压接型IGBT均流设计

论文摘要

针对压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)内部均流设计,对多芯片压接结构及其压力均衡、压接型IGBT芯片内部均流、子单元间均流等方面进行了研究和优化设计。试验验证了压接型IGBT具有良好的电流关断能力、短路电流能力及反偏安全工作区,器件内部均流状态较好。

论文目录

• 0 引言
• 1 多芯片压接结构及压力均衡设计
• 2 压接型IGBT芯片内部均流
• 3 子单元间均流设计
•   3.1 子单元栅极控制信号一致性设计
•   3.2 杂散电感设计
•   3.3 芯片参数选配
• 4 子单元均流试验验证
•   4.1 静态均流
•   4.2 动态均流
• 5 压接型IGBT的动态特性
• 6 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 刘国友,窦泽春,罗海辉,覃荣震,王彦刚

关键词: 均流,压接型,设计

来源: 中国电力 2019年09期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 新型功率半导体器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司,中车株洲电力机车研究所有限公司

分类号: TM721.1

页码: 20-29

总页数: 10

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