论文摘要
为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜（SEM）表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王槐乾,姜宏伟
关键词: 磁控溅射,流量,气压
来源: 真空 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备
单位: 牡丹江师范学院
分类号: TB383.2;TQ134.11
DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.04.09
页码: 37-39
总页数: 3
文件大小: 1704K
下载量: 379
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