导读:本文包含了短波长论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:波长,光谱,光谱仪,射线,力学,光源,不对称。
短波长论文文献综述
李燕,杨宇铭,郑怀文,于飞,裴艳荣[1]（2019）在《短波长LED近距离匀光照明系统的设计》一文中研究指出特殊波长的LED在可穿戴医疗、近距离照明等领域具有广泛的应用前景,但是其照射的均匀度和装置的厚度一般为反向关系。迄今为止,这一问题仍然是影响可穿戴设备所需要的近场光照度分布的一个重要因素,对于较短波长没有适用的匀光板材料的情况更是如此。我们采用了成本较低的蓝宝石磨砂工艺与内部漫反射的灯筒相结合,对基本的蓝宝石参数,包括磨砂面方向、蓝宝石直径、蓝宝石的位置等进行优化,通过磨砂蓝宝石和灯筒内部对光线的散射作用,当h_1=5 mm、h_2=7 mm时,仿真得到厚度为1 cm、直径为4 cm灯筒的照度均匀度最高达到了0.68,获得可接收的光分布性能和能量利用率。(本文来源于《照明工程学报》期刊2019年04期）
连亚飞[2]（2019）在《短波长下ADP晶体的非线性及损伤性能研究》一文中研究指出KDP(KH2PO4)/DKDP(K(DxH1-x)2PO4)晶体是性能优越的非线性光学晶体材料与电光晶体材料,其具有低的半波电压、较大的线性电光系数、宽的透光波段和能生长出大尺寸单晶等优点,是目前唯一应用于惯性约束核聚变(Inertial Confinement Fusion,简称ICF)中非线性光学晶体材料。但是DKDP晶体元件损伤问题严重制约了激光的输出及元件的使用寿命,成为制约惯性约束核聚变发展和应用的瓶颈。与DKDP晶体相比,ADP(NH4H2PO4)晶体具有更大的有效非线性系数和短波长下更高的激光诱导损伤阈值,同时可以获得大尺寸的ADP单晶晶体。此外,ADP晶体可以实现室温下的非临界相位匹配四倍频输出,这也是一种潜在的打靶技术路线。因此,ADP晶体在在短波长高功率激光系统中具有非常大的应用潜力。通常情况下,ADP晶体采用Z向籽晶快速生长方式,而非临界相位匹配的四倍频实验所采用的是I类(90°,45°)切割,因此采用Z片籽晶生长易存在[100]或[001]方向尺寸不够的问题。因此,采用四倍频方向晶体作为生长籽晶进行定向生长可以有效解决这一问题,保证晶体在所需的四倍频方向上最大程度的生长,从而保证有足够的尺寸。本文从不同籽晶方向(D)ADP晶体的快速生长入手,系统研究了籽晶方向、杂质离子对ADP晶体生长机制的影响。多光子非线性吸收过程是诱导DKDP/ADP晶体损伤的一个重要机制,该过程多是由缺陷的间隙能态所辅助。激光辐照下晶体体内会出现调制电场,导致高阶非线性效应如非线性吸收及非线性折射现象的出现。非线性吸收会降低晶体稳定性,引起晶体的损伤;晶体在强激光的作用下出现“自聚焦”效应,会引起晶体局部光场增强,导致晶体内部损伤,其晶体的非线性折射存在密切的联系。因此,研究晶体在短波长激光辐照下的非线性效应以及晶体损伤能够为揭示晶体的损伤机制提供重要的参考。本文系统研究了短波长条件下(D)ADP晶体的非线性性质,对比分析研究了 355nm波长激光辐照下ADP及DKDP晶体的缺陷诱导损伤行为及机制,为ADP及DKDP晶体的实际应用提供一定依据。本论文的主要内容如下:1.采用点籽晶快速生长法生长了一系列的小口径Z向籽晶及(90°,45°)籽晶ADP晶体,实现了控制Z向和定向ADP晶体生长差异实验可控;开展了不同条件(如原料、温度区间及生长速度等)下中口径Z向及定向籽晶生长ADP晶体的生长研究。大口径ADP晶体的生长实验表明需要对溶液过饱和度更加严格精细的控制。2.利用离线AFM研究了过饱和度对Z向籽晶、定向籽晶和掺杂Cr3+定向籽晶生长ADP晶体(100)面的微观生长形貌的影响。叁种生长条件下ADP晶体(100)面的生长机制随过饱和度变化趋势相同;ADP晶体(100)面上的二维核生长均具有各项异性,且[010]方向的推移速率大于[001]方向的推移速率。σ*及σd表明定向生长ADP晶体的柱面生长速率小于Z向生长ADP晶体的柱面生长速率。掺杂Cr3+定向生长ADP晶体(100)面上存在由Cr3+“钉扎”作用导致的空洞缺陷,影响晶体的生长及质量。3.利用Z扫描方法研究了激光脉宽、波长、晶体切向及晶体厚度对ADP晶体非线性性质的影响,研究了 355nm波长下晶体厚度对KDP晶体非线性性质的影响,揭示了氘含量对DADP晶体非线性性质的影响,同时分析了ADP晶体激光损伤阈值与非线性效应之间的关系,为揭示晶体的损伤过程以及晶体在工程中的实际应用提供重要参考。实验发现ADP/KDP/DKDP晶体均表现为反饱和吸收和自聚焦效应。皮秒激光辐照下z0>L时,355nm和266nm激光辐照下ADP晶体的非线性吸收系数β、非线性折射率n2及叁阶极化率XI(3)具有各向异性,两种波长非线性临界光功率密度I0*随着波长的减小而减小;光子能量从3.49eV增加至4.66eV后,ADP晶体的叁阶非线性效应急剧增强。皮秒激光辐照下Z0>L时,DADP晶体的β随着D含量的增加而增加,因为DADP晶体的光学带隙随氘含量增加逐渐减小,导致其双光子吸收系数逐渐增大;当I0*≤I0<I0**时,ADP晶体的非线性吸收效应处于可测区间且在该范围内非线性吸收系数随着光功率密度的增加而非线性增加;DADP晶体的非线性折射率随着氘含量的增加而增加,自聚焦距离则随着氘含量的增加而减小。皮秒激光辐照下Z0<L时,非线性参数大小排序均为:四倍频片<X片<Z片,Z向及定向ADP晶体厚样品LIDT大小排序为:Z<X<[110],与其非线性参数的大小排序完全相反,因此可知较弱的β、n2和XI(3)对应较大的LIDT且非线性和LIDT均具有各向异性。纳秒激光辐照下Z0>L时,ADP晶体依然存在叁阶非线性吸收效应。4.开展了 355nm激光辐照下DKDP晶体及ADP晶体的初始损伤特性、损伤增长特性等损伤行为的对比研究,对比研究了 DKDP和ADP晶体材料损伤特性、后处理损伤特性及缺陷和物化性质对损伤特性的影响,从而为揭示DKDP晶体及ADP晶体缺陷诱导损伤机制提供参考。DKDP晶体的体损伤密度与激光辐照通量呈指数增长关系,预处理后相同通量下DKDP晶体的损伤密度明显下降,且激光预处理能量的增加能够使相同通量下损伤密度不断下降。若按损伤阈值区分,低损伤阈值DKDP晶体样品中均存在低、中和高损伤阈值缺陷,而中、高损伤阈值及预处理后DKDP晶体中则只存在中和高损伤阈值缺陷。DKDP晶体中低损伤阈值缺陷所诱导的损伤点尺寸均较小,而中损伤阈值缺陷和高损伤阈值缺陷损伤点尺寸较大,多呈中心空洞周围放射延伸多向裂纹的形貌特征,且裂纹的方向具有一致性。紫外吸收光谱表明:诱导深紫外(小于230nm)吸收的缺陷是影响晶体损伤阈值的关键因素,随着激光预处理最大能量的提升,晶体中诱导深紫外(小于230nm)吸收的缺陷在激光预处理过程中出现了有效的良性改性或者减少。荧光光谱测试表明:氧空位和623nm峰所代表的缺陷类型与损伤阈值有确切的相关性:杂质Ce、Sr、Ba、Fe3+,氢空位/氘空位,596nm峰和720nm峰所代表的缺陷类型与损伤可能相关。正电子湮没谱测试表明激光预处理技术能够将大尺度的空位团簇缺陷分解成较小尺度的空位团簇缺陷。在线散射测试表明,低损伤阈值晶体体内存在两种类型初始散射缺陷:一种是大尺度毫米级的包藏类缺陷;另一种是微米级的点状散射缺陷。大尺度包藏类缺陷与激光诱导初始损伤关联度为100%,点状散射缺陷与激光诱导初始损伤关联度为0%。中损伤阈值晶体、高损伤阈值晶体及激光预处理后的晶体中只有一种正交短管状散射缺陷,其损伤阈值均在8J/cm2附近,为工程应用中重点控制的缺陷类型之一。损伤增长测试表明,ADP晶体中按损伤阈值区分存在叁类缺陷:低损伤阈值缺陷(1-5J/cm2)、中损伤阈值缺陷(6-12J/cm2)和高损伤阈值缺陷(14J/cm2<)。ADP晶体低损伤阈值缺陷诱导的损伤点形貌多见点状和中心空洞周围延伸冲击波状界面,中和高损伤阈值缺陷诱导的损伤点形貌多为中心空洞周围延伸冲击波状界面。紫外吸收光谱测试表明,ADP晶体的整体紫外吸收率越高,其激光损伤阈值越低,激光与处理能够有效改性或者减少快长ADP晶体柱面生长区域的紫外吸收类缺陷;正电子湮没谱表明,晶体中单空位等点缺陷和空位团簇等微观缺陷的数量及密度越小,激光损伤阈值越高;在线散射测试表明,传统法、定向籽晶及Z向籽晶生长ADP晶体中均只有一类细微短管状散射缺陷,该类散射缺陷在传统法生长ADP晶体中仅有10%概率成为最低阈值损伤前驱体,而在快速生长法生长ADP晶体中却不是最低阈值损伤前驱体。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-15）
冯陈程,刘晓龙,李伟,韩健,温泽峰[3]（2018）在《短波长钢轨波磨对地铁车辆车内噪声的影响》一文中研究指出针对国内某地铁线路的车内噪声超标问题,进行车内噪声和线路钢轨波磨的现场测量。测试发现,列车经过波磨区间时的车内噪声高达90.3 d B(A),而对该区间的钢轨打磨后,车内噪声可以降低11.6 dB(A)。对车内噪声进行频谱分析后发现车内噪声主频均在400 Hz～700 Hz,这与车辆通过区间轨道的波长为30 mm～50 mm的波磨通过频率基本一致。对比分析发现波长为160 mm～200 mm的波磨对车内噪声的影响要远小于短波长波磨。因此,短波长波磨是造成车内噪声异常的主要原因。通过对大量试验数据的统计分析,得出车内噪声与30 mm～50 mm短波长波磨粗糙度水平的关系曲线,并根据该曲线提出针对30 mm～50 mm短波长波磨的打磨限值。(本文来源于《噪声与振动控制》期刊2018年06期）
张鹏,王铁杆,刘颖,陈星星,吴越[4]（2018）在《短波长紫外线(UV-C)对坛紫菜壳孢子萌发和发育的影响》一文中研究指出为探讨短波长紫外线(UV-C)对坛紫菜Pyropia haitanensis壳孢子萌发与发育的影响,选用野生型坛紫菜品系(PH-DT)为实验材料,经缩光和高温促熟后,获得供试壳孢子,分别用不同辐照强度的UV-C对壳孢子进行辐照。结果显示,低剂量辐照(50J/m~2)对壳孢子的萌发和发育具有一定的促进作用,辐照剂量100J/m~2以上则会抑制细胞分裂和发育,随着辐照计量的增加,存活率和萌发率都急剧下降,而诱变率呈现出先增加后降低的趋势。适当剂量的UV-C辐照(300 J/m~2)可作为后续坛紫菜壳孢子突变育种的一种手段。(本文来源于《2018年（第十叁届）浙江渔业科技论坛论文摘要集》期刊2018-12-09）
窦世涛,郑林,张津,计鹏飞,何长光[5]（2018）在《短波长X射线衍射无损检测内部残余应力测试方法及应用研究》一文中研究指出短波长X射线衍射法作为一种内部残余应力无损检测技术,在具体测试时根据样品的晶粒取向、大小等信息,选择采用Sin~2φ法、d_0法、极密度极大值法进行测试。sin~2φ法主要用于晶粒取向为各向同性(无织构)样品的检测,其φ角范围为45°到90°,采用该法无损测定了A100钢孔挤压强化件内部的径向残余应力及其分布;d_0法用于无织构或织构取向分布不强烈样品,该方法需制备无应力标样,采用该法测定了30CrMnSi钢3D打印件内部的残余应力;极密度极大值法适用于织构取向强烈的样品,如预拉伸铝板,该方法在制备无应力标样的同时,需首先测试织构的极密度最大值,然后旋转样品至相应的角度测试应变,采用该法测定了ALCOA产的20mm厚7075预拉伸铝板内部残余应力及其沿厚度分布。(本文来源于《“测试性与智能测控技术”——2018年中国航空测控技术专刊》期刊2018-11-06）
黄世庆[6]（2018）在《适用于短波长不平路面的轮胎柔性环模型研究》一文中研究指出轮胎在不同的激励下表现的力学特性完全不同,因此不同的轮胎模型适用于不同的工况。适用于分析轮胎低频力学特性的轮胎模型经过国内外学者的不断研究已经趋近于完善,但是用于轮胎高频动态分析的轮胎模型在国内的研究相对较少。国内关于适用于轮胎高频力学特性分析的轮胎模型的研究主要集中在刚性环模型,没有充分地考虑到轮胎带束柔性变形,当轮胎高速通过短波长不平路面导致带束变形时,采用刚性环模型无法准确表达轮胎力学特性。因此,本文借鉴了离散元的方法,将轮胎带束部分离散成用弹簧连接的多个质量点,胎侧部分离散成弹簧阻尼,建立了一种带束可变形的轮胎柔性环模型,利用建立的轮胎柔性环模型进行静刚度仿真、接地印迹仿真以及过凸块动态仿真,并将仿真结果与试验数据进行对比,验证了本文研究的轮胎柔性环模型具有较高的准确性。第一章为绪论,主要介绍了国内外适用于高频轮胎力学特性分析的轮胎柔性环模型的研究现状,并且介绍了轮胎与路面之间接触力的几种计算方法:刷子模型、魔术公式模型、Uni Tire模型以及数值模拟方法,最后对全文的研究内容做了简要介绍。第二章为了研究轮胎的力学特性,介绍了轮胎接地印迹试验、垂向刚度试验、纵向刚度试验以及轮胎过凸块试验。介绍了这些试验的试验步骤和试验方法。为之后的轮胎柔性环模型的参数确定以及模型验证提供了试验数据。第叁章基于离散元的建模思想建立了二维的轮胎柔性环模型。该模型将带束离散成多个带束质量点,相邻的带束质量点之间通过弹簧进行连接;相邻带束质量点之间均匀分布多个无质量的模拟接触的接触单元;带束质量点与轮辋之间通过弹簧阻尼连接来模拟胎侧的弹性和充气压力;该模型基于罚函数方法以及库伦摩擦方法计算轮胎与路面之间的接触力,并考虑了轮胎的黏滑特性。最后运用拉格朗日原理推导了质量点以及轮辋的动力学方程,从而建立出轮胎柔性环模型。第四章介绍了模型仿真结果与模型中各参数的关系,为模型参数的确定提供了指导;并用拟合好参数的轮胎模型进行一系列的仿真分析,与第二章中相应的试验数据相比较,验证模型的准确性。第五章为全文的总结和展望。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-06-01）
钟长游,汪启胜,刘科,张坤浩,何建华[7]（2018）在《BL17U短波长X射线聚焦方案优化》一文中研究指出蛋白质数据库中超过80%的蛋白质都是用X射线衍射解出的结构,其中最常用的波长是0.097 2 nm。有研究表明短波长X射线可以减少晶体的辐射损伤,提高X射线衍射数据的质量,为了在上海同步辐射光源生物大分子线站BL17U上进一步研究短波长X射线测定蛋白质结构,需要先对其能区进行拓展。基于复合折射透镜(Compound Refractive Lens,CRL)聚焦X射线的原理,讨论了在BL17U上用其聚焦短波长X射线的可行性。通过引入接受率R这一物理量计算了单一结构不同曲率半径的CRL聚焦光子后的通量和通量密度,同时也计算了级联式紧密接触型CRL和级联式相间型CRL两种方式的聚焦的效果。在充分考虑聚焦效果、实验站布局等因素,提出在BL17U聚焦短波长X射线的最佳方案,用31片半径50μm的透镜理论上可以将25 keV的光子聚焦,得到的通量密度3.201 8×10~(14) s~(-1)·mm~(-2)。通过这些理论计算可以为BL17U研究短波长X射线测定蛋白质结构做前期准备。(本文来源于《核技术》期刊2018年05期）
钟思瑶[8]（2018）在《杂质存在时托卡马克中短波长ITG模与TEM模的研究》一文中研究指出本文基于回旋动理学方程,利用升级的HD7程序,通过计算模拟,研究了杂质存在时托卡马克中短波长TEM模(SWTEM)和短波长ITG模(SWITG)的存在状况。模拟结果表明,当不考虑托克马克中的捕获电子效应时,对于SWITG模,杂质离子密度梯度剖面向内(L_(ez)>0)时,杂质离子对SWITG模的增长率有抑制作用,L_(ez)越大,抑制效果越好,SWITG模所需要的激发阈值越高。且其抑制效果随杂质的浓度以及杂质的电荷数与质量数的增加而变强。而杂质离子密度梯度剖面向外(L_(ez)<0)时,若杂质离子的份额?z较小,则杂质离子会对SWITG模产生不稳定影响,且L_(ez)绝对值越大,不稳定效应越强,SWITG模所需要的激发阈值越小。且其不稳定效应随杂质的电荷数与质量数的增加而变强。而当杂质离子的份额?_z到达某一较大值时,密度梯度剖面向外的杂质离子反而会抑制SWITG模。当不考虑离子温度梯度时,对于SWTEM模,杂质离子的存在始终抑制着SWTEM模的增长。且其抑制效果随杂质离子的浓度以及杂质离子的电荷数与质量数的增加而变的更强。当同时考虑离子温度梯度与捕获电子效应时,SWITG与SWTEM模的存在情况分为耦合和共存两种。捕获电子份额与捕获电子温度梯度较低时,SWITG模与SWTEM将产生强烈的耦合,我们称之为SWTE-ITG模,此时,若离子温度梯度较小(η_i<5.0),则杂质离子对SWTE-ITG模始终有稳定作用。而离子温度梯度较大时,杂质离子密度梯度剖面向内(外)对SWTE-ITG模有稳定(不稳定)效果。且杂质离子的质量数和电荷数越大,其稳定或者不稳定的效应越强。当离子温度梯度较大时,SWTE-ITG模的结果与SWITG模相似。当捕获电子份额与捕获电子温度梯度适中或较大时,SWITG模SWTEM模共存,结果表明,杂质离子对共存状态下的SWITG模与SWTEM模的影响与单独考虑短波长捕获电子模与短波长离子温度梯度模杂质离子带来的影响所得结果相似。所以,我们可以认为,共存状态下的SWTEM模与SWITG模几乎互不影响。以上这些结果对于实验上抑制微观不稳定性的短波长漂移波模有着重要的意义。(本文来源于《南华大学》期刊2018-05-01）
郝晓明[9]（2018）在《首台短波长手性拉曼光谱仪制成》一文中研究指出科技日报讯 （记者郝晓明）记者日前从“电场、磁场调制的短波长手性拉曼光谱仪研制”专项验收会上获悉,由中科院大连化物所李灿院士、冯兆池研究员带领的研发团队成功研制出国际首台457nm激光为激发光源的短波长手性拉曼光谱仪，同时填补了我国手性拉曼光谱技术的空白(本文来源于《科技日报》期刊2018-01-26）
记者,刘万生,通讯员,贾国卿,朱剑[10]（2018）在《首台短波长手性拉曼光谱仪问世》一文中研究指出本报讯（记者刘万生 通讯员贾国卿、朱剑）近日，中科院大连化物所李灿院士、冯兆池研究员主持完成的“电场、磁场调制的短波长手性拉曼光谱仪研制”专项，通过国家重大科研仪器设备研制专项项目结题验收，并获得优秀。项目成功研制出国际上第一台457纳米激光为激发光源的(本文来源于《中国科学报》期刊2018-01-24）
短波长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
KDP(KH2PO4)/DKDP(K(DxH1-x)2PO4)晶体是性能优越的非线性光学晶体材料与电光晶体材料,其具有低的半波电压、较大的线性电光系数、宽的透光波段和能生长出大尺寸单晶等优点,是目前唯一应用于惯性约束核聚变(Inertial Confinement Fusion,简称ICF)中非线性光学晶体材料。但是DKDP晶体元件损伤问题严重制约了激光的输出及元件的使用寿命,成为制约惯性约束核聚变发展和应用的瓶颈。与DKDP晶体相比,ADP(NH4H2PO4)晶体具有更大的有效非线性系数和短波长下更高的激光诱导损伤阈值,同时可以获得大尺寸的ADP单晶晶体。此外,ADP晶体可以实现室温下的非临界相位匹配四倍频输出,这也是一种潜在的打靶技术路线。因此,ADP晶体在在短波长高功率激光系统中具有非常大的应用潜力。通常情况下,ADP晶体采用Z向籽晶快速生长方式,而非临界相位匹配的四倍频实验所采用的是I类(90°,45°)切割,因此采用Z片籽晶生长易存在[100]或[001]方向尺寸不够的问题。因此,采用四倍频方向晶体作为生长籽晶进行定向生长可以有效解决这一问题,保证晶体在所需的四倍频方向上最大程度的生长,从而保证有足够的尺寸。本文从不同籽晶方向(D)ADP晶体的快速生长入手,系统研究了籽晶方向、杂质离子对ADP晶体生长机制的影响。多光子非线性吸收过程是诱导DKDP/ADP晶体损伤的一个重要机制,该过程多是由缺陷的间隙能态所辅助。激光辐照下晶体体内会出现调制电场,导致高阶非线性效应如非线性吸收及非线性折射现象的出现。非线性吸收会降低晶体稳定性,引起晶体的损伤;晶体在强激光的作用下出现“自聚焦”效应,会引起晶体局部光场增强,导致晶体内部损伤,其晶体的非线性折射存在密切的联系。因此,研究晶体在短波长激光辐照下的非线性效应以及晶体损伤能够为揭示晶体的损伤机制提供重要的参考。本文系统研究了短波长条件下(D)ADP晶体的非线性性质,对比分析研究了 355nm波长激光辐照下ADP及DKDP晶体的缺陷诱导损伤行为及机制,为ADP及DKDP晶体的实际应用提供一定依据。本论文的主要内容如下:1.采用点籽晶快速生长法生长了一系列的小口径Z向籽晶及(90°,45°)籽晶ADP晶体,实现了控制Z向和定向ADP晶体生长差异实验可控;开展了不同条件(如原料、温度区间及生长速度等)下中口径Z向及定向籽晶生长ADP晶体的生长研究。大口径ADP晶体的生长实验表明需要对溶液过饱和度更加严格精细的控制。2.利用离线AFM研究了过饱和度对Z向籽晶、定向籽晶和掺杂Cr3+定向籽晶生长ADP晶体(100)面的微观生长形貌的影响。叁种生长条件下ADP晶体(100)面的生长机制随过饱和度变化趋势相同;ADP晶体(100)面上的二维核生长均具有各项异性,且[010]方向的推移速率大于[001]方向的推移速率。σ*及σd表明定向生长ADP晶体的柱面生长速率小于Z向生长ADP晶体的柱面生长速率。掺杂Cr3+定向生长ADP晶体(100)面上存在由Cr3+“钉扎”作用导致的空洞缺陷,影响晶体的生长及质量。3.利用Z扫描方法研究了激光脉宽、波长、晶体切向及晶体厚度对ADP晶体非线性性质的影响,研究了 355nm波长下晶体厚度对KDP晶体非线性性质的影响,揭示了氘含量对DADP晶体非线性性质的影响,同时分析了ADP晶体激光损伤阈值与非线性效应之间的关系,为揭示晶体的损伤过程以及晶体在工程中的实际应用提供重要参考。实验发现ADP/KDP/DKDP晶体均表现为反饱和吸收和自聚焦效应。皮秒激光辐照下z0>L时,355nm和266nm激光辐照下ADP晶体的非线性吸收系数β、非线性折射率n2及叁阶极化率XI(3)具有各向异性,两种波长非线性临界光功率密度I0*随着波长的减小而减小;光子能量从3.49eV增加至4.66eV后,ADP晶体的叁阶非线性效应急剧增强。皮秒激光辐照下Z0>L时,DADP晶体的β随着D含量的增加而增加,因为DADP晶体的光学带隙随氘含量增加逐渐减小,导致其双光子吸收系数逐渐增大;当I0*≤I0<I0**时,ADP晶体的非线性吸收效应处于可测区间且在该范围内非线性吸收系数随着光功率密度的增加而非线性增加;DADP晶体的非线性折射率随着氘含量的增加而增加,自聚焦距离则随着氘含量的增加而减小。皮秒激光辐照下Z0<L时,非线性参数大小排序均为:四倍频片<X片<Z片,Z向及定向ADP晶体厚样品LIDT大小排序为:Z<X<[110],与其非线性参数的大小排序完全相反,因此可知较弱的β、n2和XI(3)对应较大的LIDT且非线性和LIDT均具有各向异性。纳秒激光辐照下Z0>L时,ADP晶体依然存在叁阶非线性吸收效应。4.开展了 355nm激光辐照下DKDP晶体及ADP晶体的初始损伤特性、损伤增长特性等损伤行为的对比研究,对比研究了 DKDP和ADP晶体材料损伤特性、后处理损伤特性及缺陷和物化性质对损伤特性的影响,从而为揭示DKDP晶体及ADP晶体缺陷诱导损伤机制提供参考。DKDP晶体的体损伤密度与激光辐照通量呈指数增长关系,预处理后相同通量下DKDP晶体的损伤密度明显下降,且激光预处理能量的增加能够使相同通量下损伤密度不断下降。若按损伤阈值区分,低损伤阈值DKDP晶体样品中均存在低、中和高损伤阈值缺陷,而中、高损伤阈值及预处理后DKDP晶体中则只存在中和高损伤阈值缺陷。DKDP晶体中低损伤阈值缺陷所诱导的损伤点尺寸均较小,而中损伤阈值缺陷和高损伤阈值缺陷损伤点尺寸较大,多呈中心空洞周围放射延伸多向裂纹的形貌特征,且裂纹的方向具有一致性。紫外吸收光谱表明:诱导深紫外(小于230nm)吸收的缺陷是影响晶体损伤阈值的关键因素,随着激光预处理最大能量的提升,晶体中诱导深紫外(小于230nm)吸收的缺陷在激光预处理过程中出现了有效的良性改性或者减少。荧光光谱测试表明:氧空位和623nm峰所代表的缺陷类型与损伤阈值有确切的相关性:杂质Ce、Sr、Ba、Fe3+,氢空位/氘空位,596nm峰和720nm峰所代表的缺陷类型与损伤可能相关。正电子湮没谱测试表明激光预处理技术能够将大尺度的空位团簇缺陷分解成较小尺度的空位团簇缺陷。在线散射测试表明,低损伤阈值晶体体内存在两种类型初始散射缺陷:一种是大尺度毫米级的包藏类缺陷;另一种是微米级的点状散射缺陷。大尺度包藏类缺陷与激光诱导初始损伤关联度为100%,点状散射缺陷与激光诱导初始损伤关联度为0%。中损伤阈值晶体、高损伤阈值晶体及激光预处理后的晶体中只有一种正交短管状散射缺陷,其损伤阈值均在8J/cm2附近,为工程应用中重点控制的缺陷类型之一。损伤增长测试表明,ADP晶体中按损伤阈值区分存在叁类缺陷:低损伤阈值缺陷(1-5J/cm2)、中损伤阈值缺陷(6-12J/cm2)和高损伤阈值缺陷(14J/cm2<)。ADP晶体低损伤阈值缺陷诱导的损伤点形貌多见点状和中心空洞周围延伸冲击波状界面,中和高损伤阈值缺陷诱导的损伤点形貌多为中心空洞周围延伸冲击波状界面。紫外吸收光谱测试表明,ADP晶体的整体紫外吸收率越高,其激光损伤阈值越低,激光与处理能够有效改性或者减少快长ADP晶体柱面生长区域的紫外吸收类缺陷;正电子湮没谱表明,晶体中单空位等点缺陷和空位团簇等微观缺陷的数量及密度越小,激光损伤阈值越高;在线散射测试表明,传统法、定向籽晶及Z向籽晶生长ADP晶体中均只有一类细微短管状散射缺陷,该类散射缺陷在传统法生长ADP晶体中仅有10%概率成为最低阈值损伤前驱体,而在快速生长法生长ADP晶体中却不是最低阈值损伤前驱体。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
短波长论文参考文献
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