论文摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 苏蓉,李娜,张佳佳,李晓琴,赵辉
关键词: 表面吸附,体系,第一性原理计算
来源: 天津师范大学学报(自然科学版) 2019年02期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 天津师范大学物理与材料科学学院
分类号: O647.3
DOI: 10.19638/j.issn1671-1114.20190204
页码: 16-20
总页数: 5
文件大小: 237K
下载量: 281
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