导读:本文包含了凸点制作论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:镍电铸,微凸点阵列,数值模拟,面形演变
凸点制作论文文献综述
谷化雨,孙浩,王翔[1]（2019）在《基于电铸微凸点形貌演变制作微透镜阵列研究》一文中研究指出微凸点阵列器件的制备及其一致性是微加工领域的难点问题。使用有限元方法对镍电铸过程中的流场分布、反应离子的物质输运以及电化学反应动力学进行耦合,结合网格变形几何技术,实现了不同电流密度和不同阵列节距微凸点电沉积过程形貌的动态仿真,结果表明:小电流密度有利于形成一致性良好的不同填充比的微凸点阵列。并针对电流密度为1 A/dm2,孔径30μm,深50μm,节距分别为150,180,210μm的微孔阵列进行了电铸实验,得到了不同电铸时间下微凸点阵列的沉积形貌,结果与数值模拟面形演变过程相吻合,同时,所得球面形阵列微凸点的底径误差在5μm以内,表现出很好的一致性。并以金属质球凸阵列为模板,结合翻模技术,提出了一种新的微透镜阵列制作方法。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
田知玲,夏志伟,闫启亮[2]（2012）在《金丝球焊制作焊接凸点的工艺参数分析》一文中研究指出介绍了金丝球焊制作焊接凸点的过程和工艺参数。通过实验优化了凸点高度、尾线长度、超声功率、超声时间、焊接压力、热台温度等工艺参数,得到一致性好、焊接性能稳定的焊接参数。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2012年12期）
于金伟,游风勇[3]（2011）在《用于倒装芯片的铜球凸点制作技术研究》一文中研究指出本文对应用于倒装芯片的铜丝键合法制作铜球凸点的技术进行详细的研究,并对铜球凸点金属间化合物的形貌进行了研究,同时对其剪切断裂载荷和失效模式进行了分析。(本文来源于《潍坊学院学报》期刊2011年04期）
舒平生,王玉鹏[4]（2009）在《用于倒装芯片的晶片凸点制作工艺研究》一文中研究指出倒装芯片在电子封装互连中占有越来越多的份额,是一种必然的发展趋势,所以对倒装芯片技术的研究变得非常重要。倒装芯片凸点的形成是其工艺过程的关键。现有的凸点制作方法主要有蒸镀焊料凸点、电镀凸点、微球装配方法、焊料转送、在没有UBM的铅焊盘上做金球凸点、使用金做晶片上的凸点、使用镍-金做晶片的凸点等。每种方法都各有其优缺点,适用于不同的工艺要求。介绍了芯片倒装焊基本的焊球类型、制作方法及各自的特点,总结了凸点制作应注意的问题。(本文来源于《电子与封装》期刊2009年10期）
李高明,张景文,侯洵[5]（2009）在《阵列式日盲紫外成像CMOS读出集成电路及凸点连接的制作》一文中研究指出可以广泛应用于军事和工农业生产上的CMOS紫外焦平面阵列(UVFPA)是近年来比较热门的研究课题。它可以比较容易地实现日盲式紫外探测和可见光盲式紫外探测。但在CMOS UVFPA的研制中,读出集成电路(ROIC)成了制约其发展的很重要的一环。ROIC芯片是实现探测器的信号输出的重要部件。混成式CMOS UVFPA要借助于先进的微电子封装工艺将ROIC与探测器阵列集成在一起。其中则需要制备用于高密度、高精确度互连的阵列凸点。我们通过蒸发结合光刻法和电镀法分别制备了线度为30μm×30μm的16×16凸点阵列。并对两种制备方法做了比较,在分析了制作的凸点的质量后,认为经过改进的蒸发结合光刻法可以制作高质量的阵列凸点。(本文来源于《红外》期刊2009年03期）
Sally,Cole,Johnson[6]（2008）在《一种新型散热凸点制作方法》一文中研究指出电子行业中,尤其是高端的倒装芯片,面临着很多散热和功耗管理方面的挑战,因而致力于解决这些挑战的新颖方法自然而然地会吸引大量的目光。Nextreme公司已经开发出热激活铜柱凸点技术,在电流通过时,具有使一边相对于另一边更快速冷却的能力。(本文来源于《集成电路应用》期刊2008年03期）
吴燕红,杨恒,唐世弋[7]（2007）在《用于倒装芯片的金球凸点制作技术》一文中研究指出倒装芯片中凸点用于实现芯片和基板的电路互连,芯片凸点的制作是倒装芯片技术的关键技术之一。对金球凸点制作进行了介绍。金球凸点直接粘附于芯片上,同时又可具有电路互连的作用,可以完成倒装芯片与基板的电气连接。金球凸点的优势是简单、灵活、便捷、低成本,最大特点是无需凸点下金属层(UBM),可对任意大小的单个芯片进行凸点制作,平整度可达到±4μm。(本文来源于《半导体技术》期刊2007年11期）
刁慧[8]（2007）在《低碳钢薄片上凸点制作工艺研究》一文中研究指出在对超声键合工艺和原理研究的基础上,研究了在低碳钢薄片上采用超声键合技术制作倒装焊用钉头金凸点的可行性及工艺可靠性。着重分析了老化过程中钉头金凸点与涂敷的钎料界面处金属间化合物的生长及可靠性。通过电镀工艺在低碳钢表面沉积过渡性Ni层和键合Cu层,分析了镀层与镀层之间、镀层与基体之间的结合机制。通过测定不同电镀工艺参数条件下铜镀层的Tafel极化曲线,探讨电镀工艺对镀层性能的影响机制。研究了电镀铜镀层上金球的超声键合过程,以金凸点的承载剪切力为评定焊点质量的标准,分析了键合过程的叁个主要工艺参数:键合时间、超声功率和键合压力对键合点质量的影响规律和机制。通过分析金凸点在超声键合过程中的受力情况,研究键合点的界面特性。结果表明,超声键合过程中发生有效键合的区域为键合界面周边的圆环状区域。当其他条件一定时,超声功率增加,键合界面周边区域的圆环状区域面积增大;增加键合压力,键合界面周边区域的圆环状区域面积增大,同时,键合界面处静摩擦区域面积增大。金凸点上涂敷钎料合金重熔后,采用老化试验考察服役过程中的可靠性。通过扫描电子显微镜、EDX能谱分析手段,分析金凸点与钎料界面处金属间化合物的生长分布情况,研究金属间化合物的生长机制及影响因素。研究结果表明:金凸点涂敷钎料合金重熔后,在界面处生成了AuSn2和AuSn4两层金属间化合物。在随后的老化过程中,在金凸点与钎料界面处生成AuSn、AuSn2和AuSn4叁层金属间化合物,分析拟合所得的化合物生长曲线表明,化合物生长厚度随时间变化满足抛物线型规律,表明金属间化合物的生长为扩散反应控制过程。AuSn、AuSn2和AuSn4化合物生长的激活能分别为37kJ/mol、40kJ/mo和39kJ/mol。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2007-07-01）
张彩云,任成平[9]（2006）在《圆片级封装的凸点制作技术》一文中研究指出圆片级封装是一种先进的电子封装技术,近年来,圆片级封装技术的发展速度很快,主要应用于系统级芯片、光电器件和MEMS等。凸点制作是圆片级封装工艺的关键工序,目前凸点制作工艺方法有多种,重点介绍常用的电镀法、植球法和蒸发沉积法凸点工艺,分别介绍这叁种凸点制作技术的工艺流程、关键技术。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2006年03期）
田昊,陆军[10]（2006）在《芯片上Sn/Pb凸点的制作工艺》一文中研究指出随着电子产品对小型、轻量、薄型、高性能的需求越来越迫切,使得倒装芯片技术得到了更加广泛的应用,而凸点的形成正是倒装焊接技术中的关键。本文介绍了用电镀法制作Sn/Pb凸点的基本方法,并对其中的厚胶光刻、UBM层溅射、电镀等关键工艺中应该注意的问题进行了描述。(本文来源于《集成电路通讯》期刊2006年01期）
凸点制作论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了金丝球焊制作焊接凸点的过程和工艺参数。通过实验优化了凸点高度、尾线长度、超声功率、超声时间、焊接压力、热台温度等工艺参数,得到一致性好、焊接性能稳定的焊接参数。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
凸点制作论文参考文献
[1].谷化雨,孙浩,王翔.基于电铸微凸点形貌演变制作微透镜阵列研究[J].传感器与微系统.2019
[2].田知玲,夏志伟,闫启亮.金丝球焊制作焊接凸点的工艺参数分析[J].电子工业专用设备.2012
[3].于金伟,游风勇.用于倒装芯片的铜球凸点制作技术研究[J].潍坊学院学报.2011
[4].舒平生,王玉鹏.用于倒装芯片的晶片凸点制作工艺研究[J].电子与封装.2009
[5].李高明,张景文,侯洵.阵列式日盲紫外成像CMOS读出集成电路及凸点连接的制作[J].红外.2009
[6].Sally,Cole,Johnson.一种新型散热凸点制作方法[J].集成电路应用.2008
[7].吴燕红,杨恒,唐世弋.用于倒装芯片的金球凸点制作技术[J].半导体技术.2007
[8].刁慧.低碳钢薄片上凸点制作工艺研究[D].哈尔滨工业大学.2007
[9].张彩云,任成平.圆片级封装的凸点制作技术[J].电子工艺技术.2006
[10].田昊,陆军.芯片上Sn/Pb凸点的制作工艺[J].集成电路通讯.2006