导读:本文包含了持续光电导论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Ag,ZnO纳米棒阵列膜,时域光电流,光电响应,光电弛豫
持续光电导论文文献综述
童彩豪,鲁林芝,姜晓彤,谢长生[1]（2019）在《Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜的光电响应和持续光电导的调控》一文中研究指出通过两步法合成了表面修饰Ag纳米颗粒的ZnO纳米棒阵列膜,并检测了该纳米棒阵列膜在波长为365 nm的紫外光照下的时域光电流曲线。与纯ZnO纳米棒阵列膜相比,Ag纳米颗粒修饰后ZnO纳米棒阵列膜在光电响应阶段有更大的响应值,最大达到7 490,约为纯ZnO纳米棒阵列膜响应值的50倍。而且,Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜弛豫阶段呈现的持续光电导(PPC)效应有很好的调控作用。相同恢复时间内,纯ZnO纳米棒阵列膜光电流恢复效率为25%,Ag纳米颗粒修饰后达到87%。Ag浓度越大,持续光电导(PPC)效应越不明显,这个现象使得通过简单改变表面Ag纳米颗粒的浓度来调控ZnO纳米棒阵列膜的PPC效应成为可能。(本文来源于《功能材料》期刊2019年11期）
刀流云,张子涛,肖煜同,张明昊,王帅[2]（2019）在《光电协同增强的场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面中持续光电导的调控》一文中研究指出LaAlO_3/SrTiO_3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研究的热点之一.本文研究了场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面光电导效应的调控,发现光电协同增强的场效应可以使得LaAlO_3/SrTiO_3界面产生显着的持续光电导效应,进一步研究发现:在光电协同效应的影响下,随着负的背栅门电压的增加,持续光电导的数值增大,在-70 V附近达到极值;随着负的背栅门电压处理时间的增加,持续光电导的数值单调增加.LaAlO_3/SrTiO_3异质结中这种场增强的持续光电导效应可为多参数可调的光电子记忆器件的研发提供参考依据.(本文来源于《物理学报》期刊2019年06期）
何鹏,幸代鹏,周瑶,何月,曾慧中[3]（2018）在《Ar~+轰击SrTiO_3表面的持续光电导现象》一文中研究指出持续光电导现象在光电器件中有着潜在的应用。采用亚禁带光激发手段研究了SrTiO_3表面的持续光电导效应。Ar+轰击后的SrTiO_3单晶可以形成具有光电效应的表面导电层。在温度80 K至300 K范围内,饱和光电导与激光功率强度之间呈现幂律规律,表现出带间陷阱复合的特征。激光辐照中止后,持续光电导的衰减时间达到1000 s以上。光电流的衰减符合扩展指数律,弥散参数β维持在0.2左右,基本不随温度改变,而特征时间τ随温度升高从49.6 s增加到2706 s;在低温区(80~150 K)的载流子复合势垒是7.1 meV,而在室温附近(150~300K)的载流子复合势垒增加到95 meV。这些特征表明Ar~+轰击SrTiO_3表面的光电导在衰减过程符合随机局部势能涨落模型,在低温时由浅能级陷阱的复合占主导,而在室温时则由深能级陷阱的复合占主导。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年04期）
王立伟[4]（2014）在《III-V族半导体材料的电化学C-V表征及GaN基光导器件的持续光电导研究》一文中研究指出III-V族直接带隙半导体化合物在光电探测器领域具有非常广泛的应用。由于GaN基宽禁带半导体材料具有化学性质稳定、直接带隙及带隙可调范围大等特点，使其在高功率、高频电子器件以及发光器件、紫外探测器方面具有广阔的应用范围。同时，由于GaN基紫外光电探测器在小于365nm紫外波段具有锐利可调的截止响应特性，响应波长范围可以从365nm(禁带宽度3.4eV的GaN)变到200nm (禁带宽度6.2eV的AlN)，具有在不受长波长辐射的影响下探测日盲区（240-280nm）的特性，因而成为紫外探测器的重要发展方向。但是GaN基薄膜材料由于存在着高浓度的深能级缺陷，导致由其制成的光导器件中存在着持续光电导现象，阻碍了GaN基光导器件的实际应用。另外，在用于短波红外探测器的材料中，由于InGaAs材料具有良好的材料特性和成熟的外延工艺，使得InP基InGaAs材料在红外探测器中得到广泛的应用。半导体材料的载流子浓度是决定半导体器件性能的关键性因素之一，本文先对III-V族半导体材料中应用十分广泛的InP基材料和GaN基材料的载流子浓度纵向分布进行了电化学C-V测试；然后针对GaN基光导器件中存在的持续光电导现象，设计了GaN基超晶格材料结构，制备了GaN基日盲紫外超晶格光导器件，并对其持续光电导现象进行了深入研究。首先，对InP基材料和GaN基材料载流子浓度的纵向分布进行了电化学C-V表征，发现电化学C-V方法在对多层材料的载流子浓度纵向分布进行分析时，所测的每一层厚度与设计值有所偏差，并且当载流子浓度纵向分布由高至低梯度变化时，所测得载流子浓度与设计值有较大差异。为了准确表征多层材料的载流子浓度及其每一层的厚度，可以用扫描电容显微镜和扫描开尔文探针显微镜对多层材料的载流子浓度及其每一层的厚度进行表征，可以准确得到每一层的厚度，但是只能得到载流子浓度的数量级；因此本文在对高载流子浓度的表层测试完后，手动腐蚀掉表层，再进行电化学C-V测试，得到了每一层的载流子浓度，最后实现了对半导体材料载流子浓度纵向分布的较为准确的测试。其次，对GaN基光导器件的持续光电导现象产生机制及其国内外研究现状进行了调研，并设计了GaN基超晶格材料结构，超晶格材料中两种不同Al组分AlxGa1-xN交替生长，针对日盲波段(240-280nm)设计的Al组分x分别为0.65和0.42，每一层厚度为5nm，总共20个周期。对该GaN基超晶格材料进行透射光谱测试，其吸收边位于日盲波段，符合设计要求。最后，制备了GaN基日盲紫外超晶格光导器件，对该光导器件持续光电导的电场效应和热效应进行了深入研究。对该光导器件的响应光谱进了测试和分析，发现该光导器件在日盲波段(240-280nm)响应率较大，在245nm处响应率最大；对该光导器件的持续光电导的电场效应进行了测试和分析，发现在光导器件持续光电导衰减过程中，对其加一个高偏压，会使电流降到一个比初始电流还低的值。在一定范围内，所加偏压越高，时间越长，电流降得越低；对该光导器件的持续光电导的温度效应进行了测试和分析，发现温度越高，持续光电导衰减得越快。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）》期刊2014-05-01）
苏志国,许金通,陈俊,李向阳,刘骥[5]（2007）在《非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象》一文中研究指出研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年06期）
邓冬梅,吴春瑜,王金延,文正,郝一龙[6]（2006）在《金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文)》一文中研究指出通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响。基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2006年S2期）
李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明[7]（2005）在《GaN外延材料中持续光电导的光淬灭》一文中研究指出研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭 .实验发现 ,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN ;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化 ,后者却明显减小 ;稍后再次加淬灭光 ,前者的持续光电导仍无变化 ,而后者却明显增加 .作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关 ,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程 ;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱 (杂质能级 )和空穴陷阱共同作用的结果 ,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位 .(本文来源于《半导体学报》期刊2005年02期）
张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明[8]（2003）在《立方相GaN的持续光电导》一文中研究指出研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .(本文来源于《半导体学报》期刊2003年01期）
汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度[9]（1999）在《N型GaN的持续光电导》一文中研究指出本文报道了金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导（ＰｅｒｓｉｓｔｅｎｔＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ——ＰＰＣ）．在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为．实验结果表明，未人为掺杂和掺Ｓｉｎ－ＧａＮ的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是ＶＧａ空位、ＮＧａ反位或者ＶＧａ－ＳｉＧａ络合物．和未人为掺杂样品Ａ相比，样品Ｂ中因Ｓｉ的并入导致ＧａＮ中的深能级缺陷增加，提高了ＧａＮ中黄光发射，使持续光电导衰变减慢，但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系．随测量温度的增加，持续光电导衰变加快，衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合．(本文来源于《半导体学报》期刊1999年05期）
黄寿欣,刘泰山,吴曼瑛[10]（1993）在《室温下α-Si∶H的持续光电导》一文中研究指出室温下光电导的衰减是个复杂过程,首先是迅速衰减的光电导(P.C)过程,随后则是缓慢衰减的持续光电导(P.P.C)过程。本文给出室温下持续光电流所遵从的近似方程,并以此方程研究在不同光照时间,持续光电流的衰减情况。本文提出光生载流子处于“局域性起伏的无序势场”中的模型来解释持续光电导产生的机制。(本文来源于《半导体光电》期刊1993年03期）
持续光电导论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
LaAlO_3/SrTiO_3异质结界面体系具有新奇的二维自由电子气现象、暂态光电导效应、持续光电导效应等丰富的光电性质,是近年来科学界研究的热点之一.本文研究了场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面光电导效应的调控,发现光电协同增强的场效应可以使得LaAlO_3/SrTiO_3界面产生显着的持续光电导效应,进一步研究发现:在光电协同效应的影响下,随着负的背栅门电压的增加,持续光电导的数值增大,在-70 V附近达到极值;随着负的背栅门电压处理时间的增加,持续光电导的数值单调增加.LaAlO_3/SrTiO_3异质结中这种场增强的持续光电导效应可为多参数可调的光电子记忆器件的研发提供参考依据.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
持续光电导论文参考文献
[1].童彩豪,鲁林芝,姜晓彤,谢长生.Ag纳米颗粒对ZnO纳米棒阵列膜的光电响应和持续光电导的调控[J].功能材料.2019
[2].刀流云,张子涛,肖煜同,张明昊,王帅.光电协同增强的场效应对LaAlO_3/SrTiO_3界面中持续光电导的调控[J].物理学报.2019
[3].何鹏,幸代鹏,周瑶,何月,曾慧中.Ar~+轰击SrTiO_3表面的持续光电导现象[J].电子元件与材料.2018
[4].王立伟.III-V族半导体材料的电化学C-V表征及GaN基光导器件的持续光电导研究[D].中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）.2014
[5].苏志国,许金通,陈俊,李向阳,刘骥.非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象[J].半导体学报.2007
[6].邓冬梅,吴春瑜,王金延,文正,郝一龙.金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文)[J].稀有金属材料与工程.2006
[7].李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明.GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J].半导体学报.2005
[8].张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明.立方相GaN的持续光电导[J].半导体学报.2003
[9].汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度.N型GaN的持续光电导[J].半导体学报.1999
[10].黄寿欣,刘泰山,吴曼瑛.室温下α-Si∶H的持续光电导[J].半导体光电.1993