导读:本文包含了环型振荡器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:振荡器,相位,噪声,电流,低功耗,逻辑,分子。
环型振荡器论文文献综述
刘心彤,李振荣,庄奕琪[1]（2018）在《基于CMOS环型振荡器0～100 MHz高线性低功耗时钟发生器》一文中研究指出设计了一种基于高线性低功耗延时单元和电压电流转换电路的环形压控振荡器电路,并采用数控技术提出了一种延时和充放电电流可编程控制的鉴频鉴相器和电荷泵电路,获得了突出的环路性能,最终基于0.18μm RF CMOS工艺集成实现了一个具有高线性低功耗特性的时钟信号发生器.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2018年03期）
高志强,孙鹏,徐元旭,姚恩义,胡永双[2]（2010）在《宽带低相位噪声CMOS环型压控振荡器的设计与研究》一文中研究指出采用一种环型电路结构,设计了一个1.3GHz宽带线性压控振荡器。采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路的仿真。结果显示,在电源电压Vdd=1.8 V时,控制电压范围为1.0～1.18 V,频率的变化范围为800 MHz～2.1 GHz,相位噪声为-105 dBc/Hz@1 MHz。很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾。(本文来源于《电子器件》期刊2010年05期）
程梦璋,景为平[3]（2009）在《CMOS环型压控振荡器的设计》一文中研究指出设计和分析了一种高稳定度、低噪声的CMOS环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,通过对压控振荡器相位噪声的计算和分析,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。该设计和分析是基于上华0.5μmCMOS工艺,当控制电压从1～3V变化时,相应的振荡频率为100～500MHz;在偏离中心频率1kHz、10kHz、100kHz和1MHz频率处得到的相位噪声分别为?50dBc/Hz、?75dBc/Hz、?98dBc/Hz和?120dBc/Hz。(本文来源于《电子科技大学学报》期刊2009年02期）
程梦璋,景为平[4]（2008）在《一种低噪声CMOS差分环型压控振荡器的设计和分析》一文中研究指出设计和分析了一种高稳定性,宽频带范围,低噪声的差分环型压控振荡器。该电路具有较低的压控增益,较好的线性范围,较低的相位噪声。应用复制偏置电路,对差分环型压控振荡器的控制电压进行复制,以提高对环型压控振荡器电源电压噪声和衬底噪声的抑制。采用0.6μm CMOS工艺进行模拟仿真,当控制电压从1V到3.2V变化时,相应的振荡频率为130MHz到740MHz;在偏离中心频率100kHz,1MHz频率处的相位噪声为-89dBc,-110dBc。(本文来源于《电子器件》期刊2008年03期）
周海峰,韩雁[5]（2007）在《基于CSL架构的低功耗CMOS环型振荡器的设计》一文中研究指出该文设计了一种基于电流控制逻辑架构的1.8GHz低功耗环型压控振荡器,分析了p型电流控制逻辑,并作为环振的延迟单元。该环型振荡器采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。在1.8V电压下,具有大于1GHz的调谐范围,相位噪声为-96.4dBc/Hz@3MHz,功耗是1.40mW。与其他已报道的类似结构相比,该设计具有更好的性能。(本文来源于《浙江省电子学会第七次会员代表大会暨2007学术年会论文集》期刊2007-11-01）
周海峰,韩雁[6]（2007）在《基于CSL架构的低功耗CMOS环型振荡器的设计》一文中研究指出该文设计了一种基于电流控制逻辑架构的1.8GHz低功耗环型压控振荡器,分析了p型电流控制逻辑,并作为环振的延迟单元。该环型振荡器采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。在1.8V电压下,具有大于1GHz的调谐范围,相位噪声为-96.4dBc/Hz@3MHz,功耗是1.40mW。与其他已报道的类似结构相比,该设计具有更好的性能。(本文来源于《杭州电子科技大学学报》期刊2007年05期）
章从福[7]（2006）在《用单碳纳米管制作环型振荡器》一文中研究指出IBM的研究人员围绕一个单碳纳米管(CNT)分子制作了第一个完整的电子集成电路:速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢,但是IBM小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘出CNT电子学的超性能潜力(本文来源于《半导体信息》期刊2006年06期）
Peter,Singer[8]（2006）在《用单碳纳米管制作环型振荡器》一文中研究指出IBM 的研究人员围绕一个单碳纳米管(CNT)分子制作了第一个完整的电子集成电路:速度比以前论证的采用多纳米管的电路几乎快100万倍的环型振荡器。尽管它仍然比现在采用硅芯片得到的速度慢,但是 IBM 小组相信新的纳米制造工艺最终将挖掘出 CNT 电子学的超性能潜力。IBM Research 的科学与技术部副经理 T.C.Chen 说:"碳纳米管晶体管具有超越(本文来源于《集成电路应用》期刊2006年09期）
王涛,苏彦锋,迮德东,洪志良[9]（2004）在《一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型》一文中研究指出在 Razavi模型和 Weigandt模型的基础上 ,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型 .新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响 ,从新的角度讨论了相位噪声的叁种发生机制和影响 ,讨论了闪烁噪声的优化方法 ,得到了新的相位噪声模型 ,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响 .最后 ,分析了低噪声设计的一些原则 .采用 CSM0 .35 μm工艺进行了流片验证 ,模型与测试结果能够很好地吻合(本文来源于《半导体学报》期刊2004年11期）
张涛,邹雪城,刘力,倪春波,陈朝阳[10]（2004）在《低噪声CMOS环型压控振荡器的设计》一文中研究指出应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力。采用1stsilicon0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc。(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2004年07期）
环型振荡器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用一种环型电路结构,设计了一个1.3GHz宽带线性压控振荡器。采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路的仿真。结果显示,在电源电压Vdd=1.8 V时,控制电压范围为1.0～1.18 V,频率的变化范围为800 MHz～2.1 GHz,相位噪声为-105 dBc/Hz@1 MHz。很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
环型振荡器论文参考文献
[1].刘心彤,李振荣,庄奕琪.基于CMOS环型振荡器0～100MHz高线性低功耗时钟发生器[J].微电子学与计算机.2018
[2].高志强,孙鹏,徐元旭,姚恩义,胡永双.宽带低相位噪声CMOS环型压控振荡器的设计与研究[J].电子器件.2010
[3].程梦璋,景为平.CMOS环型压控振荡器的设计[J].电子科技大学学报.2009
[4].程梦璋,景为平.一种低噪声CMOS差分环型压控振荡器的设计和分析[J].电子器件.2008
[5].周海峰,韩雁.基于CSL架构的低功耗CMOS环型振荡器的设计[C].浙江省电子学会第七次会员代表大会暨2007学术年会论文集.2007
[6].周海峰,韩雁.基于CSL架构的低功耗CMOS环型振荡器的设计[J].杭州电子科技大学学报.2007
[7].章从福.用单碳纳米管制作环型振荡器[J].半导体信息.2006
[8].Peter,Singer.用单碳纳米管制作环型振荡器[J].集成电路应用.2006
[9].王涛,苏彦锋,迮德东,洪志良.一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型[J].半导体学报.2004
[10].张涛,邹雪城,刘力,倪春波,陈朝阳.低噪声CMOS环型压控振荡器的设计[J].微电子学与计算机.2004
论文知识图
