导读:本文包含了酶场效应晶体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:晶体,晶体管,效应,机场,结构,水合,场效应管。
酶场效应晶体论文文献综述写法
杜路泉[1]（2019）在《晶体叁极管和场效应管的频率响应对比分析》一文中研究指出分析了晶体叁极管和场效应管的分类,同时利用proteus软件对晶体管和场效应管的输入特性和输出特性进行分析。分析晶体叁极管和场效应管的静态工作点以及交流等效电路,计算电路的静态工作点、电流电压放大倍数以及输出输入电阻。对比分析了晶体叁极管和场效应管的频率响应,对晶体叁极管从单管共射放大电路的频率响应与多级放大电路的频率响应的两种频率响应类型进行分析。对场效应管从组成两种不同的基本放大电路进行分析,最后将晶体叁极管和场效应管的频率响应进行比较。(本文来源于《信息通信》期刊2019年04期）
鲍洪亮,段佩权,张林娟,周靖,李炯[2]（2017）在《HERFD-XANES技术探测氧化钍6d轨道的晶体场效应》一文中研究指出氧化钍(ThO_2)是潜在的钍基核燃料。钍的5f和6d轨道能量接近容易发生杂化,且6d轨道低于5f轨道,使其6d轨道对配位环境更敏感。ThO_2具有萤石晶格结构,其Th~(4+)离子处于由8个O~(2-)离子构成的立方体中心,使得Th~(4+)的6d轨道受晶体场影响劈裂成c_g和t_((2g)两组。我们利用高能量分辨率荧光探测模式的X射线吸收近边结构(HERFD-XANES)谱技术,通过采集Th的L_(β5)荧光峰,获得了具有约2 cV能量分辨率的Th L_3边HERFD-XANES数据,从而观察到了ThO_2中Th 6d轨道的晶体场劈裂c_g和t_(2g)间隔约为3.5 cV。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第8册（锕系物理与化学分卷、同位素分卷、辐射研究与应用分卷、核技术工业应用分卷、核农学分卷、核医学分卷）》期刊2017-10-16）
陈瑶[3]（2017）在《酞菁钴及其氟代物晶体生长机制和场效应器件性能研究》一文中研究指出有机场效应晶体管在集成电路、传感器,电子纸、柔性显示器等领域具有广泛的应用,因而,备受科学家的关注。酞菁钴及其氟代物具有大π共轭体系,化学和热性能稳定,具有优异的光电性能。本文研究了酞菁钴(CoPc)、八氟酞菁钴(F_8Co Pc)和十六氟酞菁钴(F_(16)CoPc)的合成、晶体生长及其场效应性能。以邻苯二甲腈及其氟代物为原料,通过一步缩合法合成了CoPc、F_8Co Pc和F_(16)Co Pc,收率分别为70.49%、64.44%和58.27%。通过基质辅助激光解吸飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)、红外光谱(IR)对目标产物进行了结构表征,以紫外-可见吸收光谱(UV-vis)对其光物理性能进行了研究。利用物理气相沉积法(PVD)制备了纳米至微米级的Co Pc、F_8Co Pc和F_(16)Co Pc晶体。研究了炉体温度、基底温度、系统压力和生长时间对晶体形貌的影响。在高真空下得到空心和“扫帚”状Co Pc晶体;在高温下得到簇状F_8CoPc晶体、簇状和“花”状F_(16)Co Pc晶体;复杂结构形貌的发展历程已被清晰的揭示。通过XRD和UV-vis考察了晶体形貌与晶型的关系。升高炉体温度,CoPc和F_8CoPc晶体的晶型没有变化,而F_(16)Co Pc晶体发生了晶型的改变。以十八烷基叁氯硅烷(OTS)修饰SiO_2绝缘层,考察了OTS溶液体积分数、浸泡时间、温度对绝缘层表面形貌、润湿性的影响。修饰绝缘层最佳条件为:OTS溶液体积分数1%、浸泡温度5℃、浸泡时间90 min。基于Co Pc、F_8Co Pc和F_(16)Co Pc晶体制备了场效应器件,迁移率分别为0.56、0.1和0.23 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。引入氟原子,器件性能由p型转变为n型。结合理论计算,研究了氟原子对分子能级和重组能的影响。(本文来源于《天津大学》期刊2017-05-01）
潘泰松[4]（2016）在《二维层状晶体场效应器件电学性质的温度效应研究》一文中研究指出近年来,受制于传统硅材料的物理极限,硅基微电子器件要继续遵循摩尔定律进行发展面临着极大的困难。二维层状材料,包括石墨烯和金属硫属化合物,因其具有优异的电子迁移率、独特的光电性能、原子级厚度等特点,被视作可替代传统硅材料的下一代微电子器件材料。而对硅基微电子器件的研究表明,器件在工作中由于热量积累造成的器件温度升高会导致器件一系列的性能变化。硅基微电子器件中的热效应已经对器件进一步发展产生了限制。因而在目前二维层状材料还处于应用研究初期的阶段,及早地对利用二维层状材料所形成的微电子器件性能与器件温度变化的关系进行研究,无疑有助于未来这一类新兴电子器件的实际应用和推广。而在种类繁多的微电子器件中,场效应器件是一种基础性器件。因此,针对二维层状材料,选取场效应器件作为研究对象来对微电子器件的温度效应进行研究,是非常必要的。针对这一问题,本论文分别对两种典型的二维层状材料场效应器件,石墨烯场效应器件和金属硫属化合物SnS_(2-x)Se_x场效应器件的温度效应,有重点地展开了一些研究工作。通过对石墨烯场效应器件温度效应的研究,发现了石墨烯场效应器件在长时间工作时自发热引起的沟道电阻不稳定性,分析了这种不稳定性的成因。在成功实现了高导热AlN介电层薄膜制备的基础上,通过用其作为器件的介电层,有效的抑制了沟道中热量的积累,减弱了沟道电阻不稳定性。利用化学气相输运法合成了不同化学组分比的SnS_(2-x)Se_x层状晶体,对相应的场效应器件在不同温度下的转移特性和输出特性进行了系统的表征和分析。通过对输运特性的分析和相关理论计算,解释了S/Se比例对晶体在不同温度下输运特性和晶体激活能影响。在石墨烯场效应器件的温度效应问题上,首先对Si(001)上高导热AlN薄膜的射频反应溅射制备工艺进行了研究。通过对溅射功率的优化控制,观察到通过适当调高溅射功率,可以有利于高能Al-N键的形成,从而得到c轴择优取向的AlN薄膜。结合考虑氧杂质和晶界的散射模型及薄膜热导率测试数据,分析了反应溅射气氛中Ar/N2流量比对薄膜热导率的影响,得到了优化的反应溅射气氛。通过对不同衬底温度下生长的Al N薄膜热导率以及AlN与Si衬底界面微结构的表征,结合串联热阻模型和散射模型解释了衬底加热温度-界面微结构-热导率叁者之间的相互关系。通过提高衬底加热温度,抑制AlN/Si界面处非晶AlN层的形成,成功制备了热导率可达26.7 W/mK的高导热介电层薄膜。在实现了高导热AlN介电层薄膜制备的基础上,对石墨烯场效应器件在80 K至300 K温度区间内存在大气环境杂质时的自发热效应表现进行了测试和分析。发现当石墨烯场效应器件在0.5 W功率下工作500 s过程中,器件的沟道电阻在器件处于p型导电态和n型导电态时会分别呈现工作时逐渐上升和下降的变化。通过对器件工作前后电中性点电压的测量以及输运机理的讨论,得出这一沟道电阻不稳定性的来源是石墨烯场效应器件由于自发热效应造成沟道中p型杂质解吸附,进而使石墨烯上载流子的浓度产生了变化。通过比较SiO2薄膜和AlN薄膜分别作为介电层的石墨烯场效应器件在80 K至300 K温度区间下不同的沟道电阻变化规律及两种薄膜的热物性,表明通过将介电层替换为高导热AlN介电薄膜可以有效地抑制沟道电阻在长时间工作时的不稳定变化。在对金属硫属化合物SnS_(2-x)Se_x场效应器件的研究中,利用化学气相输运法制备了不同Se含量的SnS_(2-x)Se_x层状晶体,并对相应的场效应器件在90 K至295 K温度区间下的转移特性和输出特性进行了表征。发现在90 K至295 K的整个温度区间,随着Se含量的升高,在x≥1.2时,器件在栅压为-50 V至50 V范围内基本无法实现“关断”。沟道中晶体与器件金属电极之间的接触类型也会随着Se含量的升高发生由近似欧姆接触向肖特基接触的转变。从能带结构变化的角度出发,对Se含量变化与器件在不同温度下性能变化的关系进行了解释,表明Se含量的增加实际上属于一种n型掺杂。基于所测得的器件沟道电阻与温度的关系,从实验和理论计算两方面分析了Se含量对晶体激活能大小的影响,表明利用类氢模型能够较为准确的描述Se含量变化对能带结构的影响。而这种能带结构的变化本质上是Se含量不同所造成的晶体介电常数改变主导的晶体激活能变化。(本文来源于《电子科技大学》期刊2016-04-20）
徐春晖[5]（2015）在《二维分子晶体的制备及其场效应性能研究》一文中研究指出二维晶体因极高的柔韧性与透光性,在柔性器件及可穿戴设备方面显示出了极大的潜在应用价值1。较于相应叁维块材,二维晶体不但能够体现出增强的材料本征性能,同时还可能因量子局域效应产生一些块材所不具有的新性质。并且,超薄厚度的二维晶体被认为是连接材料微观电子结构与透明柔性电子器件的桥梁,能够实现器件的多功能化。2DMCs可溶液法加工,具备低成本、可大面积制备等优势,是二维原子晶体相互补充、促进的发展方向。随着器件制作工艺的逐步优化及加工方法的不断开发,2DMCs的载流子迁移率得到了稳步提高,在未来的柔性器件及可穿戴设备中必将占有一席之地。我们开发了一种在液面简单滴注生长2DMCs的方法,晶体最大尺寸可达厘米级。这种方法制备的2DMCs具有很高的晶体质量,基于此构筑的有机场效应晶体管有很高的载流子迁移率。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
肖宇,李峰,张发培[6]（2014）在《溶液相大尺寸有机薄晶体的生长及其场效应晶体管研究》一文中研究指出利用改进的两溶剂混合法生长出大尺寸6,13-双(叁异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS-PEN)薄晶体。晶体尺寸可达几毫米,厚度范围为90~700nm。用偏光显微镜确定了其单结晶性。通过对比实验发现,随着溶液浓度的升高,有机薄晶体尺寸增大,厚度增加。用X射线衍射和选区电子衍射对TIPSPEN薄晶体进行表征,结果显示薄晶体具有非常高的有序结构。基于薄晶体的场效应晶体管(FET)具有高的空穴迁移率,达0.39 cm2/V·s,较旋涂制备的薄膜晶体管高两个量级,并且随着薄晶体厚度的降低载流子迁移率增加。(本文来源于《功能材料》期刊2014年04期）
史为[7]（2013）在《场效应晶体管和晶体叁极管》一文中研究指出场效应晶体管(简称场效应管)是利用电场效应来控制半导体中的电流器件，且还是一种电压控制器件，场效应管有两类:结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管。每种类型的场效应晶体管，按导电的的沟道，又可分为N沟道和P沟道，按工作方式又可分为增强型和耗尽型。(本文来源于《电子报》期刊2013-04-28）
秦炎福,姜广智,何恩节,官邦贵[8]（2010）在《Eu~(3+):LaF_3纳米晶体-液体悬浮系统中荧光弛豫的局域场效应》一文中研究指出为研究Eu3+:LaF3纳米晶体-液体悬浮系统中局域场效应对荧光辐射寿命的影响,首先用水热法成功制得了粒径均匀、分散性良好的Eu3+:LaF3纳米晶体,通过将其悬浮在各种液体介质中测出了532nm脉冲激光激发下Eu3+的5D0能级的荧光寿命,该能级的荧光衰减曲线呈明显的二阶指数衰减特征,对荧光寿命的分析表明其中快速荧光衰减部分源于纳米晶体表面附近的稀土离子。荧光衰减的长寿命部分与各种局域场效应理论模型中的最小二乘法拟合结果表明,忽略表面效应并考虑实际的量子效率时,实腔模型是解释本文的研究系统中荧光弛豫的局域场效应的最佳理论模型。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2010年03期）
刘明大,石家伟,李永军,刘建军,葛翔[9]（2001）在《有机晶体场效应发光晶体管》一文中研究指出有机晶体电注入激光器,已经由美国Bell实验室Lucent科研小组研制成功.人们期待已久的有机电注入激光器终于实现了.但是由于器件结构存在一些问题,所以他们只得到脉冲受激发射,没有实现连续受激发射.有机双极场效应发光晶体管,是实现有机晶体电注入激光器的前期基础预研工作.通常的场效应晶体管是单极器件,它的少子效应是可以忽略的.然而,取决于栅极偏压的极性,可以在混合的或双极模式下工作.在这种器件中,通过调节栅源电压(V_g)和漏源电压(V_d),可以实现电子和空穴电流的平衡注入.这将在器件中形成P-n结,能够产生激子,导致辐射复合发生.因此这种叁端器件是有机半导体电激励激光器的一个非常有前途的结构基础.(本文来源于《全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）论文集》期刊2001-10-01）
王惠君[10]（1999）在《晶体场效应对第一过渡系正二价离子水合热的影响》一文中研究指出以第一过渡系正二件离子水合热的变化为例,讨论d~N(N=1—10)组态离子在八面体场中晶体场稳定化能对水合热的影响.(本文来源于《六安师专学报》期刊1999年02期）
酶场效应晶体论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氧化钍(ThO_2)是潜在的钍基核燃料。钍的5f和6d轨道能量接近容易发生杂化,且6d轨道低于5f轨道,使其6d轨道对配位环境更敏感。ThO_2具有萤石晶格结构,其Th~(4+)离子处于由8个O~(2-)离子构成的立方体中心,使得Th~(4+)的6d轨道受晶体场影响劈裂成c_g和t_((2g)两组。我们利用高能量分辨率荧光探测模式的X射线吸收近边结构(HERFD-XANES)谱技术,通过采集Th的L_(β5)荧光峰,获得了具有约2 cV能量分辨率的Th L_3边HERFD-XANES数据,从而观察到了ThO_2中Th 6d轨道的晶体场劈裂c_g和t_(2g)间隔约为3.5 cV。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
酶场效应晶体论文参考文献
[1].杜路泉.晶体叁极管和场效应管的频率响应对比分析[J].信息通信.2019
[2].鲍洪亮,段佩权,张林娟,周靖,李炯.HERFD-XANES技术探测氧化钍6d轨道的晶体场效应[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第8册（锕系物理与化学分卷、同位素分卷、辐射研究与应用分卷、核技术工业应用分卷、核农学分卷、核医学分卷）.2017
[3].陈瑶.酞菁钴及其氟代物晶体生长机制和场效应器件性能研究[D].天津大学.2017
[4].潘泰松.二维层状晶体场效应器件电学性质的温度效应研究[D].电子科技大学.2016
[5].徐春晖.二维分子晶体的制备及其场效应性能研究[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
[6].肖宇,李峰,张发培.溶液相大尺寸有机薄晶体的生长及其场效应晶体管研究[J].功能材料.2014
[7].史为.场效应晶体管和晶体叁极管[N].电子报.2013
[8].秦炎福,姜广智,何恩节,官邦贵.Eu~(3+):LaF_3纳米晶体-液体悬浮系统中荧光弛豫的局域场效应[J].人工晶体学报.2010
[9].刘明大,石家伟,李永军,刘建军,葛翔.有机晶体场效应发光晶体管[C].全国第十次光纤通信暨第十一届集成光学学术会议（OFCIO’2001）论文集.2001
[10].王惠君.晶体场效应对第一过渡系正二价离子水合热的影响[J].六安师专学报.1999