高纯电子级四氟化硅中恒沸物及金属杂质的去除

论文摘要

针对高纯电子级四氟化硅中卤代硅烷恒沸物及金属杂质难以去除的两大难题,采用溶剂萃取精馏法,通过评价5种萃取剂的萃取能力,筛选出一种非极性萃取剂。通过萃取剂的弱氢键作用,使卤代硅烷恒沸物分离至1×10-6以下。同时,利用静电除尘器和新型离子脱除吸附剂,可以使金属杂质含量脱除至50×10-9以下,同时又能保证四氟化硅不发生分解。基于上述方法,高纯电子级四氟化硅的产业化满足了安全环保、高效生产、质量稳定的要求。

论文目录

• 1 前言
• 2 分离依据与思路
• 3 结果与讨论
•   3.1 恒沸物的去除
•   3.2 金属杂质的去除
•     3.2.1 静电除尘电场优化
•     3.2.2 钝化型吸附剂
• 4 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 杜文东,马建修,张杰,舒冬永,靖宇

关键词: 四氟化硅,恒沸物,金属杂质,萃取,吸附

来源: 低温与特气 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 绿菱电子材料(天津)有限公司

分类号: TQ127.2

页码: 1-5

总页数: 5

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