的发展。高质量光电耦合器就是其中之一。本论文针对武器装备应用的高质量、高性能、高可靠性、强抗电磁干扰能力、小型化等需求,设计了一种小型化四通道表面贴装式高质量等级的光电耦合器封装结构,并进行了深入的工艺研究和实验,主要工作包括:1、在分析了光电耦合器的结构、工作原理、参数需求和物理限制的基础上,在深入理解半导体芯片工作机理的前提下,设计了面向高性能要求的光电耦合器封装结构,采用四通道各自独立,在物理上相互隔离,彻底避免多路光信号间的互扰,为最大限度发掘芯片优势、减小寄生效应影响和干扰,提高器件可靠性奠定了基础。2、在确定了封装结构的基础上,针对工业级同类产品性能只能满足常规环境下的使用要求,工作温度范围小,最高工作温度较低(100℃);抗冲击能力弱,经受不住随机频率的振动和较大加速度的应力冲击;环境适应性差,在高温高湿、有盐气等腐蚀性环境的情况下,寿命较短;长期储存后电参数性能指标下降等问题,精心选配封装材料,不断优化和改进封装工艺,实现了高可靠性的封装。3、为实现规模生产,在完成关键工艺开发后形成了最优化的工艺基线,完成了设计文件、工艺文件、检验文件的固化,实现小批量生产,并对生产的产品进行了可靠性考核,结果显示,所研发的光电耦合器满足军用质量等级的需求,实现了小型化四通道光电耦合器的国产化,打破了国外对此种器件的禁运,在武器装备的生产研制上,实现了自主可控。(本文来源于《北京工业大学》期刊2017-06-22)

耦合封装论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

探测器响应度直接影响双向光收发组件(bi-directional optical sub-assembly,BOSA)的性能,探测器端的耦合和封装在BOSA生产中占据重要地位。为了系统分析BOSA生产中各偏移因素对探测器端耦合的影响,选择探测器电流响应度作为耦合标准进行实验,并通过分析实验结果来得出BOSA探测器端耦合和封装过程中的改进措施。参考BOSA的实际光路,建立光纤-波片-芯片耦合模型,模拟了光束偏移与耦合效率的关系;研究了BOSA耦合和封装工艺中产生的偏移,并分析它们对探测器端耦合效率的影响。随后使用自动耦合设备,对BOSA探测器端进行耦合实验,并分析波片角度偏移、波片与探测器透镜的高度差、探测器透镜水平偏移对耦合效率的影响。实验结果表明:探测器透镜水平偏移对耦合效率的影响最大,波片角度偏移、波片与探测器透镜的高度差对耦合效率的影响较小。研究结果为BOSA探测器端的耦合和封装提供了系统的理论指导,对BOSA的实际生产有一定参考价值。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

耦合封装论文参考文献

[1].张一鸣,邓二平,赵志斌,崔翔,唐新灵.压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述[J].中国电机工程学报.2019

[2].颜科,张帆,仲顺顺,舒斌,戚媛婧.双向光收发组件探测器端耦合和封装工艺分析[J].工程设计学报.2019

[3].杨海.耦合热管的圆柱形封装相变胶囊蓄放热特性的数值研究[D].北京交通大学.2019

[4].于思佳,陈善圣,苏德淇,沈志鹏,张元祥.3D堆迭封装硅通孔结构的电-热-结构耦合分析[J].电子元件与材料.2019

[5].石晶晶,黄晓东,朱明,刘文.针对MEMS水声传感器封装的声振耦合仿真技术研究[J].电子器件.2019

[6].段杨杨,谭伟,李兰侠,蒋小娟,刘红杰.光电耦合器封装用环氧塑封料的制备[J].电子工业专用设备.2018

[7].张力.叁维芯片堆迭封装中的电感耦合互连技术研究[D].华中科技大学.2018

[8].袁讯.功率模块的耦合热网络模型和封装参数的优化研究[D].华南理工大学.2018

[9].刘自转,张灿云,邹军,杨波波,石明明.双色荧光粉封装3014器件的光谱耦合特性及其性能[J].照明工程学报.2018

[10].张鹏.四通道表贴金属陶瓷封装光电耦合器研制[D].北京工业大学.2017

论文知识图

该MEMS型外腔可调谐激光器的祸合封装...电桥耦合器的仿真模型电桥耦合器的引脚示意图波导自然解理的端面SEM照片器件抛光后的波导端面显微镜照片几种常用的半导体激光器(a)C-moun...

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