导读:本文包含了电子态密度论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:密度,原理,显微镜,隧道,电子,光学,格林。
电子态密度论文文献综述
卢绿荣,陈建华,李玉琼[1]（2018）在《硫化矿浮选捕收剂分子结构与性能的电子态密度研究》一文中研究指出采用电子态密度研究了黄药、黑药和硫氨酯等硫化矿浮选捕收剂的电子结构与性能的关系。结果表明:电子态密度的离域性和轨道杂化作用较好地反映浮选药剂捕收性和选择性的强弱;黄药分子中双键硫原子的态密度最活跃,而黄药离子中单键硫原子的态密度最活跃;直链黄药(C_2～C_5)的态密度随烃基碳链的增长逐渐增强;丙基黄药和丁基黄药异构体的态密度强于相应的正构体的态密度,而正戊基黄药的态密度稍强于异戊基黄药的态密度;黑药中3418A的电子态密度相对最大,表现出更强的电子活性;不同结构的硫氨酯其氮原子的态密度变化比硫原子的大,这有利于改善硫氨酯捕收剂的螯合能力。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2018年07期）
公民,戴晔,宋娟,马国宏[2]（2016）在《单光束飞秒激光诱导的电子态密度分布对双周期纳米光栅的影响》一文中研究指出研究了不同脉冲能量下1kHz飞秒激光脉冲在石英玻璃内部诱导的损伤痕迹、纳米光栅结构及其双折射特性,发现在激光辐照区域顶端形成的微纳结构具有两种周期性:沿光传输方向的周期为ΛK;沿激光偏振方向的周期为ΛE.通过数值模拟飞秒脉冲在石英玻璃内部的传输过程,研究了入射能流密度分布及自由电子密度分布对双周期纳米光栅结构的影响.结果表明,较大的入射能流密度有利于纳米光栅的形成,且产生的电子密度会影响周期ΛK,电子密度越大,周期ΛK越大.从理论上分析了双周期纳米光栅结构的形成过程,认为等离子体非对称生长及其引起的局域场强分布影响了双周期纳米光栅结构的形成.(本文来源于《光学学报》期刊2016年05期）
张继黎,宋绵新,邹浩,刘攀,边亮[3]（2014）在《锆石中核原子表面电子态密度的密度泛函计算(英文)》一文中研究指出通过搜索和调查固化材料的最优包容量,并利用密度泛函理论(DFT)对固化材料晶体进行了优化和预测,对锆石中核素原子包容量(x)进行了讨论,对相应的结构性能进行了研究,包括焓的形成、晶格畸变和态密度(DOS)。分别选择了高容量包晶(硅酸锆)和高稳定性能的晶体(Zr2Gd2O7)锆石为基本晶体,研究其固化性能。对高包容量晶的计算结果显示铈(Ce)或铀(U)原子放大能扩展硅酸锆的晶格长度,并导致形态从Fm3m形态转变为I41/AMD,使相对应的态密度远离Fermi能级。Ce和U原子在Zr1-xCe(或U)xSiO4基质中最佳包容量分别为25%和30%。这些数据与实验数据相吻合。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2014年11期）
刘斌[4]（2014）在《强关联材料电子态密度能谱计算与模拟》一文中研究指出STM可以测得实空间中二维材料的能态密度谱,不同材料的能态密度谱具有不同的形状,相同的材料在不同的相中也会得到不同形状的能态密度谱。这里能谱的不同形状是指,在谱图中某一偏压下,出现一个峰值或者打开了一个能隙,这都对应着材料中某一特征能量的出现。所以,通过理论模拟STM测得的dI/dV能谱,对理解材料中特征能量是如何形成的以及指导STM实验检测材料具有十分重要的意义。本论文主要以能带理论、Bardeen的隧穿电流理论和格林函数方法为基础,求解了二维体系窄带的色散关系,研究了s波、d波超导体的一般性dI/dV能谱特征,论证了格林函数方法与STM能谱的关系。这样就初步形成了一套从STM测得的能谱数据来认识材料电子结构的模拟方法。之后将这套方法应用在高温铜氧化物超导中,并在计算的过程中引入了八重矢量模型方法求得高温铜氧化物超导的干涉图样,比较了格林函数方法与箱态密度法的区别与联系。在模拟计算重费米子材料时,引入了计算多带的格林函数方法和计算干涉图样的格林函数方法。(本文来源于《浙江大学》期刊2014-05-01）
张超[5]（2012）在《利用UHV-STM研究Si（5 5 12）表面上In-addimer，Si-addimer相邻位置电子态密度的分布》一文中研究指出在Si(5512)表面上研究可控制作一维In原子线的实验中,发现在Si(5512)的dimer-adatom row上与Si-addimer线相邻的位置处的In-addimer上的电子态密度的分布状态在满态的STM图像中显示出非常的高.而在空态的STM图像中却没有发现异常现象.由于该现象很可能意味着原子级二极管的形成.因此对该现象进行了系统的研究.对文献中一维原子线的电子态密度分布,尤其是一维原子线端点处电子态密度的分布现象进行了系统的归纳分析.1.充电对电子态密度有影响.2.温度对电子态密度的影响.3.吸附在表面上的原子的电子态密度分布与基底表面上的原子结构密切相关.4.电子态密度分布与一维原子线上连续排列的悬键个数有关.5.电子态密度与一维原子线上原子的位置密切相关.6.表面缺陷导致电子态密度重新分布.可以得出一个结论：在相邻位置上的悬键处电子态密度是非常容易涨落和重新分布的.系统分析实验现象：首先,In是叁价的元素,吸附到Si表面上形成In-addimer时,每个In原子包含4个类似sp3轨道,其中有叁个轨道和邻近的原子形成共价键.剩余一个没有结合的空轨道.即没有电子填充的空的悬键.Si是四价的元素,吸附到Si表面形成Si-addimer时,每个Si原子包含的4个类似sp3轨道,其中有叁个轨道和邻近的原子形成共价键,剩余一个轨道内有一个电子存在.即存在一个电子的悬键.因此,空态STM像中In-addimer的亮度高于Si-addimer.满态STM像中,通常情况下所以In-addimer的亮度似乎应该低于Si-addimer实际观察到的是In-addimer原子链的中心部分与Si-addimer链比较确实是暗的,但是In-addimer与Si-addimer相邻位置上In-addimer处的亮度比Si-addimer更亮.由于悬键上电子态密度非常容易涨落和重新分布.所以在Si悬键上的电子很容易移动到In的空的悬键中去,导致该位置In-addimer悬键的费米能级升高,因此对隧道电流有贡献的电子态密度增加.最终该部分的满态STM图像显现端点位置非常亮.我们观察到的这个现象看起来是N型半导体内电子向P型半导体的空穴中扩散的微观过程.(本文来源于《延边大学》期刊2012-05-26）
蔡成兰,刘家兴,苏琴,陈汉琼[6]（2011）在《氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响》一文中研究指出基于密度泛函理论,采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明:当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时,有效能隙明显展宽;纳晶硅表面部分被氧钝化以后,原本干净的禁带中出现电子局域态。计算结果表明纳晶硅薄膜受激辐射主要由量子受限效应和能隙中的电子局域态决定。(本文来源于《荆楚理工学院学报》期刊2011年07期）
吕泉,黄伟其,王晓允,孟祥翔[7]（2010）在《Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析》一文中研究指出由于氮原子在Si(111)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(111)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(111)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生.我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.(本文来源于《物理学报》期刊2010年11期）
刘建军[8]（2010）在《掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响》一文中研究指出采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,研究了掺Ga对纤锌矿ZnO电子态密度和光学性质的影响.从晶体配位场理论分析了掺Ga前后ZnO的成键情况及态密度的变化.计算得到掺Ga后电子浓度为2.42×1021cm-3,ZnO的载流子浓度提高了104倍.比较分析掺Ga前后ZnO的介电函数、复折射率、吸收光谱和反射光谱可得,ZnO光吸收边向高能端移动,光学带隙增大.在可见光区,ZnO光吸收系数与反射率减小,光透过率显着提高,使ZnO:Ga成为理想的透明导电材料.(本文来源于《物理学报》期刊2010年09期）
刘建军,王利平[9]（2010）在《ZnO电子态密度和吸收光谱的理论计算》一文中研究指出采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究纤锌矿ZnO的能带结构、电子态密度和吸收光谱.计算结果表明,纤锌矿ZnO为直接带隙半导体,计算带隙宽度为0.81 eV.由配位场理论分析知,Zn3 d电子劈裂后形成的t2带对应Zn—O成键态,t2*带对应Zn—O反键态,e带为非键态.计算得ZnO的光学吸收边为3.47 eV,计算结果与实验值相一致.(本文来源于《淮北煤炭师范学院学报(自然科学版)》期刊2010年02期）
张进福,胡金江,张礼刚[10]（2009）在《超软赝势方法对V/TiO_2薄膜电子态密度的计算》一文中研究指出根据密度泛函理论和"总体能量—平面波"超软赝势方法计算了V3+和V4+掺杂金红石矿相纳米TiO2的能带结构和电子态密度,分析了V3+和V4+掺杂对W/TiO2晶体电子结构和光学吸收带边的影响.还对V3+和V4+掺杂的TiO2电子态密度进行了比较分析.(本文来源于《河北建筑工程学院学报》期刊2009年04期）
电子态密度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了不同脉冲能量下1kHz飞秒激光脉冲在石英玻璃内部诱导的损伤痕迹、纳米光栅结构及其双折射特性,发现在激光辐照区域顶端形成的微纳结构具有两种周期性:沿光传输方向的周期为ΛK;沿激光偏振方向的周期为ΛE.通过数值模拟飞秒脉冲在石英玻璃内部的传输过程,研究了入射能流密度分布及自由电子密度分布对双周期纳米光栅结构的影响.结果表明,较大的入射能流密度有利于纳米光栅的形成,且产生的电子密度会影响周期ΛK,电子密度越大,周期ΛK越大.从理论上分析了双周期纳米光栅结构的形成过程,认为等离子体非对称生长及其引起的局域场强分布影响了双周期纳米光栅结构的形成.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电子态密度论文参考文献
[1].卢绿荣,陈建华,李玉琼.硫化矿浮选捕收剂分子结构与性能的电子态密度研究[J].中国有色金属学报.2018
[2].公民,戴晔,宋娟,马国宏.单光束飞秒激光诱导的电子态密度分布对双周期纳米光栅的影响[J].光学学报.2016
[3].张继黎,宋绵新,邹浩,刘攀,边亮.锆石中核原子表面电子态密度的密度泛函计算(英文)[J].硅酸盐学报.2014
[4].刘斌.强关联材料电子态密度能谱计算与模拟[D].浙江大学.2014
[5].张超.利用UHV-STM研究Si（5512）表面上In-addimer，Si-addimer相邻位置电子态密度的分布[D].延边大学.2012
[6].蔡成兰,刘家兴,苏琴,陈汉琼.氧键对纳晶硅薄膜电子态密度的影响[J].荆楚理工学院学报.2011
[7].吕泉,黄伟其,王晓允,孟祥翔.Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析[J].物理学报.2010
[8].刘建军.掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响[J].物理学报.2010
[9].刘建军,王利平.ZnO电子态密度和吸收光谱的理论计算[J].淮北煤炭师范学院学报(自然科学版).2010
[10].张进福,胡金江,张礼刚.超软赝势方法对V/TiO_2薄膜电子态密度的计算[J].河北建筑工程学院学报.2009
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