导读:本文包含了金属半导体场效应晶体管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:效应,晶体管,氧化物,半导体,绝缘体,金属,剂量。
金属半导体场效应晶体管论文文献综述写法
彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚[1]（2018）在《绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究》一文中研究指出基于~(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.(本文来源于《物理学报》期刊2018年21期）
马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波[2]（2018）在《65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制》一文中研究指出对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2018年14期）
赵逸涵,段宝兴,袁嵩,吕建梅,杨银堂[3]（2017）在《具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管》一文中研究指出为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,叁分区时为947 V.(本文来源于《物理学报》期刊2017年07期）
郝敏如,胡辉勇,廖晨光,王斌,赵小红[4]（2017）在《γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响》一文中研究指出基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.(本文来源于《物理学报》期刊2017年07期）
王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴[5]（2016）在《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性》一文中研究指出器件的短路能力对整流器及其故障保护具有极其重要的意义。当器件故障运行时,为避免器件损坏,须在最短的时间内将故障予以切除,而此时器件的最大短路运行时间为系统保护装置提供了有力的时间支持。主要研究了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si C MOSFET)在短路条件下的运行能力,以Cree公司的1 200 V/19 A Si C MOSFET为模型,设计了硬件电路,测试其不同电压等级下的短路电流;并在直流电压等级为600 V的条件下,测试了不同栅极电压、不同温度工况下的短路电流。研究结果表明器件的短路峰值电流随着栅极电压的升高而增大,而其短路运行时间却大幅降低;温度对短路运行时间的影响则相对不甚明显;同时还给出了器件在不同工况下的最大短路运行时间Tsc(max)。(本文来源于《电源学报》期刊2016年06期）
王军,王林,王丹丹[6]（2016）在《40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模》一文中研究指出用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS技术的缩比进展,表明其最佳的高频性能已从低中反区转移至弱反区.高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件,是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声分析的重要基础.本文基于40 nm MOSFET的器件物理结构,并结合漂移-扩散方程和电荷守恒定律,提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型,以此来统一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性.本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中,使得统一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性.最后,通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较,验证了本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性.(本文来源于《物理学报》期刊2016年23期）
周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗[7]（2016）在《总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应》一文中研究指出空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估.通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应,机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起.与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化较多.本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论.(本文来源于《物理学报》期刊2016年09期）
吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟[8]（2015）在《单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型》一文中研究指出本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.(本文来源于《物理学报》期刊2015年19期）
周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远[9]（2015）在《电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究·》一文中研究指出随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估.参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取,对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究.通过试验对比,定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响,得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化,在不同阶段对器件参数的影响.结果表明,总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化,二者的共同作用远大于单一影响因子.(本文来源于《物理学报》期刊2015年08期）
吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟[10]（2015）在《单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型》一文中研究指出电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了所建模型的正确性.同时对其中的关键性栅电容C_(gg)与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大,随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.(本文来源于《物理学报》期刊2015年06期）
金属半导体场效应晶体管论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属半导体场效应晶体管论文参考文献
[1].彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚.绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究[J].物理学报.2018
[2].马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波.65nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制[J].物理学报.2018
[3].赵逸涵,段宝兴,袁嵩,吕建梅,杨银堂.具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管[J].物理学报.2017
[4].郝敏如,胡辉勇,廖晨光,王斌,赵小红.γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响[J].物理学报.2017
[5].王小浩,王俊,江希,彭志高,李宗鉴.碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性[J].电源学报.2016
[6].王军,王林,王丹丹.40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模[J].物理学报.2016
[7].周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗.总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应[J].物理学报.2016
[8].吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟.单轴应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型[J].物理学报.2015
[9].周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远.电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究·[J].物理学报.2015
[10].吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟.单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型[J].物理学报.2015